Υπόστρωμα Sic από καρβίδιο του πυριτίου 6H-N 2 ιντσών, διπλά γυαλισμένο, αγώγιμο, πρωταρχικής ποιότητας, Mos Grade

Υπόστρωμα Sic καρβιδίου πυριτίου 6H-N 2 ιντσών, διπλά γυαλισμένο αγώγιμο, πρωταρχικής ποιότητας, Mos Grade, Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Το μονοκρυσταλλικό υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου n 6H είναι ένα βασικό ημιαγωγικό υλικό που χρησιμοποιείται εκτενώς σε ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας. Γνωστό για την εξαγωνική κρυσταλλική του δομή, το 6H-N SiC προσφέρει μεγάλο ενεργειακό χάσμα και υψηλή θερμική αγωγιμότητα, καθιστώντας το ιδανικό για απαιτητικά περιβάλλοντα.
Το υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης και η κινητικότητα ηλεκτρονίων αυτού του υλικού επιτρέπουν την ανάπτυξη αποδοτικών ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, όπως MOSFET και IGBT, που μπορούν να λειτουργούν σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες από εκείνες που κατασκευάζονται από παραδοσιακό πυρίτιο. Η εξαιρετική θερμική του αγωγιμότητα εξασφαλίζει αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, κρίσιμη για τη διατήρηση της απόδοσης και της αξιοπιστίας σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.
Σε εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων (RF), οι ιδιότητες του 6H-N SiC υποστηρίζουν τη δημιουργία συσκευών ικανών να λειτουργούν σε υψηλότερες συχνότητες με βελτιωμένη απόδοση. Η χημική του σταθερότητα και η αντοχή του στην ακτινοβολία το καθιστούν επίσης κατάλληλο για χρήση σε σκληρά περιβάλλοντα, συμπεριλαμβανομένων των τομέων της αεροδιαστημικής και της άμυνας.
Επιπλέον, τα υποστρώματα 6H-N SiC είναι αναπόσπαστο κομμάτι των οπτοηλεκτρονικών συσκευών, όπως οι φωτοανιχνευτές υπεριώδους ακτινοβολίας, όπου το ευρύ ενεργειακό τους χάσμα επιτρέπει την αποτελεσματική ανίχνευση υπεριώδους φωτός. Ο συνδυασμός αυτών των ιδιοτήτων καθιστά το 6H n-τύπου SiC ένα ευέλικτο και απαραίτητο υλικό για την προώθηση των σύγχρονων ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών τεχνολογιών.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Τα ακόλουθα είναι τα χαρακτηριστικά της γκοφρέτας καρβιδίου του πυριτίου:

· Όνομα προϊόντος: Υπόστρωμα SiC
· Εξαγωνική Δομή: Μοναδικές ηλεκτρονικές ιδιότητες.
· Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: ~600 cm²/V·s.
· Χημική σταθερότητα: Ανθεκτικό στη διάβρωση.
· Αντοχή στην ακτινοβολία: Κατάλληλο για σκληρά περιβάλλοντα.
· Χαμηλή ενδογενής συγκέντρωση φορέων: Αποτελεσματικό σε υψηλές θερμοκρασίες.
· Ανθεκτικότητα: Ισχυρές μηχανικές ιδιότητες.
· Οπτοηλεκτρονική ικανότητα: Αποτελεσματική ανίχνευση υπεριώδους φωτός.

Η γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου έχει πολλές εφαρμογές

Εφαρμογές πλακιδίων SiC:
Τα υποστρώματα SiC (καρβίδιο του πυριτίου) χρησιμοποιούνται σε διάφορες εφαρμογές υψηλής απόδοσης λόγω των μοναδικών ιδιοτήτων τους, όπως η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η υψηλή ένταση ηλεκτρικού πεδίου και το μεγάλο ενεργειακό χάσμα. Ακολουθούν ορισμένες εφαρμογές:

1. Ηλεκτρονικά ισχύος:
·MOSFET υψηλής τάσης
·IGBT (Διπολικά Τρανζίστορ με Μονωμένη Πύλη)
·Δίοδοι Schottky
·Μετατροπείς ισχύος

2. Συσκευές υψηλής συχνότητας:
·Ενισχυτές RF (Ραδιοσυχνοτήτων)
·Τρανζίστορ μικροκυμάτων
·Συσκευές χιλιοστομετρικών κυμάτων

3. Ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας:
·Αισθητήρες και κυκλώματα για σκληρά περιβάλλοντα
· Αεροδιαστημική ηλεκτρονική
·Ηλεκτρονικά συστήματα αυτοκινήτων (π.χ. μονάδες ελέγχου κινητήρα)

4. Οπτοηλεκτρονική:
·Φωτοανιχνευτές υπεριώδους (UV)
·Δίοδοι εκπομπής φωτός (LED)
·Δίοδοι λέιζερ

5. Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:
·Ηλιακοί μετατροπείς
·Μετατροπείς ανεμογεννητριών
· Κινητήρες ηλεκτρικών οχημάτων

6. Βιομηχανία και Άμυνα:
·Συστήματα ραντάρ
·Δορυφορικές επικοινωνίες
·Οργάνωση πυρηνικού αντιδραστήρα

Προσαρμογή πλακιδίων SiC

Μπορούμε να προσαρμόσουμε το μέγεθος του υποστρώματος SiC ώστε να ανταποκρίνεται στις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας. Προσφέρουμε επίσης πλακίδιο SiC 4H-Semi HPSI με μέγεθος 10x10mm ή 5x5 mm.
Η τιμή καθορίζεται από την περίπτωση και οι λεπτομέρειες της συσκευασίας μπορούν να προσαρμοστούν στις προτιμήσεις σας.
Ο χρόνος παράδοσης είναι εντός 2-4 εβδομάδων. Δεχόμαστε πληρωμές μέσω T/T.
Το εργοστάσιό μας διαθέτει προηγμένο εξοπλισμό παραγωγής και τεχνική ομάδα, η οποία μπορεί να προσαρμόσει διάφορες προδιαγραφές, πάχη και σχήματα πλακιδίων SiC σύμφωνα με τις συγκεκριμένες απαιτήσεις των πελατών.