4H-N 8 ιντσών SiC γκοφρέτα υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου Dummy Research βαθμού πάχους 500um

Σύντομη Περιγραφή:

Οι πλακέτες καρβιδίου του πυριτίου χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικές συσκευές όπως διόδους ισχύος, MOSFET, συσκευές μικροκυμάτων υψηλής ισχύος και τρανζίστορ RF, επιτρέποντας την αποτελεσματική μετατροπή ενέργειας και διαχείριση ισχύος. Οι πλακέτες και τα υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται επίσης σε ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, αεροδιαστημικά συστήματα και τεχνολογίες ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.


Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Πώς επιλέγετε πλακίδια καρβιδίου πυριτίου και υποστρώματα SiC;

Όταν επιλέγετε πλακίδια και υποστρώματα από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), υπάρχουν διάφοροι παράγοντες που πρέπει να λάβετε υπόψη. Ακολουθούν ορισμένα σημαντικά κριτήρια:

Τύπος υλικού: Προσδιορίστε τον τύπο υλικού SiC που ταιριάζει στην εφαρμογή σας, όπως 4H-SiC ή 6H-SiC. Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη κρυσταλλική δομή είναι το 4H-SiC.

Τύπος πρόσμιξης: Αποφασίστε εάν χρειάζεστε ένα υπόστρωμα SiC με ή χωρίς πρόσμιξη. Οι συνήθεις τύποι πρόσμιξης είναι ο τύπος N (n-πρόσμιξη) ή ο τύπος P (p-πρόσμιξη), ανάλογα με τις συγκεκριμένες απαιτήσεις σας.

Ποιότητα κρυστάλλων: Αξιολογήστε την ποιότητα των κρυστάλλων των πλακιδίων ή των υποστρωμάτων SiC. Η επιθυμητή ποιότητα καθορίζεται από παραμέτρους όπως ο αριθμός των ελαττωμάτων, ο κρυσταλλογραφικός προσανατολισμός και η τραχύτητα της επιφάνειας.

Διάμετρος πλακιδίου: Επιλέξτε το κατάλληλο μέγεθος πλακιδίου με βάση την εφαρμογή σας. Τα συνηθισμένα μεγέθη περιλαμβάνουν 2 ίντσες, 3 ίντσες, 4 ίντσες και 6 ίντσες. Όσο μεγαλύτερη είναι η διάμετρος, τόσο μεγαλύτερη απόδοση μπορείτε να επιτύχετε ανά πλακίδιο.

Πάχος: Λάβετε υπόψη το επιθυμητό πάχος των πλακιδίων ή των υποστρωμάτων SiC. Οι τυπικές επιλογές πάχους κυμαίνονται από μερικά μικρόμετρα έως αρκετές εκατοντάδες μικρόμετρα.

Προσανατολισμός: Προσδιορίστε τον κρυσταλλογραφικό προσανατολισμό που ευθυγραμμίζεται με τις απαιτήσεις της εφαρμογής σας. Συνήθεις προσανατολισμοί περιλαμβάνουν το (0001) για το 4H-SiC και το (0001) ή το (0001̅) για το 6H-SiC.

Φινίρισμα επιφάνειας: Αξιολογήστε το φινίρισμα της επιφάνειας των πλακιδίων ή των υποστρωμάτων SiC. Η επιφάνεια πρέπει να είναι λεία, γυαλισμένη και απαλλαγμένη από γρατσουνιές ή ρύπους.

Φήμη Προμηθευτή: Επιλέξτε έναν αξιόπιστο προμηθευτή με εκτεταμένη εμπειρία στην παραγωγή πλακιδίων και υποστρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας. Λάβετε υπόψη παράγοντες όπως οι δυνατότητες κατασκευής, ο ποιοτικός έλεγχος και οι κριτικές πελατών.

Κόστος: Λάβετε υπόψη τις επιπτώσεις στο κόστος, συμπεριλαμβανομένης της τιμής ανά πλακίδιο ή υπόστρωμα και τυχόν πρόσθετων εξόδων προσαρμογής.

Είναι σημαντικό να αξιολογήσετε προσεκτικά αυτούς τους παράγοντες και να συμβουλευτείτε ειδικούς του κλάδου ή προμηθευτές για να διασφαλίσετε ότι οι επιλεγμένες πλακέτες και υποστρώματα SiC πληρούν τις συγκεκριμένες απαιτήσεις της εφαρμογής σας.

Λεπτομερές Διάγραμμα

4H-N 8 ιντσών γκοφρέτα υποστρώματος SiC, ομοιόμορφη ερευνητική ποιότητα καρβιδίου του πυριτίου, πάχος 500um (1)
4H-N 8 ιντσών γκοφρέτα υποστρώματος SiC, ομοιόμορφη ερευνητική ποιότητα καρβιδίου του πυριτίου, πάχος 500um (2)
4H-N 8 ιντσών γκοφρέτα υποστρώματος SiC, ομοιόμορφη ερευνητική ποιότητα καρβιδίου του πυριτίου, πάχος 500um (3)
4H-N 8 ιντσών γκοφρέτα υποστρώματος SiC, ομοιόμορφη ερευνητική ποιότητα καρβιδίου του πυριτίου, πάχος 500um (4)

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς