Αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC Διάμετρος 150mm Τύπος P Τύπος N

Σύντομη Περιγραφή:

Το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC αντιπροσωπεύει μια καινοτόμο λύση υλικού καρβιδίου του πυριτίου (SiC) σχεδιασμένη για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας. Αυτό το υπόστρωμα διαθέτει ένα μονοκρυσταλλικό ενεργό στρώμα SiC συνδεδεμένο σε μια πολυκρυσταλλική βάση SiC μέσω εξειδικευμένων διεργασιών, συνδυάζοντας τις ανώτερες ηλεκτρικές ιδιότητες του μονοκρυσταλλικού SiC με τα πλεονεκτήματα κόστους του πολυκρυσταλλικού SiC.
Σε σύγκριση με τα συμβατικά πλήρως μονοκρυσταλλικά υποστρώματα SiC, το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC διατηρεί υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και αντίσταση υψηλής τάσης, μειώνοντας σημαντικά το κόστος κατασκευής. Το μέγεθος του πλακιδίου 6 ιντσών (150 mm) εξασφαλίζει συμβατότητα με τις υπάρχουσες γραμμές παραγωγής ημιαγωγών, επιτρέποντας την κλιμακωτή κατασκευή. Επιπλέον, ο αγώγιμος σχεδιασμός επιτρέπει την άμεση χρήση στην κατασκευή συσκευών ισχύος (π.χ., MOSFET, διόδους), εξαλείφοντας την ανάγκη για πρόσθετες διαδικασίες πρόσμιξης και απλοποιώντας τις ροές εργασίας παραγωγής.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τεχνικές παράμετροι

Μέγεθος:	6 ίντσα
Διάμετρος:	150 χιλ.
Πάχος:	400-500 μm
Παράμετροι μονοκρυσταλλικής μεμβράνης SiC
Πολυτυπία:	4H-SiC ή 6H-SiC
Συγκέντρωση ντόπινγκ:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Πάχος:	5-20 μm
Αντίσταση φύλλου:	10-1000 Ω/τετρ.
Κινητικότητα Ηλεκτρονίων:	800-1200 cm²/Vs
Κινητικότητα οπών:	100-300 cm²/Vs
Παράμετροι πολυκρυσταλλικού στρώματος ρυθμιστικού SiC
Πάχος:	50-300 μm
Θερμική αγωγιμότητα:	150-300 W/m·K
Παράμετροι μονοκρυσταλλικού υποστρώματος SiC
Πολυτυπία:	4H-SiC ή 6H-SiC
Συγκέντρωση ντόπινγκ:	1×10¹⁴ - 1×10¹⁸ cm⁻³
Πάχος:	300-500 μm
Μέγεθος κόκκων:	> 1 χιλ.
Τραχύτητα επιφάνειας:	< 0,3 mm RMS
Μηχανικές και Ηλεκτρικές Ιδιότητες
Σκληρότητα:	9-10 Mohs
Αντοχή σε θλίψη:	3-4 GPA
Αντοχή σε εφελκυσμό:	0,3-0,5 GPa
Ένταση πεδίου διάσπασης:	> 2 MV/cm
Συνολική ανοχή δόσης:	> 10 Mrad
Αντίσταση σε φαινόμενο μεμονωμένου συμβάντος:	> 100 MeV·cm²/mg
Θερμική αγωγιμότητα:	150-380 W/m·K
Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας:	-55 έως 600°C

Βασικά Χαρακτηριστικά

Το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC προσφέρει μια μοναδική ισορροπία δομής υλικού και απόδοσης, καθιστώντας το κατάλληλο για απαιτητικά βιομηχανικά περιβάλλοντα:

1. Σχέση κόστους-αποτελεσματικότητας: Η πολυκρυσταλλική βάση SiC μειώνει σημαντικά το κόστος σε σύγκριση με το πλήρως μονοκρυσταλλικό SiC, ενώ το μονοκρυσταλλικό ενεργό στρώμα SiC εξασφαλίζει απόδοση επιπέδου συσκευής, ιδανική για εφαρμογές που είναι ευαίσθητες στο κόστος.

2. Εξαιρετικές Ηλεκτρικές Ιδιότητες: Το μονοκρυσταλλικό στρώμα SiC παρουσιάζει υψηλή κινητικότητα φορέων (>500 cm²/V·s) και χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων, υποστηρίζοντας τη λειτουργία συσκευών υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος.

3. Σταθερότητα σε Υψηλή Θερμοκρασία: Η εγγενής αντοχή του SiC σε υψηλή θερμοκρασία (>600°C) διασφαλίζει ότι το σύνθετο υπόστρωμα παραμένει σταθερό υπό ακραίες συνθήκες, καθιστώντας το κατάλληλο για ηλεκτρικά οχήματα και εφαρμογές βιομηχανικών κινητήρων.

Τυποποιημένο μέγεθος πλακέτας 4,6 ιντσών: Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υποστρώματα SiC 4 ιντσών, η μορφή 6 ιντσών αυξάνει την απόδοση των τσιπ κατά πάνω από 30%, μειώνοντας το κόστος ανά μονάδα συσκευής.

5. Αγωγιμότητα Σχεδιασμός: Τα προ-ντοπαρισμένα στρώματα τύπου Ν ή τύπου Ρ ελαχιστοποιούν τα βήματα εμφύτευσης ιόντων στην κατασκευή της συσκευής, βελτιώνοντας την αποδοτικότητα και την απόδοση της παραγωγής.

