150 χιλιοστά 6 ιντσών 0,7 χιλιοστά 0,5 χιλιοστά Sapphire Wafer Υποστρώματος Μεταφορέας C-Plane SSP/DSP
Εφαρμογές
Οι εφαρμογές για πλακίδια σαπφείρου 6 ιντσών περιλαμβάνουν:
1. Κατασκευή LED: η γκοφρέτα ζαφειριού μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως υπόστρωμα των τσιπ LED και η σκληρότητα και η θερμική αγωγιμότητά της μπορούν να βελτιώσουν τη σταθερότητα και τη διάρκεια ζωής των τσιπ LED.
2. Κατασκευή με λέιζερ: Η γκοφρέτα σαπφείρου μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί ως υπόστρωμα λέιζερ, για να βελτιώσει την απόδοση του λέιζερ και να παρατείνει τη διάρκεια ζωής του.
3. Κατασκευή ημιαγωγών: Τα πλακίδια ζαφειριού χρησιμοποιούνται ευρέως στην κατασκευή ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών συσκευών, συμπεριλαμβανομένης της οπτικής σύνθεσης, των ηλιακών κυψελών, των ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας κ.λπ.
4. Άλλες εφαρμογές: Η γκοφρέτα σαπφείρου μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί για την κατασκευή οθονών αφής, οπτικών συσκευών, ηλιακών κυψελών λεπτής μεμβράνης και άλλων προϊόντων υψηλής τεχνολογίας.
Προσδιορισμός
Υλικό | Μονοκρυσταλλικό Al2O3 υψηλής καθαρότητας, γκοφρέτα ζαφειριού. |
Διάσταση | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 ίντσες |
Πάχος | 1300 +/- 25 μm |
Προσανατολισμός | Επίπεδο C (0001) από το επίπεδο M (1-100) 0,2 +/- 0,05 μοίρες |
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | Ένα επίπεδο +/- 1 μοίρα |
Κύριο επίπεδο μήκος | 47,5 mm +/- 1 mm |
Συνολική Μεταβολή Πάχους (TTV) | <20 μm |
Τόξο | <25 μμ |
Στημόνι | <25 μμ |
Συντελεστής θερμικής διαστολής | 6,66 x 10-6 / °C παράλληλα προς τον άξονα C, 5 x 10-6 / °C κάθετα προς τον άξονα C |
Διηλεκτρική αντοχή | 4,8 x 105 V/cm |
Διηλεκτρική σταθερά | 11,5 (1 MHz) κατά μήκος του άξονα C, 9,3 (1 MHz) κάθετα στον άξονα C |
Εφαπτόμενη διηλεκτρικών απωλειών (γνωστός και ως συντελεστής διασποράς) | λιγότερο από 1 x 10-4 |
Θερμική αγωγιμότητα | 40 W/(mK) στους 20℃ |
Στίλβωμα | γυαλισμένο μονής όψης (SSP) ή γυαλισμένο διπλής όψης (DSP) Ra < 0,5 nm (με AFM). Η αντίστροφη πλευρά του πλακιδίου SSP λεπτοαλέστηκε σε Ra = 0,8 - 1,2 um. |
Διαπερατότητα | 88% +/-1% στα 460 nm |
Λεπτομερές Διάγραμμα

