Υποστρώματα SiC 3 ιντσών Dia76,2 mm HPSI Prime Research και Dummy grade

Αγώγιμο υπόστρωμα: αναφέρεται στην ειδική αντίσταση του υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου 15~30mΩ-cm. Η επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου που αναπτύσσεται από το αγώγιμο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου μπορεί περαιτέρω να μετατραπεί σε συσκευές ισχύος, οι οποίες χρησιμοποιούνται ευρέως σε οχήματα νέας ενέργειας, φωτοβολταϊκά, έξυπνα δίκτυα και σιδηροδρομικές μεταφορές.

Το ημιμονωτικό υπόστρωμα αναφέρεται στην ειδική αντίσταση υψηλότερη από το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου 100000Ω-cm, που χρησιμοποιείται κυρίως στην κατασκευή συσκευών ραδιοσυχνοτήτων μικροκυμάτων νιτριδίου του γαλλίου, είναι η βάση του πεδίου ασύρματης επικοινωνίας.

Αποτελεί βασικό στοιχείο στον τομέα της ασύρματης επικοινωνίας.

Τα αγώγιμα και ημιμονωτικά υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου χρησιμοποιούνται σε ένα ευρύ φάσμα ηλεκτρονικών συσκευών και συσκευών ισχύος, συμπεριλαμβανομένων, ενδεικτικά, των εξής:

Συσκευές ημιαγωγών υψηλής ισχύος (αγώγιμα): Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή αντοχή πεδίου διάσπασης και θερμική αγωγιμότητα και είναι κατάλληλα για την παραγωγή τρανζίστορ και διόδων υψηλής ισχύος και άλλων συσκευών.

Ηλεκτρονικές συσκευές RF (ημιμονωμένες): Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή ταχύτητα μεταγωγής και ανοχή ισχύος, κατάλληλα για εφαρμογές όπως ενισχυτές ισχύος ραδιοσυχνοτήτων, συσκευές μικροκυμάτων και διακόπτες υψηλής συχνότητας.

Οπτοηλεκτρονικές συσκευές (ημιμονωμένες): Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου έχουν μεγάλο ενεργειακό κενό και υψηλή θερμική σταθερότητα, κατάλληλα για την κατασκευή φωτοδιόδων, ηλιακών κυψελών και διόδων λέιζερ και άλλων συσκευών.

Αισθητήρες θερμοκρασίας (αγώγιμοι): Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου έχουν υψηλή θερμική αγωγιμότητα και θερμική σταθερότητα, κατάλληλα για την παραγωγή αισθητήρων υψηλής θερμοκρασίας και οργάνων μέτρησης θερμοκρασίας.

Η διαδικασία παραγωγής και η εφαρμογή αγώγιμων και ημιμονωτικών υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου έχουν ένα ευρύ φάσμα πεδίων και δυνατοτήτων, παρέχοντας νέες δυνατότητες για την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών και συσκευών ισχύος.