Οπτική ποιότητα διόγκωσης HPSI SiC ≥90% για γυαλιά AI/AR

Οπτική ποιότητα διοχέτευσης wafer HPSI SiC ≥90% για γυαλιά AI/AR Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Παράμετρος	Βαθμός	Υπόστρωμα 4 ιντσών	Υπόστρωμα 6 ιντσών
Διάμετρος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	99,5 mm – 100,0 mm	149,5 mm – 150,0 mm
Πολυ-τύπος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	4H	4H
Πάχος	Βαθμός Ζ	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Πάχος	Βαθμός Δ	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός πλακιδίων	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	Στον άξονα: <0001> ± 0,5°	Στον άξονα: <0001> ± 0,5°
Πυκνότητα μικροσωλήνων	Βαθμός Ζ	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Πυκνότητα μικροσωλήνων	Βαθμός Δ	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Αντίσταση	Βαθμός Ζ	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Αντίσταση	Βαθμός Δ	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Βασική Εισαγωγή: Ο Ρόλος των Δισκίων HPSI SiC σε Γυαλιά AI/AR

Τα πλακίδια HPSI (High-Purity Semi-Insulating) από καρβίδιο του πυριτίου είναι εξειδικευμένα πλακίδια που χαρακτηρίζονται από υψηλή ειδική αντίσταση (>10⁹ Ω·cm) και εξαιρετικά χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων. Στα γυαλιά AI/AR, χρησιμεύουν κυρίως ως το βασικό υλικό υποστρώματος για φακούς οπτικού κυματοδηγού διαθλαστικής δράσης, αντιμετωπίζοντας τα σημεία συμφόρησης που σχετίζονται με τα παραδοσιακά οπτικά υλικά όσον αφορά τους λεπτούς και ελαφρούς παράγοντες μορφής, την απαγωγή θερμότητας και την οπτική απόδοση. Για παράδειγμα, τα γυαλιά AR που χρησιμοποιούν φακούς κυματοδηγού SiC μπορούν να επιτύχουν ένα εξαιρετικά ευρύ οπτικό πεδίο (FOV) 70°–80°, μειώνοντας παράλληλα το πάχος ενός μόνο στρώματος φακού σε μόλις 0,55 mm και το βάρος σε μόλις 2,7 g, βελτιώνοντας σημαντικά την άνεση χρήσης και την οπτική εμβύθιση.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Βασικά χαρακτηριστικά: Πώς το υλικό SiC ενισχύει τον σχεδιασμό γυαλιών AI/AR

Υψηλός Δείκτης Διάθλασης και Βελτιστοποίηση Οπτικής Απόδοσης

Ο δείκτης διάθλασης του SiC (2,6–2,7) είναι σχεδόν 50% υψηλότερος από αυτόν του παραδοσιακού γυαλιού (1,8–2,0). Αυτό επιτρέπει λεπτότερες και πιο αποτελεσματικές δομές κυματοδηγών, διευρύνοντας σημαντικά το οπτικό πεδίο (FOV). Ο υψηλός δείκτης διάθλασης βοηθά επίσης στην καταστολή του «φαινομένου του ουράνιου τόξου» που είναι συνηθισμένο στους περιθλαστικούς κυματοδηγούς, βελτιώνοντας την καθαρότητα της εικόνας.

Εξαιρετική δυνατότητα θερμικής διαχείρισης

Με θερμική αγωγιμότητα έως και 490 W/m·K (κοντά σε αυτή του χαλκού), το SiC μπορεί να διαχέει γρήγορα τη θερμότητα που παράγεται από τις μονάδες οθόνης Micro-LED. Αυτό αποτρέπει την υποβάθμιση της απόδοσης ή τη γήρανση της συσκευής λόγω υψηλών θερμοκρασιών, εξασφαλίζοντας μεγάλη διάρκεια ζωής της μπαταρίας και υψηλή σταθερότητα.

Μηχανική αντοχή και ανθεκτικότητα

Το SiC έχει σκληρότητα Mohs 9,5 (δεύτερη μόνο μετά το διαμάντι), προσφέροντας εξαιρετική αντοχή στις γρατσουνιές, καθιστώντας το ιδανικό για γυαλιά ευρείας χρήσης. Η τραχύτητα της επιφάνειάς του μπορεί να ελεγχθεί σε Ra < 0,5 nm, εξασφαλίζοντας χαμηλές απώλειες και εξαιρετικά ομοιόμορφη μετάδοση φωτός σε κυματοδηγούς.

