Ημιμονωτική γκοφρέτα 3 ιντσών υψηλής καθαρότητας (HPSI) SiC 350um Dummy grade Prime grade

Σύντομη περιγραφή:

Η γκοφρέτα SiC HPSI (High-Purity Carbide Silicon), με διάμετρο 3 ιντσών και πάχος 350 μm ± 25 μm, έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος αιχμής. Οι γκοφρέτες SiC είναι γνωστές για τις εξαιρετικές ιδιότητες των υλικών τους, όπως η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η υψηλή αντίσταση στην τάση και η ελάχιστη απώλεια ενέργειας, που τις καθιστούν μια προτιμώμενη επιλογή για συσκευές ημιαγωγών ισχύος. Αυτές οι γκοφρέτες έχουν σχεδιαστεί για να χειρίζονται ακραίες συνθήκες, προσφέροντας βελτιωμένη απόδοση σε περιβάλλοντα υψηλής συχνότητας, υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας, εξασφαλίζοντας παράλληλα μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση και ανθεκτικότητα.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Εφαρμογή

Οι γκοφρέτες HPSI SiC είναι ζωτικής σημασίας για την ενεργοποίηση συσκευών ισχύος επόμενης γενιάς, οι οποίες χρησιμοποιούνται σε μια ποικιλία εφαρμογών υψηλής απόδοσης:
Συστήματα Μετατροπής Ισχύος: Οι γκοφρέτες SiC χρησιμεύουν ως το βασικό υλικό για συσκευές ισχύος, όπως τα power MOSFET, οι δίοδοι και τα IGBT, τα οποία είναι ζωτικής σημασίας για την αποτελεσματική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά κυκλώματα. Αυτά τα εξαρτήματα βρίσκονται σε τροφοδοτικά υψηλής απόδοσης, κινητήρες και βιομηχανικούς μετατροπείς.

Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Η αυξανόμενη ζήτηση για ηλεκτρικά οχήματα απαιτεί τη χρήση πιο αποδοτικών ηλεκτρονικών ισχύος και οι γκοφρέτες SiC βρίσκονται στην πρώτη γραμμή αυτού του μετασχηματισμού. Στα συστήματα μετάδοσης κίνησης EV, αυτές οι γκοφρέτες παρέχουν υψηλή απόδοση και δυνατότητες γρήγορης εναλλαγής, οι οποίες συμβάλλουν σε ταχύτερους χρόνους φόρτισης, μεγαλύτερη αυτονομία και βελτιωμένη συνολική απόδοση του οχήματος.

Ανανεώσιμες Πηγές Ενέργειας:Σε συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας όπως η ηλιακή και η αιολική ενέργεια, οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται σε μετατροπείς και μετατροπείς που επιτρέπουν πιο αποτελεσματική δέσμευση και διανομή ενέργειας. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και η ανώτερη τάση διάσπασης του SiC διασφαλίζουν ότι αυτά τα συστήματα λειτουργούν αξιόπιστα, ακόμη και κάτω από ακραίες περιβαλλοντικές συνθήκες.

Βιομηχανικός Αυτοματισμός και Ρομποτική:Τα ηλεκτρονικά ισχύος υψηλής απόδοσης σε συστήματα βιομηχανικού αυτοματισμού και ρομποτικής απαιτούν συσκευές ικανές να αλλάζουν γρήγορα, να χειρίζονται μεγάλα φορτία ισχύος και να λειτουργούν υπό υψηλή πίεση. Οι ημιαγωγοί που βασίζονται σε SiC πληρούν αυτές τις απαιτήσεις παρέχοντας υψηλότερη απόδοση και στιβαρότητα, ακόμη και σε σκληρά περιβάλλοντα λειτουργίας.

Συστήματα τηλεπικοινωνιών:Στην τηλεπικοινωνιακή υποδομή, όπου η υψηλή αξιοπιστία και η αποδοτική μετατροπή ενέργειας είναι ζωτικής σημασίας, οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται σε τροφοδοτικά και μετατροπείς DC-DC. Οι συσκευές SiC συμβάλλουν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και βελτιώνουν την απόδοση του συστήματος σε κέντρα δεδομένων και δίκτυα επικοινωνίας.

Παρέχοντας μια ισχυρή βάση για εφαρμογές υψηλής ισχύος, η γκοφρέτα HPSI SiC επιτρέπει την ανάπτυξη ενεργειακά αποδοτικών συσκευών, βοηθώντας τις βιομηχανίες να μεταβούν σε πιο πράσινες, πιο βιώσιμες λύσεις.

Σκηνικά θέατρου

operty	Βαθμός Παραγωγής	Βαθμός Έρευνας	Ομοίωμα Βαθμού
Διάμετρος	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Πάχος	350 μm ± 25 μm	350 μm ± 25 μm	350 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός γκοφρέτας	Στον άξονα: <0001> ± 0,5°	Στον άξονα: <0001> ± 2,0°	Στον άξονα: <0001> ± 2,0°
Πυκνότητα μικροσωλήνων για το 95% των γκοφρετών (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Ηλεκτρική αντίσταση	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Dopant	Ανεκμετάλλευτη	Ανεκμετάλλευτη	Ανεκμετάλλευτη
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	Si όψη προς τα επάνω: 90° CW από πρωτεύον επίπεδο ± 5,0°	Si όψη προς τα επάνω: 90° CW από πρωτεύον επίπεδο ± 5,0°	Si όψη προς τα επάνω: 90° CW από πρωτεύον επίπεδο ± 5,0°
Εξαίρεση άκρων	3 χλστ	3 χλστ	3 χλστ
LTV / TTV / Τόξο / Warp	3 μm / 10 μm / ±30 μm / 40 μm	3 μm / 10 μm / ±30 μm / 40 μm	5 μm / 15 μm / ±40 μm / 45 μm
Επιφανειακή τραχύτητα	Γ-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Πρόσωπο Si: CMP	Γ-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Πρόσωπο Si: CMP	Γ-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Πρόσωπο Si: CMP
Ρωγμές (επιθεωρούνται από φως υψηλής έντασης)	Κανένας	Κανένας	Κανένας
Εξαγωνικές πλάκες (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης)	Κανένας	Κανένας	Σωρευτική επιφάνεια 10%
Περιοχές πολυτύπου (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης)	Σωρευτική επιφάνεια 5%	Σωρευτική επιφάνεια 5%	Σωρευτική επιφάνεια 10%
Γρατσουνιές (επιθεωρούνται από φως υψηλής έντασης)	≤ 5 γρατσουνιές, αθροιστικό μήκος ≤ 150 mm	≤ 10 γρατσουνιές, αθροιστικό μήκος ≤ 200 mm	≤ 10 γρατσουνιές, αθροιστικό μήκος ≤ 200 mm
Σκίσιμο άκρων	Κανένα δεν επιτρέπεται ≥ 0,5 mm πλάτος και βάθος	Επιτρέπονται 2, ≤ 1 mm πλάτος και βάθος	5 επιτρεπόμενα, ≤ 5 mm πλάτος και βάθος
Επιφανειακή μόλυνση (επιθεωρείται με φως υψηλής έντασης)	Κανένας	Κανένας	Κανένας

Βασικά Πλεονεκτήματα

Ανώτερη θερμική απόδοση: Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα του SiC εξασφαλίζει αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας στις συσκευές ισχύος, επιτρέποντάς τους να λειτουργούν σε υψηλότερα επίπεδα ισχύος και συχνότητες χωρίς υπερθέρμανση. Αυτό μεταφράζεται σε μικρότερα, πιο αποτελεσματικά συστήματα και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής.

High Breakdown Voltage: Με μεγαλύτερο διάκενο ζώνης σε σύγκριση με το πυρίτιο, οι γκοφρέτες SiC υποστηρίζουν εφαρμογές υψηλής τάσης, καθιστώντας τις ιδανικές για ηλεκτρονικά εξαρτήματα ισχύος που πρέπει να αντέχουν σε υψηλές τάσεις διάσπασης, όπως σε ηλεκτρικά οχήματα, συστήματα τροφοδοσίας δικτύου και συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.

Μειωμένη απώλεια ισχύος: Η χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης και οι γρήγορες ταχύτητες μεταγωγής των συσκευών SiC έχουν ως αποτέλεσμα μειωμένη απώλεια ενέργειας κατά τη λειτουργία. Αυτό όχι μόνο βελτιώνει την απόδοση αλλά ενισχύει επίσης τη συνολική εξοικονόμηση ενέργειας των συστημάτων στα οποία αναπτύσσονται.
Ενισχυμένη αξιοπιστία σε σκληρά περιβάλλοντα: Οι στιβαρές ιδιότητες του υλικού του SiC του επιτρέπουν να αποδίδει σε ακραίες συνθήκες, όπως υψηλές θερμοκρασίες (έως 600°C), υψηλές τάσεις και υψηλές συχνότητες. Αυτό καθιστά τις γκοφρέτες SiC κατάλληλες για απαιτητικές βιομηχανικές, αυτοκινητοβιομηχανίες και ενεργειακές εφαρμογές.

Ενεργειακή απόδοση: Οι συσκευές SiC προσφέρουν υψηλότερη πυκνότητα ισχύος από τις παραδοσιακές συσκευές με βάση το πυρίτιο, μειώνοντας το μέγεθος και το βάρος των ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος ενώ βελτιώνουν τη συνολική τους απόδοση. Αυτό οδηγεί σε εξοικονόμηση κόστους και μικρότερο περιβαλλοντικό αποτύπωμα σε εφαρμογές όπως οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας και τα ηλεκτρικά οχήματα.

Επεκτασιμότητα: Η διάμετρος 3 ιντσών και οι ακριβείς ανοχές κατασκευής της γκοφρέτας HPSI SiC διασφαλίζουν ότι είναι επεκτάσιμη για μαζική παραγωγή, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις έρευνας και εμπορικής κατασκευής.

Σύναψη

Η γκοφρέτα HPSI SiC, με τη διάμετρο 3 ιντσών και το πάχος 350 µm ± 25 µm, είναι το βέλτιστο υλικό για την επόμενη γενιά ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής απόδοσης. Ο μοναδικός συνδυασμός θερμικής αγωγιμότητας, υψηλής τάσης διάσπασης, χαμηλής απώλειας ενέργειας και αξιοπιστίας υπό ακραίες συνθήκες το καθιστά απαραίτητο συστατικό για διάφορες εφαρμογές στη μετατροπή ισχύος, τις ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, τα ηλεκτρικά οχήματα, τα βιομηχανικά συστήματα και τις τηλεπικοινωνίες.

Αυτή η γκοφρέτα SiC είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για βιομηχανίες που επιδιώκουν να επιτύχουν υψηλότερη απόδοση, μεγαλύτερη εξοικονόμηση ενέργειας και βελτιωμένη αξιοπιστία του συστήματος. Καθώς η τεχνολογία ηλεκτρονικών ισχύος συνεχίζει να εξελίσσεται, η γκοφρέτα HPSI SiC παρέχει τη βάση για την ανάπτυξη επόμενης γενιάς, ενεργειακά αποδοτικών λύσεων, οδηγώντας τη μετάβαση σε ένα πιο βιώσιμο μέλλον με χαμηλές εκπομπές άνθρακα.