Υπόστρωμα σπόρων SiC τύπου N προσαρμοσμένο Dia153/155mm για ηλεκτρονικά ισχύος

Σύντομη Περιγραφή:

Τα υποστρώματα πυριτίου-καρβιδίου (SiC) χρησιμεύουν ως το βασικό υλικό για ημιαγωγούς τρίτης γενιάς, διακρίνονται για την εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητά τους, την ανώτερη ισχύ του ηλεκτρικού πεδίου διάσπασης και την υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων. Αυτές οι ιδιότητες τα καθιστούν απαραίτητα για ηλεκτρονικά ισχύος, συσκευές RF, ηλεκτρικά οχήματα (EV) και εφαρμογές ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Η XKH ειδικεύεται στην Έρευνα και Ανάπτυξη (R&D) και την παραγωγή υψηλής ποιότητας υποστρωμάτων πυριτίου-καρβιδίου, χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνικές ανάπτυξης κρυστάλλων, όπως η Φυσική Μεταφορά Ατμών (PVT) και η Χημική Εναπόθεση Ατμών σε Υψηλή Θερμοκρασία (HTCVD), για να εξασφαλίσουν κορυφαία κρυσταλλική ποιότητα.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Παρουσιάζω

Η XKH προσφέρει υποστρώματα SiC 4 ιντσών, 6 ιντσών και 8 ιντσών με προσαρμόσιμη πρόσμιξη τύπου N/P, επιτυγχάνοντας επίπεδα ειδικής αντίστασης 0,01-0,1 Ω·cm και πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω των 500 cm⁻², καθιστώντας τα ιδανικά για την κατασκευή MOSFET, διόδων φραγμού Schottky (SBD) και IGBT. Η κάθετα ολοκληρωμένη διαδικασία παραγωγής μας καλύπτει την ανάπτυξη κρυστάλλων, την κοπή πλακιδίων, τη στίλβωση και την επιθεώρηση, με μηνιαία παραγωγική δυναμικότητα που υπερβαίνει τα 5.000 πλακίδια, για την κάλυψη των ποικίλων απαιτήσεων ερευνητικών ιδρυμάτων, κατασκευαστών ημιαγωγών και εταιρειών ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.

Επιπλέον, παρέχουμε εξατομικευμένες λύσεις, όπως:

Προσαρμογή προσανατολισμού κρυστάλλων (4H-SiC, 6H-SiC)

Εξειδικευμένη προσθήκη (Αλουμίνιο, Άζωτο, Βόριο, κ.λπ.)

Εξαιρετικά λεία στίλβωση (Ra < 0,5 nm)

Η XKH υποστηρίζει την επεξεργασία βάσει δειγμάτων, τεχνικές συμβουλές και πρωτοτυποποίηση μικρών παρτίδων για την παροχή βελτιστοποιημένων λύσεων υποστρώματος SiC.

Τεχνικές παράμετροι

Γκοφρέτα σπόρων καρβιδίου του πυριτίου
Πολυτυπία	4H
Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας	4°προς<11-20>±0,5º
Αντίσταση	προσαρμογή
Διάμετρος	205±0,5 χιλιοστά
Πάχος	600±50μm
Τραχύτητα	CMP, Ra≤0.2nm
Πυκνότητα μικροσωλήνων	≤1 ea/cm2
Γρατζουνιές	≤5, Συνολικό μήκος ≤2 * Διάμετρος
Τσιπς/εσοχές στις άκρες	Κανένας
Μπροστινή σήμανση με λέιζερ	Κανένας
Γρατζουνιές	≤2, Συνολικό Μήκος ≤Διάμετρος
Τσιπς/εσοχές στις άκρες	Κανένας
Περιοχές πολυτύπων	Κανένας
Πίσω σήμανση με λέιζερ	1 χιλ. (από την πάνω άκρη)
Ακρη	Λοξότμηση
Συσκευασία	Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων

Υποστρώματα σπόρων SiC - Βασικά χαρακτηριστικά

1. Εξαιρετικές Φυσικές Ιδιότητες

· Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (~490 W/m·K), ξεπερνώντας σημαντικά το πυρίτιο (Si) και το αρσενικούχο γάλλιο (GaAs), καθιστώντας το ιδανικό για ψύξη συσκευών υψηλής πυκνότητας ισχύος.

· Ένταση πεδίου διάσπασης (~3 MV/cm), που επιτρέπει σταθερή λειτουργία υπό συνθήκες υψηλής τάσης, κρίσιμη για τους μετατροπείς ηλεκτρικών οχημάτων (EV) και τις βιομηχανικές μονάδες ισχύος.

· Ευρύ ενεργειακό χάσμα (3,2 eV), μειώνοντας τα ρεύματα διαρροής σε υψηλές θερμοκρασίες και ενισχύοντας την αξιοπιστία της συσκευής.

2. Ανώτερη κρυσταλλική ποιότητα

· Η υβριδική τεχνολογία ανάπτυξης PVT + HTCVD ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα των μικροσωλήνων, διατηρώντας τις πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω από 500 cm⁻².

· Τόξο/στημόνι πλακιδίου < 10 μm και τραχύτητα επιφάνειας Ra < 0,5 nm, εξασφαλίζοντας συμβατότητα με διαδικασίες λιθογραφίας υψηλής ακρίβειας και εναπόθεσης λεπτής μεμβράνης.