Συμβατότητα Ηλεκτρικών Ιδιοτήτων

Η ειδική αντίσταση του HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) βοηθά στην αποτροπή παρεμβολών σήματος. Μπορεί επίσης να χρησιμεύσει ως ένα αποτελεσματικό υλικό για συσκευές ισχύος, βελτιστοποιώντας τις μονάδες διαχείρισης ενέργειας σε γυαλιά AR.

Οδηγίες για την κύρια αίτηση

Βασικά οπτικά εξαρτήματα για γυαλιά AI/ARs

Φακοί Περιθλαστικών Κυματοδηγών: Τα υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία εξαιρετικά λεπτών οπτικών κυματοδηγών που υποστηρίζουν μεγάλο οπτικό πεδίο (FOV) και εξαλείφουν το φαινόμενο του ουράνιου τόξου.
Πλάκες και πρίσματα παραθύρων: Μέσω προσαρμοσμένης κοπής και στίλβωσης, το SiC μπορεί να μετατραπεί σε προστατευτικά παράθυρα ή οπτικά πρίσματα για γυαλιά AR, ενισχύοντας τη διαπερατότητα του φωτός και την αντοχή στη φθορά.

Εκτεταμένες εφαρμογές σε άλλους τομείς

Ηλεκτρονικά Ισχύος: Χρησιμοποιούνται σε σενάρια υψηλής συχνότητας και ισχύος, όπως οι μετατροπείς οχημάτων νέας ενέργειας και τα συστήματα ελέγχου βιομηχανικών κινητήρων.
Κβαντική Οπτική: Λειτουργεί ως ξενιστής για χρωματικά κέντρα, που χρησιμοποιείται σε υποστρώματα για κβαντική επικοινωνία και συσκευές ανίχνευσης.

Σύγκριση προδιαγραφών υποστρώματος HPSI SiC 4 ιντσών και 6 ιντσών

Παράμετρος	Βαθμός	Υπόστρωμα 4 ιντσών	Υπόστρωμα 6 ιντσών
Διάμετρος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	99,5 χιλ. - 100,0 χιλ.	149,5 mm - 150,0 mm
Πολυ-τύπος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	4H	4H
Πάχος	Βαθμός Ζ	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Πάχος	Βαθμός Δ	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός πλακιδίων	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	Στον άξονα: <0001> ± 0,5°	Στον άξονα: <0001> ± 0,5°
Πυκνότητα μικροσωλήνων	Βαθμός Ζ	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Πυκνότητα μικροσωλήνων	Βαθμός Δ	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Αντίσταση	Βαθμός Ζ	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Αντίσταση	Βαθμός Δ	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Πρωταρχικός Επίπεδος Προσανατολισμός	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	32,5 mm ± 2,0 mm	Εγκοπή
Δευτερεύον επίπεδο μήκος	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	18,0 mm ± 2,0 mm	-
Εξαίρεση άκρων	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	3 χιλιοστά	3 χιλιοστά
LTV / TTV / Τόξο / Στημόνι	Βαθμός Ζ	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Τόξο / Στημόνι	Βαθμός Δ	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Τραχύτητα	Βαθμός Ζ	Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
Τραχύτητα	Βαθμός Δ	Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Πολωνικό Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Ρωγμές στις άκρες	Βαθμός Δ	Συνολική επιφάνεια ≤ 0,1%	Συνολικό μήκος ≤ 20 mm, μονό ≤ 2 mm
Πολυτυπικές Περιοχές	Βαθμός Δ	Συνολική επιφάνεια ≤ 0,3%	Συνολική επιφάνεια ≤ 3%
Οπτικές Ενσωματώσεις Άνθρακα	Βαθμός Ζ	Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05%	Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05%
Οπτικές Ενσωματώσεις Άνθρακα	Βαθμός Δ	Συνολική επιφάνεια ≤ 0,3%	Συνολική επιφάνεια ≤ 3%
Γρατζουνιές στην επιφάνεια του πυριτίου	Βαθμός Δ	5 επιτρέπονται, το καθένα ≤1mm	Συνολικό μήκος ≤ 1 x διάμετρος
Τσιπς στις άκρες	Βαθμός Ζ	Δεν επιτρέπεται (πλάτος και βάθος ≥0,2 mm)	Δεν επιτρέπεται (πλάτος και βάθος ≥0,2 mm)
Τσιπς στις άκρες	Βαθμός Δ	7 επιτρέπονται, κάθε ≤1mm	7 επιτρέπονται, κάθε ≤1mm
Εξάρθρωση βίδας σπειρώματος	Βαθμός Ζ	-	≤ 500 cm²
Συσκευασία	Βαθμός Ζ / Βαθμός Δ	Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου	Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου

