Υπόστρωμα SiC 4H-N ποιότητας παραγωγής SiC 8 ιντσών

Γκοφρέτα 8 ιντσών ποιότητας παραγωγής SiC 4H-N SiC Υπόστρωμα Επιλεγμένη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Υποστρώματα SiC 8 ιντσών χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, όπως MOSFET ισχύος (Transistors οξειδίου μετάλλου Semiconductor Field Effect), διόδους Schottky και άλλες συσκευές ημιαγωγών ισχύος.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Ο παρακάτω πίνακας δείχνει τις προδιαγραφές των γκοφρετών SiC 8 ιντσών:

Προδιαγραφές SiC DSP 8 ιντσών τύπου N
Αριθμός	Είδος	Μονάδα	Παραγωγή	Ερευνα	Ανδρείκελο
1: παράμετροι
1.1	πολύτυπος	--	4H	4H	4H
1.2	επιφανειακός προσανατολισμός	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Ηλεκτρική παράμετρος
2.1	προσμίξεις	--	Άζωτο n τύπου	Άζωτο n τύπου	Άζωτο n τύπου
2.2	αντίσταση	ohm ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Μηχανική παράμετρος
3.1	διάμετρος	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	πάχος	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Προσανατολισμός εγκοπής	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Βάθος εγκοπής	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10mm*10mm)	≤5 (10mm*10mm)	≤10 (10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Τόξο	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Στημόνι	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Δομή
4.1	πυκνότητα μικροσωλήνων	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	περιεκτικότητα σε μέταλλο	άτομα/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	ΑΠΛΩΝΩ ΧΟΡΤΑ	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.Μπροστινή ποιότητα
5.1	εμπρός	--	Si	Si	Si
5.2	φινίρισμα επιφάνειας	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	σωματίδιο	ea/γκοφρέτα	≤100 (μέγεθος≥0,3μm)	NA	NA
5.4	γρατσουνιά	ea/γκοφρέτα	≤5, Συνολικό μήκος≤200mm	NA	NA
5.5	Ακρη τσιπς / εσοχές / ρωγμές / λεκέδες / μόλυνση	--	Κανένας	Κανένας	NA
5.6	Πολυτυπικές περιοχές	--	Κανένας	Περιοχή ≤10%	Περιοχή ≤30%
5.7	μπροστινή σήμανση	--	Κανένας	Κανένας	Κανένας
6: Ποιότητα πλάτης
6.1	πίσω φινίρισμα	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	γρατσουνιά	mm	NA	NA	NA
6.3	Ελαττώματα πίσω άκρης μάρκες/εσοχές	--	Κανένας	Κανένας	NA
6.4	Τραχύτητα πλάτης	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Πίσω σήμανση	--	Εγκοπή	Εγκοπή	Εγκοπή
7: άκρη
7.1	άκρη	--	Λοξότμηση	Λοξότμηση	Λοξότμηση
8: Πακέτο
8.1	συσκευασία	--	Epi-ready με κενό συσκευασία	Epi-ready με κενό συσκευασία	Epi-ready με κενό συσκευασία
8.2	συσκευασία	--	Πολλαπλή γκοφρέτα συσκευασία κασέτας	Πολλαπλή γκοφρέτα συσκευασία κασέτας	Πολλαπλή γκοφρέτα συσκευασία κασέτας