Επιταξιακές πλακέτες 4H-SiC για MOSFET εξαιρετικά υψηλής τάσης (100–500 μm, 6 ίντσες)

Σύντομη Περιγραφή:

Η ραγδαία ανάπτυξη των ηλεκτρικών οχημάτων, των έξυπνων δικτύων, των συστημάτων ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και του βιομηχανικού εξοπλισμού υψηλής ισχύος έχει δημιουργήσει μια επείγουσα ανάγκη για ημιαγωγικές συσκευές ικανές να χειρίζονται υψηλότερες τάσεις, υψηλότερες πυκνότητες ισχύος και μεγαλύτερη απόδοση. Μεταξύ των ημιαγωγών με ευρύ ενεργειακό χάσμα,καρβίδιο του πυριτίου (SiC)ξεχωρίζει για το μεγάλο ενεργειακό χάσμα, την υψηλή θερμική αγωγιμότητα και την ανώτερη κρίσιμη ένταση ηλεκτρικού πεδίου.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Λεπτομερές Διάγραμμα

Επισκόπηση προϊόντος

Μαςεπιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiCέχουν σχεδιαστεί ειδικά γιαεφαρμογές MOSFET εξαιρετικά υψηλής τάσηςΜε επιταξιακά στρώματα που κυμαίνονται από100 μm έως 500 μm on Υποστρώματα 6 ιντσών (150 mm), αυτά τα πλακίδια παρέχουν τις εκτεταμένες περιοχές ολίσθησης που απαιτούνται για συσκευές κλάσης kV διατηρώντας παράλληλα εξαιρετική ποιότητα κρυστάλλων και επεκτασιμότητα. Τα τυπικά πάχη περιλαμβάνουν 100 μm, 200 μm και 300 μm, με δυνατότητα προσαρμογής.

Πάχος επιταξιακής στρώσης

Το επιταξιακό στρώμα παίζει καθοριστικό ρόλο στον καθορισμό της απόδοσης του MOSFET, ιδιαίτερα στην ισορροπία μεταξύτάση διάσπασηςκαιαντίσταση.

100–200 μmΒελτιστοποιημένο για MOSFET μέσης έως υψηλής τάσης, προσφέροντας εξαιρετική ισορροπία μεταξύ απόδοσης αγωγιμότητας και αντοχής μπλοκαρίσματος.
200–500 μmΚατάλληλο για συσκευές εξαιρετικά υψηλής τάσης (10 kV+), επιτρέποντας μεγάλες περιοχές μετατόπισης για ισχυρά χαρακτηριστικά διάσπασης.

Σε όλο το φάσμα,η ομοιομορφία πάχους ελέγχεται εντός ±2%, εξασφαλίζοντας συνέπεια από πλακέτα σε πλακέτα και από παρτίδα σε παρτίδα. Αυτή η ευελιξία επιτρέπει στους σχεδιαστές να βελτιώνουν την απόδοση της συσκευής για τις στοχευόμενες τάξεις τάσης, διατηρώντας παράλληλα την αναπαραγωγιμότητα στη μαζική παραγωγή.

Διαδικασία Παραγωγής

Οι γκοφρέτες μας κατασκευάζονται χρησιμοποιώνταςεπιταξία CVD (Εναπόθεση Χημικών Ατμών) τελευταίας τεχνολογίας, το οποίο επιτρέπει τον ακριβή έλεγχο του πάχους, της πρόσμιξης και της κρυσταλλικής ποιότητας, ακόμη και για πολύ παχιά στρώματα.

Επιταξία καρδιαγγειακών παθήσεων– Τα αέρια υψηλής καθαρότητας και οι βελτιστοποιημένες συνθήκες εξασφαλίζουν ομαλές επιφάνειες και χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων.
Ανάπτυξη παχιάς στρώσης– Οι ιδιόκτητες συνταγές διεργασίας επιτρέπουν επιταξιακό πάχος έως και500 μmμε εξαιρετική ομοιομορφία.
Έλεγχος ντόπινγκ– Ρυθμιζόμενη συγκέντρωση μεταξύ1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, με ομοιομορφία καλύτερη από ±5%.
Προετοιμασία επιφάνειας– Οι γκοφρέτες υφίστανταιΣτίλβωση CMPκαι αυστηρή επιθεώρηση, εξασφαλίζοντας συμβατότητα με προηγμένες διαδικασίες όπως η οξείδωση πύλης, η φωτολιθογραφία και η μεταλλοποίηση.