Υπηρεσίες XKH: Ολοκληρωμένες δυνατότητες κατασκευής και προσαρμογής

Η εταιρεία XKH διαθέτει δυνατότητες κάθετης ολοκλήρωσης από πρώτες ύλες έως τελικά πλακίδια, καλύπτοντας ολόκληρη την αλυσίδα ανάπτυξης υποστρώματος SiC, τεμαχισμού, στίλβωσης και επεξεργασίας κατά παραγγελία. Τα βασικά πλεονεκτήματα της υπηρεσίας περιλαμβάνουν:

Ποικιλομορφία Υλικών:Μπορούμε να παρέχουμε διάφορους τύπους πλακιδίων όπως τύπου 4H-N, τύπου 4H-HPSI, τύπου 4H/6H-P και τύπου 3C-N. Η ειδική αντίσταση, το πάχος και ο προσανατολισμός μπορούν να ρυθμιστούν ανάλογα με τις απαιτήσεις.
Ευέλικτη προσαρμογή μεγέθους:Υποστηρίζουμε την επεξεργασία πλακιδίων διαμέτρου από 2 έως 12 ίντσες και μπορούμε επίσης να επεξεργαστούμε ειδικές δομές όπως τετράγωνα κομμάτια (π.χ., 5x5mm, 10x10mm) και ακανόνιστα πρίσματα.
Έλεγχος ακριβείας οπτικού βαθμού:Η μεταβολή του συνολικού πάχους του πλακιδίου (TTV) μπορεί να διατηρηθεί σε <1μm και η τραχύτητα της επιφάνειας σε Ra <0,3 nm, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις επιπεδότητας σε νανοεπίπεδο για συσκευές κυματοδηγού.
Ταχεία ανταπόκριση της αγοράς:Το ολοκληρωμένο επιχειρηματικό μοντέλο διασφαλίζει την αποτελεσματική μετάβαση από την Έρευνα και Ανάπτυξη (Ε&Α) στη μαζική παραγωγή, υποστηρίζοντας τα πάντα, από την επαλήθευση μικρών παρτίδων έως τις αποστολές μεγάλου όγκου (συνήθως χρόνος παράδοσης 15-40 ημέρες).

Συχνές ερωτήσεις σχετικά με την πλακέτα HPSI SiC

Ε1: Γιατί το HPSI SiC θεωρείται ιδανικό υλικό για φακούς κυματοδηγού AR;
A1: Ο υψηλός δείκτης διάθλασης (2,6–2,7) επιτρέπει τη δημιουργία λεπτότερων, πιο αποτελεσματικών δομών κυματοδηγών που υποστηρίζουν μεγαλύτερο οπτικό πεδίο (π.χ., 70°–80°) ενώ παράλληλα εξαλείφουν το «φαινόμενο του ουράνιου τόξου».
Ε2: Πώς βελτιώνει το HPSI SiC τη θερμική διαχείριση σε γυαλιά AI/AR;
A2: Με θερμική αγωγιμότητα έως 490 W/m·K (κοντά σε χαλκό), διαχέει αποτελεσματικά τη θερμότητα από εξαρτήματα όπως τα Micro-LED, εξασφαλίζοντας σταθερή απόδοση και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής της συσκευής.
Ε3: Ποια πλεονεκτήματα ανθεκτικότητας προσφέρει το HPSI SiC για φορετά γυαλιά;
A3: Η εξαιρετική σκληρότητά του (Mohs 9.5) παρέχει ανώτερη αντοχή στις γρατσουνιές, καθιστώντας το εξαιρετικά ανθεκτικό για καθημερινή χρήση σε γυαλιά AR καταναλωτικής ποιότητας.