3 ιντσών 76,2 χιλιοστών 4H-Semi SiC υποστρώματος wafer SiC καρβιδίου του πυριτίου ημι-προσβλητικές wafers SiC

Τα ημιμονωμένα πλακίδια υποστρώματος SiC (καρβιδίου του πυριτίου) 4H 3 ιντσών είναι ένα συνήθως χρησιμοποιούμενο ημιαγωγικό υλικό. Το 4H υποδηλώνει τετραεξαεδρική κρυσταλλική δομή. Ημιμόνωση σημαίνει ότι το υπόστρωμα έχει χαρακτηριστικά υψηλής αντίστασης και μπορεί να είναι κάπως απομονωμένο από τη ροή ρεύματος.

Τέτοια πλακίδια υποστρώματος έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χαμηλή απώλεια αγωγιμότητας, εξαιρετική αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και εξαιρετική μηχανική και χημική σταθερότητα. Επειδή το καρβίδιο του πυριτίου έχει μεγάλο ενεργειακό χάσμα και μπορεί να αντέξει υψηλές θερμοκρασίες και συνθήκες υψηλού ηλεκτρικού πεδίου, τα ημιμονωμένα πλακίδια 4H-SiC χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικά ισχύος και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων (RF).

Οι κύριες εφαρμογές των ημιμονωμένων πλακιδίων 4H-SiC περιλαμβάνουν:

1--Ηλεκτρονικά ισχύος: Τα πλακίδια 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή συσκευών μεταγωγής ισχύος, όπως MOSFET (Τρανζίστορ Πεδίου Φαινόμενου Ημιαγωγού Οξειδίου Μετάλλου), IGBT (Διπολικά Τρανζίστορ Μονωμένης Πύλης) και διόδους Schottky. Αυτές οι συσκευές έχουν χαμηλότερες απώλειες αγωγιμότητας και μεταγωγής σε περιβάλλοντα υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας και προσφέρουν υψηλότερη απόδοση και αξιοπιστία.

2--Διατάξεις Ραδιοσυχνοτήτων (RF): Τα ημιμονωμένα πλακίδια 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή ενισχυτών ισχύος RF υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας, αντιστάσεων τσιπ, φίλτρων και άλλων συσκευών. Το καρβίδιο του πυριτίου έχει καλύτερη απόδοση σε υψηλές συχνότητες και θερμική σταθερότητα λόγω του μεγαλύτερου ρυθμού μετατόπισης κορεσμού ηλεκτρονίων και της υψηλότερης θερμικής αγωγιμότητας.

3--Οπτοηλεκτρονικές συσκευές: Οι ημιμονωμένες πλακέτες 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή διόδων λέιζερ υψηλής ισχύος, ανιχνευτών υπεριώδους φωτός και οπτοηλεκτρονικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.

Όσον αφορά την κατεύθυνση της αγοράς, η ζήτηση για ημιμονωμένα πλακίδια 4H-SiC αυξάνεται με τους αναπτυσσόμενους τομείς της ηλεκτρονικής ισχύος, των ραδιοσυχνοτήτων (RF) και της οπτοηλεκτρονικής. Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι το καρβίδιο του πυριτίου έχει ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένης της ενεργειακής απόδοσης, των ηλεκτρικών οχημάτων, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και των επικοινωνιών. Στο μέλλον, η αγορά για ημιμονωμένα πλακίδια 4H-SiC παραμένει πολύ πολλά υποσχόμενη και αναμένεται να αντικαταστήσει τα συμβατικά υλικά πυριτίου σε διάφορες εφαρμογές.