Υπόστρωμα SiC 4H-N για πλακίδια SiC 8 ιντσών, παραγωγικής ποιότητας

Σύντομη Περιγραφή:

Τα υποστρώματα SiC 8 ιντσών χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος, όπως MOSFET ισχύος (Transistors Effect Field Effect Semiconductor Metal Oxide), διόδους Schottky και άλλες συσκευές ημιαγωγών ισχύος.


Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Ο παρακάτω πίνακας δείχνει τις προδιαγραφές των πλακιδίων SiC 8 ιντσών:

Προδιαγραφές DSP SiC τύπου N 8 ιντσών

Αριθμός Είδος Μονάδα Παραγωγή Ερευνα Ανδρείκελο
1: παράμετροι
1.1 πολυτυπία -- 4H 4H 4H
1.2 προσανατολισμός επιφάνειας ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Ηλεκτρική παράμετρος
2.1 πρόσμιξη -- Άζωτο τύπου n Άζωτο τύπου n Άζωτο τύπου n
2.2 ειδική αντίσταση ωμ · εκατοστά 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Μηχανική παράμετρος
3.1 διάμετρος mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 πάχος μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Προσανατολισμός εγκοπής ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Βάθος εγκοπής mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm*10mm) ≤5 (10mm*10mm) ≤10 (10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Τόξο μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Στημόνι μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Δομή
4.1 πυκνότητα μικροσωλήνων ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 περιεκτικότητα σε μέταλλο άτομα/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 Ορθοδοντική Διαταραχή (ΔΔΔ) ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 ΑΠΛΩΝΩ ΧΟΡΤΑ ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Ποιότητα μπροστινής όψης
5.1 εμπρός -- Si Si Si
5.2 φινίρισμα επιφάνειας -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 σωματίδιο γκοφρέτα ≤100 (μέγεθος ≥0,3μm) NA NA
5.4 γρατσουνιά γκοφρέτα ≤5, Συνολικό μήκος ≤200mm NA NA
5.5 Ακρη
σπασίματα/εσοχές/ρωγμές/λεκέδες/μόλυνση
-- Κανένας Κανένας NA
5.6 Περιοχές πολυτύπων -- Κανένας Εμβαδόν ≤10% Εμβαδόν ≤30%
5.7 μπροστινή σήμανση -- Κανένας Κανένας Κανένας
6: Ποιότητα πίσω όψης
6.1 πίσω φινίρισμα -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 γρατσουνιά mm NA NA NA
6.3 Ελαττώματα πίσω πλευράς
τσιπς/εσοχές
-- Κανένας Κανένας NA
6.4 Τραχύτητα πλάτης nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Πίσω σήμανση -- Εγκοπή Εγκοπή Εγκοπή
7: άκρη
7.1 άκρη -- Λοξότμηση Λοξότμηση Λοξότμηση
8:Πακέτο
8.1 συσκευασία -- Έτοιμο για χρήση σε περιβάλλον Epi με ηλεκτρική σκούπα
συσκευασία
Έτοιμο για χρήση σε περιβάλλον Epi με ηλεκτρική σκούπα
συσκευασία
Έτοιμο για χρήση σε περιβάλλον Epi με ηλεκτρική σκούπα
συσκευασία
8.2 συσκευασία -- Πολυ-γκοφρέτα
συσκευασία κασέτας
Πολυ-γκοφρέτα
συσκευασία κασέτας
Πολυ-γκοφρέτα
συσκευασία κασέτας

Λεπτομερές Διάγραμμα

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς