Προϊόντα
-
Γκοφρέτα υποστρώματος 4H-N 8 ιντσών SiC Carbide Dummy Research βαθμού πάχους 500um
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Έρευνα παραγωγής Dummy grade Dia150mm Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου
-
Γκοφρέτες SiC Carbide SiC 8 ιντσών 200mm τύπου 4H-N Βαθμός παραγωγής πάχους 500um
-
Διάμετρος 300x1,0 mmt πάχους ζαφείρι Γκοφρέτα C-Plane SSP/DSP
-
8 ιντσών 200mm Ζαφείρι υπόστρωμα γκοφρέτα ζαφείρι λεπτό πάχος 1SP 2SP 0,5mm 0,75mm
-
Διάμετρος γκοφρέτας HPSI SiC: Πάχος 3 ιντσών: 350um± 25 μm για Ηλεκτρονικά Ισχύος
-
Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών SiC 4H-N τύπου 0,5 χιλιοστών, ειδικού γυαλισμένου υποστρώματος ερευνητικού βαθμού παραγωγής
-
Μονοκρύσταλλο Al2O3 99,999% Dia200mm ζαφείρι γκοφρέτες 1,0mm 0,75mm πάχος
-
Γκοφρέτα Sapphire 156mm 159mm 6 ιντσών για carrierC-Plane DSP TTV
-
Γκοφρέτες ζαφείρι 4 ιντσών άξονα C/A/M μονοκρύσταλλο Al2O3, SSP DSP υπόστρωμα ζαφείρι υψηλής σκληρότητας
-
Ημιμονωτική γκοφρέτα 3 ιντσών υψηλής καθαρότητας (HPSI) SiC 350um Dummy grade Prime grade
-
Υπόστρωμα SiC τύπου P γκοφρέτα SiC Dia2inch νέο προϊόν