Βασικά πλεονεκτήματα

Δυνατότητα εξαιρετικά υψηλής τάσης– Τα παχιά επιταξιακά στρώματα (100–500 μm) υποστηρίζουν σχέδια MOSFET κλάσης kV.
Εξαιρετική Ποιότητα Κρυστάλλων– Οι χαμηλές πυκνότητες εξάρθρωσης και ελαττωμάτων στο βασικό επίπεδο εξασφαλίζουν αξιοπιστία και ελαχιστοποιούν τις διαρροές.
Μεγάλα υποστρώματα 6 ιντσών– Υποστήριξη για παραγωγή μεγάλου όγκου, μειωμένο κόστος ανά συσκευή και συμβατότητα με εργοστάσια.
Ανώτερες Θερμικές Ιδιότητες– Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και το μεγάλο ενεργειακό χάσμα επιτρέπουν την αποτελεσματική λειτουργία σε υψηλή ισχύ και θερμοκρασία.
Προσαρμόσιμες παράμετροι– Το πάχος, η πρόσμιξη, ο προσανατολισμός και το φινίρισμα της επιφάνειας μπορούν να προσαρμοστούν στις συγκεκριμένες απαιτήσεις.

Τυπικές προδιαγραφές

Παράμετρος	Προσδιορισμός
Τύπος αγωγιμότητας	Τύπου Ν (με προσθήκη αζώτου)
Αντίσταση	Κάθε
Γωνία εκτός άξονα	4° ± 0,5° (προς [11-20])
Προσανατολισμός Κρυστάλλων	(0001) Si-face
Πάχος	200–300 μm (δυνατότητα προσαρμογής 100–500 μm)
Φινίρισμα επιφάνειας	Μπροστά: Γυαλισμένο με CMP (epi-ready) Πίσω: με επίστρωση ή γυαλισμένο
TTV	≤ 10 μm
Τόξο/Στημόνι	≤ 20 μm

Περιοχές εφαρμογής

Οι επιταξιακές γκοφρέτες 4H-SiC είναι ιδανικές γιαMOSFET σε συστήματα εξαιρετικά υψηλής τάσης, συμπεριλαμβανομένων:

Μετατροπείς έλξης ηλεκτρικών οχημάτων και μονάδες φόρτισης υψηλής τάσης
Εξοπλισμός μεταφοράς και διανομής έξυπνου δικτύου
Μετατροπείς ανανεώσιμων πηγών ενέργειας (ηλιακή, αιολική, αποθήκευση)
Βιομηχανικά εφόδια υψηλής ισχύος και συστήματα μεταγωγής

Συχνές ερωτήσεις

Ε1: Ποιος είναι ο τύπος αγωγιμότητας;
A1: Τύπου N, με πρόσμιξη αζώτου — το βιομηχανικό πρότυπο για MOSFET και άλλες συσκευές ισχύος.

Ε2: Ποια επιταξιακά πάχη είναι διαθέσιμα;
A2: 100–500 μm, με τυπικές επιλογές στα 100 μm, 200 μm και 300 μm. Διατίθενται προσαρμοσμένα πάχη κατόπιν αιτήματος.

Ε3: Ποιος είναι ο προσανατολισμός της γκοφρέτας και η γωνία εκτός άξονα;
A3: (0001) Όψη Si, με απόκλιση 4° ± 0,5° από τον άξονα προς την κατεύθυνση [11-20].

Σχετικά με εμάς

Η XKH ειδικεύεται στην ανάπτυξη, παραγωγή και πωλήσεις υψηλής τεχνολογίας ειδικού οπτικού γυαλιού και νέων κρυσταλλικών υλικών. Τα προϊόντα μας εξυπηρετούν οπτικά ηλεκτρονικά, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης και τον στρατό. Προσφέρουμε οπτικά εξαρτήματα από ζαφείρι, καλύμματα φακών κινητών τηλεφώνων, κεραμικά, LT, SIC καρβιδίου πυριτίου, χαλαζία και κρυσταλλικά πλακίδια ημιαγωγών. Με εξειδικευμένη τεχνογνωσία και εξοπλισμό αιχμής, διαπρέπουμε στην επεξεργασία μη τυποποιημένων προϊόντων, με στόχο να γίνουμε μια κορυφαία επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας οπτοηλεκτρονικών υλικών.