Γκοφρέτες υποστρώματος 3 ιντσών 76,2 mm 4H-Semi SiC Καρβίδιο πυριτίου Ημι-προσβλητικές γκοφρέτες SiC

Οι γκοφρέτες υποστρώματος SiC (καρβίδιο του πυριτίου) 3 ιντσών 4Η με ημιμόνωση είναι ένα ευρέως χρησιμοποιούμενο υλικό ημιαγωγών. Το 4Η υποδηλώνει τετραεξαεδρική κρυσταλλική δομή. Ημιμόνωση σημαίνει ότι το υπόστρωμα έχει χαρακτηριστικά υψηλής αντίστασης και μπορεί να απομονωθεί κάπως από τη ροή του ρεύματος.

Τέτοιες γκοφρέτες υποστρώματος έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χαμηλή απώλεια αγωγιμότητας, εξαιρετική αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία και εξαιρετική μηχανική και χημική σταθερότητα. Επειδή το καρβίδιο του πυριτίου έχει μεγάλο ενεργειακό κενό και μπορεί να αντέξει τις υψηλές θερμοκρασίες και τις συνθήκες υψηλού ηλεκτρικού πεδίου, οι ημιμονωμένες γκοφρέτες 4H-SiC χρησιμοποιούνται ευρέως σε συσκευές ηλεκτρονικών ισχύος και ραδιοσυχνοτήτων (RF).

Οι κύριες εφαρμογές των ημιμονωμένων γκοφρετών 4H-SiC περιλαμβάνουν:

1--Ηλεκτρονικά ισχύος: Οι γκοφρέτες 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή συσκευών μεταγωγής ισχύος, όπως MOSFET (Transistors Semiconductor Field Effect Field Oxide), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) και διόδους Schottky. Αυτές οι συσκευές έχουν μικρότερες απώλειες αγωγιμότητας και μεταγωγής σε περιβάλλοντα υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας και προσφέρουν υψηλότερη απόδοση και αξιοπιστία.

2--Συσκευές ραδιοσυχνοτήτων (RF): Οι ημιμονωμένες γκοφρέτες 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή ενισχυτών ισχύος ραδιοσυχνοτήτων υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας, αντιστάσεων τσιπ, φίλτρων και άλλων συσκευών. Το καρβίδιο του πυριτίου έχει καλύτερη απόδοση υψηλής συχνότητας και θερμική σταθερότητα λόγω του μεγαλύτερου ρυθμού μετατόπισης κορεσμού ηλεκτρονίων και της υψηλότερης θερμικής αγωγιμότητας.

3--Οπτοηλεκτρονικές συσκευές: Οι ημιμονωμένες γκοφρέτες 4H-SiC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή διόδων λέιζερ υψηλής ισχύος, ανιχνευτών υπεριώδους φωτός και οπτοηλεκτρονικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.

Όσον αφορά την κατεύθυνση της αγοράς, η ζήτηση για ημιμονωμένες γκοφρέτες 4H-SiC αυξάνεται με τους αυξανόμενους τομείς των ηλεκτρονικών ισχύος, των ραδιοσυχνοτήτων και της οπτοηλεκτρονικής. Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι το καρβίδιο του πυριτίου έχει ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων της ενεργειακής απόδοσης, των ηλεκτρικών οχημάτων, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και των επικοινωνιών. Στο μέλλον, η αγορά για ημιμονωμένες γκοφρέτες 4H-SiC παραμένει πολλά υποσχόμενη και αναμένεται να αντικαταστήσει τα συμβατικά υλικά πυριτίου σε διάφορες εφαρμογές.