6 ιντσών GaN-σε-ζαφείρι
150mm 6 ιντσών GaN σε επιταξιακή γκοφρέτα επιστρώματος πυριτίου/σαπφείρου/SiC νιτριδίου γαλλίου
Η πλακέτα υποστρώματος ζαφειριού 6 ιντσών είναι ένα ημιαγωγικό υλικό υψηλής ποιότητας που αποτελείται από στρώματα νιτριδίου του γαλλίου (GaN) που αναπτύσσονται σε υπόστρωμα ζαφειριού. Το υλικό έχει εξαιρετικές ιδιότητες ηλεκτρονικής μεταφοράς και είναι ιδανικό για την κατασκευή ημιαγωγικών συσκευών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
Μέθοδος κατασκευής: Η διαδικασία κατασκευής περιλαμβάνει την ανάπτυξη στρωμάτων GaN σε υπόστρωμα ζαφειριού χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνικές όπως η εναπόθεση μεταλλο-οργανικών χημικών ατμών (MOCVD) ή η επιταξία μοριακής δέσμης (MBE). Η διαδικασία εναπόθεσης πραγματοποιείται υπό ελεγχόμενες συνθήκες για να εξασφαλιστεί υψηλή ποιότητα κρυστάλλων και ομοιόμορφο φιλμ.
Εφαρμογές GaN-On-Sapphire 6 ιντσών: Τα τσιπ υποστρώματος ζαφειριού 6 ιντσών χρησιμοποιούνται ευρέως σε επικοινωνίες μικροκυμάτων, συστήματα ραντάρ, ασύρματη τεχνολογία και οπτοηλεκτρονική.
Ορισμένες συνήθεις εφαρμογές περιλαμβάνουν
1. Ενισχυτής ισχύος RF
2. Βιομηχανία φωτισμού LED
3. Εξοπλισμός επικοινωνίας ασύρματου δικτύου
4. Ηλεκτρονικές συσκευές σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας
5. Οπτοηλεκτρονικές συσκευές
Προδιαγραφές προϊόντος
- Μέγεθος: Η διάμετρος του υποστρώματος είναι 6 ίντσες (περίπου 150 mm).
- Ποιότητα επιφάνειας: Η επιφάνεια έχει γυαλιστεί σχολαστικά για να παρέχει εξαιρετική ποιότητα καθρέφτη.
- Πάχος: Το πάχος του στρώματος GaN μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με τις συγκεκριμένες απαιτήσεις.
- Συσκευασία: Το υπόστρωμα συσκευάζεται προσεκτικά με αντιστατικά υλικά για την αποφυγή ζημιών κατά τη μεταφορά.
- Ακρές τοποθέτησης: Το υπόστρωμα έχει συγκεκριμένες ακμές τοποθέτησης που διευκολύνουν την ευθυγράμμιση και τη λειτουργία κατά την προετοιμασία της συσκευής.
- Άλλες παράμετροι: Συγκεκριμένες παράμετροι όπως η λεπτότητα, η ειδική αντίσταση και η συγκέντρωση προσμίξεων μπορούν να ρυθμιστούν σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη.
Με τις ανώτερες ιδιότητες των υλικών τους και τις ποικίλες εφαρμογές τους, οι πλακέτες υποστρώματος ζαφειριού 6 ιντσών αποτελούν μια αξιόπιστη επιλογή για την ανάπτυξη ημιαγωγικών συσκευών υψηλής απόδοσης σε διάφορες βιομηχανίες.
| Υπόστρωμα | 6” 1mm <111> Si τύπου p | 6” 1mm <111> Si τύπου p |
| Epi ThickAvg | ~5μm | ~7μμ |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Τόξο | +/-45um | +/-45um |
| Ράγισμα | <5 χιλιοστά | <5 χιλιοστά |
| Κάθετη BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2°G συμπύκνωση | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Κινητικότητα | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Ρς | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Λεπτομερές Διάγραμμα
