Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 2 ιντσών 6H-N Sic Wafer διπλής στιλβωμένης αγώγιμης κατηγορίας Mos Grade

Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου 2 ιντσών 6H-N Sic Wafer διπλό στιλβωμένο αγώγιμο πρωταρχικής ποιότητας Mos Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Το μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου 6H είναι ένα βασικό ημιαγωγικό υλικό που χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας. Γνωστό για την εξαγωνική κρυσταλλική του δομή, το 6H-N SiC προσφέρει μεγάλο διάκενο ζώνης και υψηλή θερμική αγωγιμότητα, καθιστώντας το ιδανικό για απαιτητικά περιβάλλοντα.
Το ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης αυτού του υλικού και η κινητικότητα των ηλεκτρονίων επιτρέπουν την ανάπτυξη αποδοτικών ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, όπως MOSFET και IGBT, που μπορούν να λειτουργούν σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες από αυτές που κατασκευάζονται από παραδοσιακό πυρίτιο. Η εξαιρετική θερμική του αγωγιμότητα εξασφαλίζει αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, κρίσιμης σημασίας για τη διατήρηση της απόδοσης και της αξιοπιστίας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.
Στις εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων (RF), οι ιδιότητες του 6H-N SiC υποστηρίζουν τη δημιουργία συσκευών ικανών να λειτουργούν σε υψηλότερες συχνότητες με βελτιωμένη απόδοση. Η χημική του σταθερότητα και η αντοχή του στην ακτινοβολία το καθιστούν επίσης κατάλληλο για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα, συμπεριλαμβανομένων των τομέων της αεροδιαστημικής και της άμυνας.
Επιπλέον, τα υποστρώματα 6H-N SiC είναι ενσωματωμένα σε οπτοηλεκτρονικές συσκευές, όπως οι φωτοανιχνευτές υπεριώδους, όπου το ευρύ διάκενο ζώνης τους επιτρέπει την αποτελεσματική ανίχνευση υπεριώδους φωτός. Ο συνδυασμός αυτών των ιδιοτήτων καθιστά το SiC τύπου n 6H ένα ευέλικτο και απαραίτητο υλικό για την πρόοδο των σύγχρονων ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών τεχνολογιών.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τα ακόλουθα είναι τα χαρακτηριστικά της γκοφρέτας καρβιδίου του πυριτίου:

· Όνομα προϊόντος: Υπόστρωμα SiC
· Εξαγωνική Δομή: Μοναδικές ηλεκτρονικές ιδιότητες.
· Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: ~600 cm²/V·s.
· Χημική σταθερότητα: Ανθεκτικό στη διάβρωση.
· Αντοχή στην ακτινοβολία: Κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα.
· Χαμηλή ενδογενής συγκέντρωση φορέα: Αποτελεσματική σε υψηλές θερμοκρασίες.
· Ανθεκτικότητα: Ισχυρές μηχανικές ιδιότητες.
· Οπτοηλεκτρονική ικανότητα: Αποτελεσματική ανίχνευση υπεριώδους φωτός.

Η γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου έχει πολλές εφαρμογές

Εφαρμογές γκοφρέτας SiC:
Τα υποστρώματα SiC (καρβίδιο πυριτίου) χρησιμοποιούνται σε διάφορες εφαρμογές υψηλής απόδοσης λόγω των μοναδικών ιδιοτήτων τους, όπως η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η υψηλή ένταση ηλεκτρικού πεδίου και το μεγάλο διάκενο ζώνης. Εδώ είναι μερικές εφαρμογές:

1.Ηλεκτρονικά ισχύος:
· MOSFET υψηλής τάσης
·IGBT (Μονωμένα Διπολικά Τρανζίστορ Πύλης)
·Δίοδοι Schottky
·Μετατροπείς ισχύος

2. Συσκευές υψηλής συχνότητας:
· Ενισχυτές RF (Radio Frequency).
·Τρανζίστορ μικροκυμάτων
·Συσκευές κυμάτων χιλιοστού

3. Ηλεκτρονικά Υψηλής Θερμοκρασίας:
·Αισθητήρες και κυκλώματα για σκληρά περιβάλλοντα
·Ηλεκτρονικά αεροδιαστημικής
·Ηλεκτρονικά αυτοκινήτων (π.χ. μονάδες ελέγχου κινητήρα)

4. Οπτοηλεκτρονική:
·Φωτοανιχνευτές υπεριώδους (UV).
· Δίοδοι εκπομπής φωτός (LED)
·Δίοδοι λέιζερ

5. Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:
·Ηλιακοί μετατροπείς
·Μετατροπείς ανεμογεννητριών
·Σύστημα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων

6. Βιομηχανική και Άμυνα:
·Συστήματα ραντάρ
·Δορυφορικές επικοινωνίες
·Όργανα πυρηνικών αντιδραστήρων

Προσαρμογή γκοφρέτας SiC

Μπορούμε να προσαρμόσουμε το μέγεθος του υποστρώματος SiC για να καλύψει τις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας. Προσφέρουμε επίσης μια γκοφρέτα 4H-Semi HPSI SiC με μέγεθος 10x10 mm ή 5x5 mm.
Η τιμή καθορίζεται από την περίπτωση και οι λεπτομέρειες συσκευασίας μπορούν να προσαρμοστούν στις προτιμήσεις σας.
Ο χρόνος παράδοσης είναι εντός 2-4 εβδομάδων. Δεχόμαστε πληρωμή μέσω T/T.
Το εργοστάσιό μας διαθέτει προηγμένο εξοπλισμό παραγωγής και τεχνική ομάδα, η οποία μπορεί να προσαρμόσει διάφορες προδιαγραφές, πάχη και σχήματα γκοφρέτας SiC σύμφωνα με τις συγκεκριμένες απαιτήσεις των πελατών.