6 σε καρβίδιο πυριτίου 4H-SiC ημιμονωτικό πλινθίο, εικονικής ποιότητας

Ημιμονωτική ράβδο 6 σε καρβίδιο πυριτίου 4H-SiC, Προτεινόμενη εικόνα εικονικής ποιότητας

Σύντομη περιγραφή:

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) φέρνει επανάσταση στη βιομηχανία ημιαγωγών, ιδιαίτερα σε εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και ανθεκτικές στην ακτινοβολία. Η ημιμονωτική ράβδος 4H-SiC 6 ιντσών, που προσφέρεται σε εικονική ποιότητα, είναι ένα απαραίτητο υλικό για τη δημιουργία πρωτοτύπων, την έρευνα και τις διαδικασίες βαθμονόμησης. Με μεγάλο διάκενο ζώνης, εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και μηχανική στιβαρότητα, αυτή η ράβδος χρησιμεύει ως μια οικονομικά αποδοτική επιλογή για δοκιμές και βελτιστοποίηση διεργασιών χωρίς να διακυβεύεται η θεμελιώδης ποιότητα που απαιτείται για προηγμένη ανάπτυξη. Αυτό το προϊόν εξυπηρετεί μια ποικιλία εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων των ηλεκτρονικών ισχύος, των συσκευών ραδιοσυχνοτήτων (RF) και της οπτοηλεκτρονικής, καθιστώντας το ένα ανεκτίμητο εργαλείο για τη βιομηχανία και τα ερευνητικά ιδρύματα.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σκηνικά θέατρου

1. Φυσικές και Δομικές Ιδιότητες
●Τύπος υλικού: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
●Πολύτυπος: 4H-SiC, εξαγωνική κρυσταλλική δομή
●Διάμετρος: 6 ίντσες (150 mm)
●Πάχος: Ρυθμιζόμενο (5-15 mm τυπικό για εικονική κατηγορία)
●Προσανατολισμός κρυστάλλου:
o Πρωτεύον: [0001] (C-plane)
o Δευτερεύουσες επιλογές: Εκτός άξονα 4° για βελτιστοποιημένη επιταξιακή ανάπτυξη
●Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός: (10-10) ± 5°
●Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός: 90° αριστερόστροφα από το πρωτεύον επίπεδο ± 5°

2. Ηλεκτρικές Ιδιότητες
● Αντίσταση:
o Ημιμονωτικό (>106^66 Ω·cm), ιδανικό για την ελαχιστοποίηση της παρασιτικής χωρητικότητας.
●Τύπος Ντόπινγκ:
o Ακούσια ντόπινγκ, με αποτέλεσμα υψηλή ηλεκτρική αντίσταση και σταθερότητα κάτω από μια σειρά συνθηκών λειτουργίας.

3. Θερμικές ιδιότητες
●Θερμική αγωγιμότητα: 3,5-4,9 W/cm·K, επιτρέποντας την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας σε συστήματα υψηλής ισχύος.
●Συντελεστής θερμικής διαστολής: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, εξασφαλίζοντας σταθερότητα διαστάσεων κατά την επεξεργασία σε υψηλή θερμοκρασία.

4. Οπτικές ιδιότητες
●Bandgap: Ευρύ διάκενο ζώνης 3,26 eV, που επιτρέπει τη λειτουργία κάτω από υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες.
●Διαφάνεια: Υψηλή διαφάνεια σε UV και ορατά μήκη κύματος, χρήσιμο για οπτοηλεκτρονικές δοκιμές.

5. Μηχανικές ιδιότητες
●Σκληρότητα: Κλίμακα Mohs 9, δεύτερη μετά το διαμάντι, εξασφαλίζοντας ανθεκτικότητα κατά την επεξεργασία.
●Πυκνότητα ελαττώματος:
o Ελεγχόμενη για ελάχιστα ελαττώματα macro, εξασφαλίζοντας επαρκή ποιότητα για εικονικές εφαρμογές.
●Επιπεδότητα: Ομοιομορφία με αποκλίσεις

Παράμετρος	Καθέκαστα	Μονάδα
Βαθμός	Ομοίωμα Βαθμού
Διάμετρος	150,0 ± 0,5	mm
Προσανατολισμός γκοφρέτας	Επί άξονα: <0001> ± 0,5°	βαθμός
Ηλεκτρική αντίσταση	> 1Ε5	Ω·εκ
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	{10-10} ± 5,0°	βαθμός
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	Εγκοπή
Ρωγμές (Επιθεώρηση φωτός υψηλής έντασης)	< 3 mm σε ακτινωτό	mm
Εξαγωνικές πλάκες (Επιθεώρηση φωτός υψηλής έντασης)	Σωρευτική επιφάνεια ≤ 5%	%
Περιοχές πολυτύπου (Επιθεώρηση φωτός υψηλής έντασης)	Σωρευτική επιφάνεια ≤ 10%	%
Πυκνότητα μικροσωλήνων	< 50	cm−2^-2−2
Σκίσιμο άκρων	Επιτρέπονται 3, το καθένα ≤ 3 mm	mm
Σημείωμα	Το πάχος της γκοφρέτας κοπής < 1 mm, > 70% (εξαιρουμένων των δύο άκρων) πληροί τις παραπάνω απαιτήσεις

Εφαρμογές

1. Πρωτοτυποποίηση και Έρευνα
Το εικονικό πλινθίο 4H-SiC 6 ιντσών είναι ένα ιδανικό υλικό για πρωτότυπα και έρευνα, επιτρέποντας στους κατασκευαστές και στα εργαστήρια να:
●Δοκιμάστε τις παραμέτρους της διαδικασίας σε χημική εναπόθεση ατμών (CVD) ή φυσική εναπόθεση ατμών (PVD).
●Αναπτύξτε και βελτιώστε τις τεχνικές χάραξης, στίλβωσης και τεμαχισμού γκοφρέτας.
●Εξερευνήστε νέα σχέδια συσκευών πριν από τη μετάβαση σε υλικό ποιότητας παραγωγής.

2. Βαθμονόμηση και δοκιμή συσκευής
Οι ημιμονωτικές ιδιότητες καθιστούν αυτό το πλινθίο ανεκτίμητο για:
●Αξιολόγηση και βαθμονόμηση των ηλεκτρικών ιδιοτήτων συσκευών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
●Προομοίωση συνθηκών λειτουργίας για MOSFET, IGBT ή διόδους σε περιβάλλοντα δοκιμής.
●Λειτουργεί ως οικονομικό υποκατάστατο για υποστρώματα υψηλής καθαρότητας κατά τη διάρκεια της πρώιμης ανάπτυξης.

3. Ηλεκτρονικά Ισχύος
Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και τα χαρακτηριστικά μεγάλου χάσματος ζώνης του 4H-SiC επιτρέπουν την αποτελεσματική λειτουργία στα ηλεκτρονικά ισχύος, συμπεριλαμβανομένων:
●Τροφοδοτικά υψηλής τάσης.
●Μετατροπείς ηλεκτρικών οχημάτων (EV).
●Συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, όπως ηλιακοί μετατροπείς και ανεμογεννήτριες.

4. Εφαρμογές Ραδιοσυχνοτήτων (RF).
Οι χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες και η υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων του 4H-SiC το καθιστούν κατάλληλο για:
●Ενισχυτές και τρανζίστορ RF σε υποδομές επικοινωνιών.
●Συστήματα ραντάρ υψηλής συχνότητας για εφαρμογές αεροδιαστημικής και άμυνας.
●Στοιχεία ασύρματου δικτύου για αναδυόμενες τεχνολογίες 5G.

5. Συσκευές ανθεκτικές στην ακτινοβολία
Λόγω της εγγενούς αντοχής του σε ελαττώματα που προκαλούνται από την ακτινοβολία, το ημιμονωτικό 4H-SiC είναι ιδανικό για:
●Εξοπλισμός εξερεύνησης του διαστήματος, συμπεριλαμβανομένων δορυφορικών ηλεκτρονικών και συστημάτων ισχύος.
●Ηλεκτρονικά σκληρυμένα με ακτινοβολία για πυρηνική παρακολούθηση και έλεγχο.
●Αμυντικές εφαρμογές που απαιτούν στιβαρότητα σε ακραία περιβάλλοντα.

6. Οπτοηλεκτρονική
Η οπτική διαφάνεια και το μεγάλο διάκενο ζώνης του 4H-SiC επιτρέπουν τη χρήση του σε:
●Φωτοανιχνευτές UV και LED υψηλής ισχύος.
●Δοκιμή οπτικών επιστρώσεων και επεξεργασιών επιφανειών.
●Δημιουργία πρωτοτύπων οπτικών εξαρτημάτων για προηγμένους αισθητήρες.

Πλεονεκτήματα του Dummy-Grade Υλικού

Αποδοτικότητα κόστους:
Ο εικονικός βαθμός είναι μια πιο προσιτή εναλλακτική λύση για τα υλικά έρευνας ή παραγωγής, καθιστώντας την ιδανική για συνήθεις δοκιμές και τελειοποίηση διαδικασίας.

Προσαρμογή:
Οι διαμορφώσιμες διαστάσεις και οι προσανατολισμοί των κρυστάλλων εξασφαλίζουν συμβατότητα με ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών.

Επεκτασιμότητα:
Η διάμετρος 6 ιντσών ευθυγραμμίζεται με τα βιομηχανικά πρότυπα, επιτρέποντας την απρόσκοπτη κλιμάκωση σε διαδικασίες παραγωγής.

Ευρωστία:
Η υψηλή μηχανική αντοχή και η θερμική σταθερότητα καθιστούν τη ράβδο ανθεκτική και αξιόπιστη κάτω από ποικίλες πειραματικές συνθήκες.

Ευστροφία:
Κατάλληλο για πολλαπλές βιομηχανίες, από ενεργειακά συστήματα έως επικοινωνίες και οπτοηλεκτρονική.

Σύναψη

Η ημιμονωτική ράβδος καρβιδίου πυριτίου (4H-SiC) 6 ιντσών, εικονικής ποιότητας, προσφέρει μια αξιόπιστη και ευέλικτη πλατφόρμα για έρευνα, δημιουργία πρωτοτύπων και δοκιμές σε τομείς τεχνολογίας αιχμής. Οι εξαιρετικές θερμικές, ηλεκτρικές και μηχανικές ιδιότητές του, σε συνδυασμό με την προσιτή τιμή και την εξατομίκευση, το καθιστούν απαραίτητο υλικό τόσο για τον ακαδημαϊκό κόσμο όσο και για τη βιομηχανία. Από τα ηλεκτρονικά ισχύος έως τα συστήματα ραδιοσυχνοτήτων και τις συσκευές που σκληρύνονται από την ακτινοβολία, αυτό το πλινθίο υποστηρίζει την καινοτομία σε κάθε στάδιο ανάπτυξης.
Για πιο λεπτομερείς προδιαγραφές ή για να ζητήσετε προσφορά, επικοινωνήστε απευθείας μαζί μας. Η τεχνική μας ομάδα είναι έτοιμη να σας βοηθήσει με εξατομικευμένες λύσεις που ανταποκρίνονται στις απαιτήσεις σας.