2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών InP επιταξιακό υπόστρωμα γκοφρέτας ανιχνευτής φωτός APD για επικοινωνίες οπτικών ινών ή LiDAR

2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών επιταξιακό υπόστρωμα πλακέτας InP ανιχνευτής φωτός APD για επικοινωνίες οπτικών ινών ή Προτεινόμενη εικόνα LiDAR

Σύντομη περιγραφή:

Το επιταξιακό υπόστρωμα InP είναι το βασικό υλικό για την κατασκευή APD, συνήθως ένα ημιαγωγό υλικό που εναποτίθεται στο υπόστρωμα με τεχνολογία επιταξιακής ανάπτυξης. Τα υλικά που χρησιμοποιούνται συνήθως περιλαμβάνουν πυρίτιο (Si), αρσενίδιο του γαλλίου (GaAs), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κ.λπ., με εξαιρετικές φωτοηλεκτρικές ιδιότητες. Ο φωτοανιχνευτής APD είναι ένας ειδικός τύπος φωτοανιχνευτή που χρησιμοποιεί το φωτοηλεκτρικό φαινόμενο χιονοστιβάδας για να ενισχύσει το σήμα ανίχνευσης. Όταν τα φωτόνια προσπίπτουν στην APD, δημιουργούνται ζεύγη ηλεκτρονίων-οπών. Η επιτάχυνση αυτών των φορέων υπό τη δράση ενός ηλεκτρικού πεδίου μπορεί να οδηγήσει στο σχηματισμό περισσότερων φορέων, ένα «φαινόμενο χιονοστιβάδας», το οποίο ενισχύει σημαντικά το ρεύμα εξόδου.
Οι επιταξιακές γκοφρέτες που καλλιεργούνται από το MOCvD είναι το επίκεντρο των εφαρμογών διόδων φωτοανίχνευσης χιονοστιβάδων. Το στρώμα απορρόφησης παρασκευάστηκε από υλικό U-InGaAs με ντόπινγκ υποβάθρου <5E14. Το λειτουργικό επίπεδο μπορεί να χρησιμοποιήσει InP ή InAlAslayer. Το επιταξιακό υπόστρωμα InP είναι το βασικό υλικό για την κατασκευή APD, το οποίο καθορίζει την απόδοση του οπτικού ανιχνευτή. Ο φωτοανιχνευτής APD είναι ένα είδος φωτοανιχνευτή υψηλής ευαισθησίας, που χρησιμοποιείται ευρέως σε πεδία επικοινωνίας, ανίχνευσης και απεικόνισης.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τα βασικά χαρακτηριστικά του επιταξιακού φύλλου λέιζερ InP περιλαμβάνουν

1. Χαρακτηριστικά κενού ζώνης: Το InP έχει ένα στενό διάκενο ζώνης, το οποίο είναι κατάλληλο για ανίχνευση υπέρυθρου φωτός μεγάλου κύματος, ειδικά στην περιοχή μήκους κύματος από 1,3μm έως 1,5μm.
2. Οπτική απόδοση: Το επιταξιακό φιλμ InP έχει καλή οπτική απόδοση, όπως η φωτεινή ισχύς και η εξωτερική κβαντική απόδοση σε διαφορετικά μήκη κύματος. Για παράδειγμα, στα 480 nm, η φωτεινή ισχύς και η εξωτερική κβαντική απόδοση είναι 11,2% και 98,8%, αντίστοιχα.
3. Δυναμική φορέα: Τα νανοσωματίδια InP (NPs) παρουσιάζουν συμπεριφορά διπλής εκθετικής διάσπασης κατά την επιταξιακή ανάπτυξη. Ο χρόνος γρήγορης αποσύνθεσης αποδίδεται στην έγχυση φορέα στο στρώμα InGaAs, ενώ ο αργός χρόνος αποσύνθεσης σχετίζεται με τον ανασυνδυασμό φορέα στα InP NPs.
4. Χαρακτηριστικά υψηλής θερμοκρασίας: Το υλικό κβαντικού φρεατίου AlGaInAs/InP έχει εξαιρετική απόδοση σε υψηλή θερμοκρασία, η οποία μπορεί να αποτρέψει αποτελεσματικά τη διαρροή ρεύματος και να βελτιώσει τα χαρακτηριστικά υψηλής θερμοκρασίας του λέιζερ.
5. Διαδικασία κατασκευής: Τα επιταξιακά φύλλα InP συνήθως αναπτύσσονται στο υπόστρωμα με τεχνολογία επιτάξεως μοριακής δέσμης (MBE) ή μεταλλο-οργανικής χημικής εναπόθεσης ατμού (MOCVD) για την επίτευξη μεμβρανών υψηλής ποιότητας.
Αυτά τα χαρακτηριστικά κάνουν τα επιταξιακά πλακίδια λέιζερ InP να έχουν σημαντικές εφαρμογές στην επικοινωνία οπτικών ινών, τη διανομή κβαντικών κλειδιών και την απομακρυσμένη οπτική ανίχνευση.

Οι κύριες εφαρμογές των επιταξιακών δισκίων λέιζερ InP περιλαμβάνουν

1. Φωτονική: Τα λέιζερ και οι ανιχνευτές InP χρησιμοποιούνται ευρέως σε οπτικές επικοινωνίες, κέντρα δεδομένων, υπέρυθρη απεικόνιση, βιομετρία, ανίχνευση 3D και LiDAR.

2. Τηλεπικοινωνίες: Τα υλικά InP έχουν σημαντικές εφαρμογές στην ενσωμάτωση μεγάλης κλίμακας λέιζερ μεγάλου μήκους κύματος με βάση το πυρίτιο, ειδικά στις επικοινωνίες οπτικών ινών.

3. Υπέρυθρα λέιζερ: Εφαρμογές λέιζερ κβαντικών πηγαδιών που βασίζονται σε InP στη ζώνη μεσαίας υπέρυθρης ακτινοβολίας (όπως 4-38 μικρά), συμπεριλαμβανομένης της ανίχνευσης αερίων, της ανίχνευσης εκρηκτικών και της υπέρυθρης απεικόνισης.

4. Φωτονική πυριτίου: Μέσω της ετερογενούς τεχνολογίας ολοκλήρωσης, το λέιζερ InP μεταφέρεται σε ένα υπόστρωμα με βάση το πυρίτιο για να σχηματίσει μια πολυλειτουργική πλατφόρμα οπτοηλεκτρονικής ολοκλήρωσης πυριτίου.

5.Λέιζερ υψηλής απόδοσης: Τα υλικά InP χρησιμοποιούνται για την κατασκευή λέιζερ υψηλής απόδοσης, όπως τα λέιζερ τρανζίστορ InGaAsP-InP με μήκος κύματος 1,5 microns.

Η XKH προσφέρει προσαρμοσμένες επιταξιακές γκοφρέτες InP με διαφορετικές δομές και πάχη, καλύπτοντας μια ποικιλία εφαρμογών όπως οπτικές επικοινωνίες, αισθητήρες, σταθμούς βάσης 4G/5G κ.λπ. Τα προϊόντα της XKH κατασκευάζονται με χρήση προηγμένου εξοπλισμού MOCVD για τη διασφάλιση υψηλής απόδοσης και αξιοπιστίας. Όσον αφορά τα logistics, η XKH διαθέτει ένα ευρύ φάσμα διεθνών καναλιών πηγής, μπορεί να χειριστεί με ευελιξία τον αριθμό των παραγγελιών και να παρέχει υπηρεσίες προστιθέμενης αξίας, όπως αραίωση, τμηματοποίηση κ.λπ. Οι αποτελεσματικές διαδικασίες παράδοσης διασφαλίζουν την έγκαιρη παράδοση και ανταποκρίνονται στις απαιτήσεις των πελατών για ποιότητα και χρόνο παράδοσης. Μετά την άφιξη, οι πελάτες μπορούν να λάβουν ολοκληρωμένη τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση μετά την πώληση για να διασφαλίσουν ότι το προϊόν τίθεται σε λειτουργία ομαλά.