6. Ανώτερη Θερμική Διαχείριση: Η θερμική αγωγιμότητα της πολυκρυσταλλικής βάσης SiC (~120 W/m·K) προσεγγίζει αυτή του μονοκρυσταλλικού SiC, αντιμετωπίζοντας αποτελεσματικά τις προκλήσεις απαγωγής θερμότητας σε συσκευές υψηλής ισχύος.

Αυτά τα χαρακτηριστικά καθιστούν το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC ως ανταγωνιστική λύση για βιομηχανίες όπως οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, οι σιδηροδρομικές μεταφορές και η αεροδιαστημική.

Κύριες εφαρμογές

Το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC έχει αναπτυχθεί με επιτυχία σε διάφορους τομείς υψηλής ζήτησης:
1. Κινητήρες Ηλεκτρικών Οχημάτων: Χρησιμοποιούνται σε MOSFET και διόδους SiC υψηλής τάσης για την ενίσχυση της απόδοσης του μετατροπέα και την επέκταση της αυτονομίας της μπαταρίας (π.χ., μοντέλα Tesla, BYD).

2. Βιομηχανικοί κινητήρες: Ενεργοποιούν μονάδες ισχύος υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας μεταγωγής, μειώνοντας την κατανάλωση ενέργειας σε βαριά μηχανήματα και ανεμογεννήτριες.

3. Φωτοβολταϊκοί Μετατροπείς: Οι συσκευές SiC βελτιώνουν την απόδοση μετατροπής ηλιακής ενέργειας (>99%), ενώ το σύνθετο υπόστρωμα μειώνει περαιτέρω το κόστος του συστήματος.

4. Σιδηροδρομικές Μεταφορές: Εφαρμόζεται σε μετατροπείς έλξης για σιδηροδρομικά συστήματα υψηλής ταχύτητας και μετρό, προσφέροντας αντίσταση υψηλής τάσης (>1700V) και συμπαγείς μορφές.

5. Αεροδιαστημική: Ιδανικό για συστήματα τροφοδοσίας δορυφόρων και κυκλώματα ελέγχου κινητήρων αεροσκαφών, ικανό να αντέχει σε ακραίες θερμοκρασίες και ακτινοβολία.

Στην πράξη, το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC είναι πλήρως συμβατό με τις τυπικές διαδικασίες συσκευών SiC (π.χ. λιθογραφία, χάραξη), χωρίς να απαιτείται πρόσθετη κεφαλαιουχική επένδυση.

Υπηρεσίες XKH

Η XKH παρέχει ολοκληρωμένη υποστήριξη για το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC, καλύπτοντας την Έρευνα και Ανάπτυξη έως τη μαζική παραγωγή:

1. Προσαρμογή: Ρυθμιζόμενο πάχος μονοκρυσταλλικής στρώσης (5–100 μm), συγκέντρωση πρόσμιξης (1e15–1e19 cm⁻³) και προσανατολισμός κρυστάλλου (4H/6H-SiC) για την κάλυψη ποικίλων απαιτήσεων συσκευής.

2. Επεξεργασία πλακιδίων: Χύμα προμήθεια υποστρωμάτων 6 ιντσών με υπηρεσίες λεπτύνσης πίσω πλευράς και επιμετάλλωσης για ενσωμάτωση plug-and-play.

3. Τεχνική Επικύρωση: Περιλαμβάνει ανάλυση κρυσταλλικότητας XRD, δοκιμή φαινομένου Hall και μέτρηση θερμικής αντίστασης για την επιτάχυνση της πιστοποίησης υλικού.

4. Ταχεία δημιουργία πρωτοτύπων: Δείγματα 2 έως 4 ιντσών (ίδια διαδικασία) για ερευνητικά ιδρύματα για την επιτάχυνση των κύκλων ανάπτυξης.

5. Ανάλυση και Βελτιστοποίηση Βλαβών: Λύσεις σε επίπεδο υλικού για προκλήσεις επεξεργασίας (π.χ., ελαττώματα επιταξιακής στρώσης).

Η αποστολή μας είναι να καθιερώσουμε το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC ως την προτιμώμενη λύση κόστους-απόδοσης για ηλεκτρονικά ισχύος SiC, προσφέροντας ολοκληρωμένη υποστήριξη από την πρωτοτυποποίηση έως την μαζική παραγωγή.

Σύναψη

Το αγώγιμο μονοκρυσταλλικό SiC 6 ιντσών σε πολυκρυσταλλικό σύνθετο υπόστρωμα SiC επιτυγχάνει μια πρωτοποριακή ισορροπία μεταξύ απόδοσης και κόστους μέσω της καινοτόμου μονο/πολυκρυσταλλικής υβριδικής δομής του. Καθώς τα ηλεκτρικά οχήματα πολλαπλασιάζονται και η Βιομηχανία 4.0 προχωρά, αυτό το υπόστρωμα παρέχει μια αξιόπιστη υλική βάση για ηλεκτρονικά ισχύος επόμενης γενιάς. Η XKH καλωσορίζει συνεργασίες για την περαιτέρω διερεύνηση των δυνατοτήτων της τεχνολογίας SiC.