Ημιμονωτικό πλινθώμα καρβιδίου πυριτίου 4H-SiC 6 ιντσών, εικονικής ποιότητας

Σύντομη Περιγραφή:

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) φέρνει επανάσταση στη βιομηχανία ημιαγωγών, ιδιαίτερα σε εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και αντοχής στην ακτινοβολία. Το ημιμονωτικό έλασμα 4H-SiC 6 ιντσών, που προσφέρεται σε μορφή εικονικής πλαστικής, είναι ένα απαραίτητο υλικό για διαδικασίες πρωτοτύπων, έρευνας και βαθμονόμησης. Με μεγάλο ενεργειακό χάσμα, εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και μηχανική ανθεκτικότητα, αυτό το έλασμα χρησιμεύει ως μια οικονομικά αποδοτική επιλογή για δοκιμές και βελτιστοποίηση διεργασιών χωρίς να διακυβεύεται η θεμελιώδης ποιότητα που απαιτείται για προηγμένη ανάπτυξη. Αυτό το προϊόν εξυπηρετεί μια ποικιλία εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων των ηλεκτρονικών ισχύος, των συσκευών ραδιοσυχνοτήτων (RF) και της οπτοηλεκτρονικής, καθιστώντας το ένα ανεκτίμητο εργαλείο για τη βιομηχανία και τα ερευνητικά ιδρύματα.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Σκηνικά θέατρου

1. Φυσικές και Δομικές Ιδιότητες
● Τύπος υλικού: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
●Πολύτυπος: 4H-SiC, εξαγωνική κρυσταλλική δομή
●Διάμετρος: 6 ίντσες (150 mm)
● Πάχος: Διαμορφώσιμο (5-15 mm τυπικό για εικονική ποιότητα)
● Προσανατολισμός κρυστάλλου:
oΠρωτεύον: [0001] (C-επίπεδο)
Δευτερεύουσες επιλογές: Εκτός άξονα 4° για βελτιστοποιημένη επιταξιακή ανάπτυξη
●Κύριος επίπεδος προσανατολισμός: (10-10) ± 5°
● Προσανατολισμός δευτερεύοντος επίπεδου: 90° αριστερόστροφα από το κύριο επίπεδο ± 5°

2. Ηλεκτρικές Ιδιότητες
●Αντίσταση:
Ημιμονωτικό (>106^66 Ω·cm), ιδανικό για την ελαχιστοποίηση της παρασιτικής χωρητικότητας.
●Τύπος ντόπινγκ:
oΑκούσια πρόσμιξη, με αποτέλεσμα υψηλή ηλεκτρική αντίσταση και σταθερότητα υπό ένα εύρος συνθηκών λειτουργίας.

3. Θερμικές Ιδιότητες
●Θερμική αγωγιμότητα: 3,5-4,9 W/cm·K, επιτρέποντας την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας σε συστήματα υψηλής ισχύος.
● Συντελεστής θερμικής διαστολής: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, εξασφαλίζοντας σταθερότητα διαστάσεων κατά την επεξεργασία σε υψηλή θερμοκρασία.

4. Οπτικές Ιδιότητες
●Εύρος ζώνης: Ευρύ ενεργειακό χάσμα 3,26 eV, που επιτρέπει τη λειτουργία υπό υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες.
●Διαφάνεια: Υψηλή διαφάνεια σε υπεριώδη και ορατά μήκη κύματος, χρήσιμη για οπτοηλεκτρονικές δοκιμές.

5. Μηχανικές Ιδιότητες
●Σκληρότητα: Κλίμακα Mohs 9, δεύτερη μόνο μετά το διαμάντι, εξασφαλίζοντας ανθεκτικότητα κατά την επεξεργασία.
●Πυκνότητα ελαττωμάτων:
oΕλέγχεται για ελάχιστα μακροσκοπικά ελαττώματα, εξασφαλίζοντας επαρκή ποιότητα για εφαρμογές εικονικής ποιότητας.
●Επιπεδότητα: Ομοιομορφία με αποκλίσεις

Παράμετρος	Καθέκαστα	Μονάδα
Βαθμός	Ψευδοβαθμολογία
Διάμετρος	150,0 ± 0,5	mm
Προσανατολισμός πλακιδίων	Επί άξονα: <0001> ± 0,5°	βαθμός
Ηλεκτρική αντίσταση	> 1Ε5	Ω·cm
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός	{10-10} ± 5,0°	βαθμός
Κύριο επίπεδο μήκος	Εγκοπή
Ρωγμές (Επιθεώρηση με φως υψηλής έντασης)	< 3 mm σε ακτινική	mm
Εξαγωνικές πλάκες (Επιθεώρηση φωτός υψηλής έντασης)	Συνολική επιφάνεια ≤ 5%	%
Περιοχές πολυτυπίας (Επιθεώρηση φωτός υψηλής έντασης)	Συνολική επιφάνεια ≤ 10%	%
Πυκνότητα μικροσωλήνων	< 50	cm−2^-2−2
Αποκοπή άκρων	Επιτρέπονται 3, το καθένα ≤ 3 mm	mm
Σημείωμα	Πάχος γκοφρέτας τεμαχισμού < 1 mm, > 70% (εξαιρουμένων των δύο άκρων) πληροί τις παραπάνω απαιτήσεις

Εφαρμογές

1. Πρωτότυπα και Έρευνα
Το πλινθίο 4H-SiC 6 ιντσών, ποιότητας-ομοιώματος, είναι ένα ιδανικό υλικό για την κατασκευή πρωτοτύπων και την έρευνα, επιτρέποντας στους κατασκευαστές και τα εργαστήρια να:
●Δοκιμή παραμέτρων διεργασίας σε Χημική Εναπόθεση Ατμών (CVD) ή Φυσική Εναπόθεση Ατμών (PVD).
●Ανάπτυξη και βελτίωση τεχνικών χάραξης, στίλβωσης και κοπής πλακιδίων.
●Εξερευνήστε νέα σχέδια συσκευών πριν από τη μετάβαση σε υλικά παραγωγικής ποιότητας.

