Ημιμονωτική πλάκα SiC υψηλής καθαρότητας 3 ιντσών (HPSI) 350um Dummy grade Prime grade
Εφαρμογή
Τα πλακίδια HPSI SiC είναι καθοριστικά για την ενεργοποίηση συσκευών ισχύος επόμενης γενιάς, οι οποίες χρησιμοποιούνται σε μια ποικιλία εφαρμογών υψηλής απόδοσης:
Συστήματα Μετατροπής Ισχύος: Οι πλακέτες SiC χρησιμεύουν ως το βασικό υλικό για συσκευές ισχύος όπως MOSFET ισχύος, διόδους και IGBT, οι οποίες είναι κρίσιμες για την αποτελεσματική μετατροπή ισχύος σε ηλεκτρικά κυκλώματα. Αυτά τα εξαρτήματα βρίσκονται σε τροφοδοτικά υψηλής απόδοσης, κινητήρες και βιομηχανικούς μετατροπείς.
Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Η αυξανόμενη ζήτηση για ηλεκτρικά οχήματα καθιστά απαραίτητη τη χρήση πιο αποδοτικών ηλεκτρονικών ισχύος και οι πλακέτες SiC βρίσκονται στην πρώτη γραμμή αυτού του μετασχηματισμού. Στα συστήματα μετάδοσης κίνησης EV, αυτές οι πλακέτες παρέχουν υψηλή απόδοση και δυνατότητες γρήγορης εναλλαγής, οι οποίες συμβάλλουν σε ταχύτερους χρόνους φόρτισης, μεγαλύτερη αυτονομία και βελτιωμένη συνολική απόδοση του οχήματος.
Ανανεώσιμες Πηγές Ενέργειας:Σε συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας όπως η ηλιακή και η αιολική ενέργεια, οι πλακέτες SiC χρησιμοποιούνται σε μετατροπείς και μετατροπείς που επιτρέπουν την πιο αποτελεσματική συλλογή και διανομή ενέργειας. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και η ανώτερη τάση διάσπασης του SiC διασφαλίζουν ότι αυτά τα συστήματα λειτουργούν αξιόπιστα, ακόμη και υπό ακραίες περιβαλλοντικές συνθήκες.
Βιομηχανικός Αυτοματισμός και Ρομποτική:Τα ηλεκτρονικά ισχύος υψηλής απόδοσης σε βιομηχανικά συστήματα αυτοματισμού και ρομποτικής απαιτούν συσκευές ικανές να αλλάζουν γρήγορα, να διαχειρίζονται μεγάλα φορτία ισχύος και να λειτουργούν υπό υψηλή καταπόνηση. Οι ημιαγωγοί με βάση το SiC πληρούν αυτές τις απαιτήσεις παρέχοντας υψηλότερη απόδοση και ανθεκτικότητα, ακόμη και σε σκληρά λειτουργικά περιβάλλοντα.
Συστήματα Τηλεπικοινωνιών:Στις τηλεπικοινωνιακές υποδομές, όπου η υψηλή αξιοπιστία και η αποτελεσματική μετατροπή ενέργειας είναι κρίσιμες, οι πλακέτες SiC χρησιμοποιούνται σε τροφοδοτικά και μετατροπείς DC-DC. Οι συσκευές SiC βοηθούν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και στη βελτίωση της απόδοσης του συστήματος σε κέντρα δεδομένων και δίκτυα επικοινωνιών.
Παρέχοντας μια ισχυρή βάση για εφαρμογές υψηλής ισχύος, η πλακέτα HPSI SiC επιτρέπει την ανάπτυξη ενεργειακά αποδοτικών συσκευών, βοηθώντας τις βιομηχανίες να μεταβούν σε πιο οικολογικές και βιώσιμες λύσεις.
Σκηνικά θέατρου
| ιδιοκτησία | Βαθμός παραγωγής | Βαθμός Έρευνας | Ψευδοβαθμολογία |
| Διάμετρος | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Πάχος | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Προσανατολισμός πλακιδίων | Στον άξονα: <0001> ± 0,5° | Στον άξονα: <0001> ± 2,0° | Στον άξονα: <0001> ± 2,0° |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων για το 95% των πλακιδίων (MPD) | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Ηλεκτρική αντίσταση | ≥ 1E7 Ω·cm | ≥ 1E6 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm |
| Προσμίκτης | Χωρίς ντοπαρίσματα | Χωρίς ντοπαρίσματα | Χωρίς ντοπαρίσματα |
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Κύριο επίπεδο μήκος | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Δευτερεύον επίπεδο μήκος | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός | Si με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από το πρωτεύον επίπεδο ± 5,0° | Si με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από το πρωτεύον επίπεδο ± 5,0° | Si με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από το πρωτεύον επίπεδο ± 5,0° |
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | 3 χιλιοστά | 3 χιλιοστά |
| LTV/TTV/Τόξο/Στημόνι | 3 μm / 10 μm / ± 30 μm / 40 μm | 3 μm / 10 μm / ± 30 μm / 40 μm | 5 μm / 15 μm / ±40 μm / 45 μm |
| Τραχύτητα επιφάνειας | C-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Si-πρόσωπο: CMP | C-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Si-πρόσωπο: CMP | C-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Si-πρόσωπο: CMP |
| Ρωγμές (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | Κανένας | Κανένας | Κανένας |
| Εξαγωνικές πλάκες (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | Κανένας | Κανένας | Συνολική έκταση 10% |
| Περιοχές πολυτύπου (επιθεωρούμενες με φως υψηλής έντασης) | Συνολική έκταση 5% | Συνολική έκταση 5% | Συνολική έκταση 10% |
| Γρατζουνιές (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | ≤ 5 γρατσουνιές, συνολικό μήκος ≤ 150 mm | ≤ 10 γρατσουνιές, συνολικό μήκος ≤ 200 mm | ≤ 10 γρατσουνιές, συνολικό μήκος ≤ 200 mm |
| Αποκοπή άκρων | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥ 0,5 mm | Επιτρέπονται 2, πλάτος και βάθος ≤ 1 mm | Επιτρέπονται 5, πλάτος και βάθος ≤ 5 mm |
| Επιφανειακή μόλυνση (επιθεώρηση με φως υψηλής έντασης) | Κανένας | Κανένας | Κανένας |
Βασικά πλεονεκτήματα
Ανώτερη θερμική απόδοση: Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα του SiC εξασφαλίζει αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας στις συσκευές ισχύος, επιτρέποντάς τους να λειτουργούν σε υψηλότερα επίπεδα ισχύος και συχνότητες χωρίς υπερθέρμανση. Αυτό μεταφράζεται σε μικρότερα, πιο αποδοτικά συστήματα και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής.