2. Βαθμονόμηση και δοκιμή συσκευής
Οι ημιμονωτικές ιδιότητες καθιστούν αυτό το πλινθώμα ανεκτίμητο για:
●Αξιολόγηση και βαθμονόμηση των ηλεκτρικών ιδιοτήτων συσκευών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
●Προσομοίωση λειτουργικών συνθηκών για MOSFET, IGBT ή διόδους σε περιβάλλοντα δοκιμών.
●Χρησιμεύει ως οικονομικά αποδοτικό υποκατάστατο υποστρωμάτων υψηλής καθαρότητας κατά τα αρχικά στάδια ανάπτυξης.

3. Ηλεκτρονικά Ισχύος
Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και τα χαρακτηριστικά μεγάλου ενεργειακού χάσματος του 4H-SiC επιτρέπουν την αποτελεσματική λειτουργία σε ηλεκτρονικά ισχύος, όπως:
● Τροφοδοτικά υψηλής τάσης.
●Αντιστροφείς ηλεκτρικών οχημάτων (EV).
●Συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, όπως ηλιακοί μετατροπείς και ανεμογεννήτριες.

4. Εφαρμογές Ραδιοσυχνοτήτων (RF)
Οι χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες και η υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων του 4H-SiC το καθιστούν κατάλληλο για:
●Ενισχυτές και τρανζίστορ RF σε υποδομές επικοινωνιών.
●Συστήματα ραντάρ υψηλής συχνότητας για αεροδιαστημικές και αμυντικές εφαρμογές.
●Στοιχεία ασύρματου δικτύου για αναδυόμενες τεχνολογίες 5G.

5. Συσκευές ανθεκτικές στην ακτινοβολία
Λόγω της εγγενούς αντοχής του σε ελαττώματα που προκαλούνται από ακτινοβολία, το ημιμονωτικό 4H-SiC είναι ιδανικό για:
●Εξοπλισμός εξερεύνησης του διαστήματος, συμπεριλαμβανομένων των ηλεκτρονικών και των συστημάτων ισχύος δορυφόρων.
●Ηλεκτρονικά συστήματα ανθεκτικά στην ακτινοβολία για πυρηνική παρακολούθηση και έλεγχο.
●Εφαρμογές άμυνας που απαιτούν ανθεκτικότητα σε ακραία περιβάλλοντα.

6. Οπτοηλεκτρονική
Η οπτική διαφάνεια και το ευρύ ενεργειακό χάσμα του 4H-SiC επιτρέπουν τη χρήση του σε:
●Φωτοανιχνευτές UV και LED υψηλής ισχύος.
●Δοκιμή οπτικών επιστρώσεων και επιφανειακών επεξεργασιών.
● Δημιουργία πρωτοτύπων οπτικών εξαρτημάτων για προηγμένους αισθητήρες.

Πλεονεκτήματα του υλικού ανδρεικέλου

Αποδοτικότητα κόστους:
Η εικονική ποιότητα είναι μια πιο προσιτή εναλλακτική λύση σε σχέση με τα υλικά έρευνας ή παραγωγής, καθιστώντας την ιδανική για δοκιμές ρουτίνας και βελτίωση των διαδικασιών.

Προσαρμοστικότητα:
Οι διαμορφώσιμες διαστάσεις και οι προσανατολισμοί των κρυστάλλων εξασφαλίζουν συμβατότητα με ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών.

Επεκτασιμότητα:
Η διάμετρος 6 ιντσών ευθυγραμμίζεται με τα βιομηχανικά πρότυπα, επιτρέποντας την απρόσκοπτη κλιμάκωση σε διαδικασίες παραγωγικού επιπέδου.

Ευρωστία:
Η υψηλή μηχανική αντοχή και η θερμική σταθερότητα καθιστούν το πλινθώμα ανθεκτικό και αξιόπιστο υπό ποικίλες πειραματικές συνθήκες.

Ευστροφία:
Κατάλληλο για πολλαπλές βιομηχανίες, από ενεργειακά συστήματα έως επικοινωνίες και οπτοηλεκτρονική.

Σύναψη

Το ημιμονωτικό έλασμα καρβιδίου του πυριτίου (4H-SiC) 6 ιντσών, τύπου εικονικής, προσφέρει μια αξιόπιστη και ευέλικτη πλατφόρμα για έρευνα, δημιουργία πρωτοτύπων και δοκιμές σε τομείς τεχνολογίας αιχμής. Οι εξαιρετικές θερμικές, ηλεκτρικές και μηχανικές του ιδιότητες, σε συνδυασμό με την προσιτή τιμή και την προσαρμοστικότητα, το καθιστούν απαραίτητο υλικό τόσο για τον ακαδημαϊκό χώρο όσο και για τη βιομηχανία. Από τα ηλεκτρονικά ισχύος έως τα συστήματα RF και τις συσκευές που είναι ανθεκτικές στην ακτινοβολία, αυτό το έλασμα υποστηρίζει την καινοτομία σε κάθε στάδιο ανάπτυξης.
Για πιο λεπτομερείς προδιαγραφές ή για να ζητήσετε προσφορά, επικοινωνήστε απευθείας μαζί μας. Η τεχνική μας ομάδα είναι έτοιμη να σας βοηθήσει με εξατομικευμένες λύσεις που θα καλύψουν τις απαιτήσεις σας.