Υψηλή τάση διάσπασης: Με μεγαλύτερο ενεργειακό χάσμα σε σύγκριση με το πυρίτιο, οι πλακέτες SiC υποστηρίζουν εφαρμογές υψηλής τάσης, καθιστώντας τες ιδανικές για ηλεκτρονικά εξαρτήματα ισχύος που πρέπει να αντέχουν σε υψηλές τάσεις διάσπασης, όπως σε ηλεκτρικά οχήματα, συστήματα δικτύου ηλεκτρικής ενέργειας και συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.
Μειωμένη απώλεια ισχύος: Η χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης και οι υψηλές ταχύτητες μεταγωγής των συσκευών SiC έχουν ως αποτέλεσμα μειωμένη απώλεια ενέργειας κατά τη λειτουργία. Αυτό όχι μόνο βελτιώνει την απόδοση αλλά και ενισχύει τη συνολική εξοικονόμηση ενέργειας των συστημάτων στα οποία αναπτύσσονται.
Βελτιωμένη αξιοπιστία σε αντίξοα περιβάλλοντα: Οι ανθεκτικές ιδιότητες του υλικού SiC του επιτρέπουν να λειτουργεί σε ακραίες συνθήκες, όπως υψηλές θερμοκρασίες (έως 600°C), υψηλές τάσεις και υψηλές συχνότητες. Αυτό καθιστά τις πλακέτες SiC κατάλληλες για απαιτητικές βιομηχανικές, αυτοκινητιστικές και ενεργειακές εφαρμογές.
Ενεργειακή Απόδοση: Οι συσκευές SiC προσφέρουν υψηλότερη πυκνότητα ισχύος από τις παραδοσιακές συσκευές που βασίζονται στο πυρίτιο, μειώνοντας το μέγεθος και το βάρος των ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος, βελτιώνοντας παράλληλα τη συνολική τους απόδοση. Αυτό οδηγεί σε εξοικονόμηση κόστους και μικρότερο περιβαλλοντικό αποτύπωμα σε εφαρμογές όπως οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας και τα ηλεκτρικά οχήματα.
Επεκτασιμότητα: Η διάμετρος 3 ιντσών και οι ακριβείς ανοχές κατασκευής του πλακιδίου HPSI SiC διασφαλίζουν ότι είναι επεκτάσιμο για μαζική παραγωγή, καλύπτοντας τόσο τις ερευνητικές όσο και τις εμπορικές απαιτήσεις κατασκευής.
Σύναψη
Η πλακέτα HPSI SiC, με διάμετρο 3 ιντσών και πάχος 350 µm ± 25 µm, είναι το βέλτιστο υλικό για την επόμενη γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος υψηλής απόδοσης. Ο μοναδικός συνδυασμός θερμικής αγωγιμότητας, υψηλής τάσης διάσπασης, χαμηλής απώλειας ενέργειας και αξιοπιστίας υπό ακραίες συνθήκες την καθιστά απαραίτητο εξάρτημα για διάφορες εφαρμογές στη μετατροπή ενέργειας, τις ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, τα ηλεκτρικά οχήματα, τα βιομηχανικά συστήματα και τις τηλεπικοινωνίες.
Αυτή η πλακέτα SiC είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για βιομηχανίες που επιδιώκουν να επιτύχουν υψηλότερη απόδοση, μεγαλύτερη εξοικονόμηση ενέργειας και βελτιωμένη αξιοπιστία συστήματος. Καθώς η τεχνολογία ηλεκτρονικών ισχύος συνεχίζει να εξελίσσεται, η πλακέτα HPSI SiC παρέχει τη βάση για την ανάπτυξη ενεργειακά αποδοτικών λύσεων επόμενης γενιάς, οδηγώντας τη μετάβαση σε ένα πιο βιώσιμο μέλλον χαμηλών εκπομπών άνθρακα.
Λεπτομερές Διάγραμμα