3. Ποικίλες επιλογές ντόπινγκ

·Τύπος Ν (Νομιασμένο με άζωτο): Χαμηλή ειδική αντίσταση (0,01-0,02 Ω·cm), βελτιστοποιημένο για συσκευές RF υψηλής συχνότητας.

· Τύπου P (με προσμίξεις αλουμινίου): Ιδανικό για MOSFET ισχύος και IGBT, βελτιώνοντας την κινητικότητα των φορέων.

· Ημιμονωτικό SiC (με προσμίξεις βαναδίου): Αντίσταση > 10⁵ Ω·cm, προσαρμοσμένο για μονάδες front-end RF 5G.

4. Περιβαλλοντική Σταθερότητα

· Αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες (>1600°C) και σκληρότητα ακτινοβολίας, κατάλληλη για αεροδιαστημική, πυρηνικό εξοπλισμό και άλλα ακραία περιβάλλοντα.

Υποστρώματα σπόρων SiC - Πρωτογενείς εφαρμογές

1. Ηλεκτρονικά Ισχύος

· Ηλεκτρικά Οχήματα (EV): Χρησιμοποιούνται σε ενσωματωμένους φορτιστές (OBC) και μετατροπείς για τη βελτίωση της απόδοσης και τη μείωση των απαιτήσεων θερμικής διαχείρισης.

· Βιομηχανικά Συστήματα Ηλεκτρικής Ενέργειας: Βελτιώνει τους φωτοβολταϊκούς μετατροπείς και τα έξυπνα δίκτυα, επιτυγχάνοντας απόδοση μετατροπής ισχύος >99%.

2. Συσκευές RF

· Σταθμοί βάσης 5G: Τα ημιμονωτικά υποστρώματα SiC επιτρέπουν ενισχυτές ισχύος RF GaN-on-SiC, υποστηρίζοντας μετάδοση σήματος υψηλής συχνότητας και ισχύος.

Δορυφορικές επικοινωνίες: Τα χαρακτηριστικά χαμηλών απωλειών το καθιστούν κατάλληλο για συσκευές χιλιοστομετρικών κυμάτων.

3. Ανανεώσιμες Πηγές Ενέργειας & Αποθήκευση Ενέργειας

· Ηλιακή ενέργεια: Τα MOSFET SiC ενισχύουν την απόδοση μετατροπής DC-AC, μειώνοντας παράλληλα το κόστος του συστήματος.

· Συστήματα Αποθήκευσης Ενέργειας (ESS): Βελτιστοποιεί τους αμφίδρομους μετατροπείς και παρατείνει τη διάρκεια ζωής της μπαταρίας.

4. Άμυνα & Αεροδιαστημική

· Συστήματα ραντάρ: Συσκευές SiC υψηλής ισχύος χρησιμοποιούνται σε ραντάρ AESA (Active Electronically Scanned Array).

· Διαχείριση Ενέργειας Διαστημοπλοίων: Τα υποστρώματα SiC ανθεκτικά στην ακτινοβολία είναι κρίσιμα για αποστολές στο βαθύ διάστημα.

5. Έρευνα & Αναδυόμενες Τεχνολογίες

· Κβαντική Υπολογιστική: Το SiC υψηλής καθαρότητας επιτρέπει την έρευνα για τα spin qubit.

· Αισθητήρες Υψηλής Θερμοκρασίας: Χρησιμοποιούνται στην εξερεύνηση πετρελαίου και στην παρακολούθηση πυρηνικών αντιδραστήρων.

Υποστρώματα σπόρων SiC - XKH Services

1. Πλεονεκτήματα της Εφοδιαστικής Αλυσίδας

· Κάθετα ολοκληρωμένη παραγωγή: Πλήρης έλεγχος από σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας έως τελικά πλακίδια, εξασφαλίζοντας χρόνους παράδοσης 4-6 εβδομάδων για τυποποιημένα προϊόντα.

· Ανταγωνιστικότητα κόστους: Οι οικονομίες κλίμακας επιτρέπουν 15-20% χαμηλότερες τιμές από τους ανταγωνιστές, με υποστήριξη για μακροπρόθεσμες συμφωνίες (LTA).

2. Υπηρεσίες Προσαρμογής

· Προσανατολισμός κρυστάλλων: 4H-SiC (τυπικό) ή 6H-SiC (εξειδικευμένες εφαρμογές).

· Βελτιστοποίηση προσμίξεων: Προσαρμοσμένες ιδιότητες τύπου Ν/τύπου Ρ/ημιμονωτικές ιδιότητες.

· Προηγμένη στίλβωση: Στίλβωση CMP και επιφανειακή επεξεργασία epi-ready (Ra < 0,3 nm).

3. Τεχνική Υποστήριξη

· Δωρεάν δοκιμές δειγμάτων: Περιλαμβάνει αναφορές μετρήσεων XRD, AFM και φαινομένου Hall.

· Βοήθεια προσομοίωσης συσκευών: Υποστηρίζει την επιταξιακή ανάπτυξη και τη βελτιστοποίηση του σχεδιασμού συσκευών.

4. Ταχεία Ανταπόκριση

· Πρωτότυπα μικρού όγκου: Ελάχιστη παραγγελία 10 πλακιδίων, παράδοση εντός 3 εβδομάδων.

· Παγκόσμια εφοδιαστική: Συνεργασίες με την DHL και την FedEx για παράδοση από πόρτα σε πόρτα.

5. Διασφάλιση Ποιότητας

· Πλήρης επιθεώρηση διεργασίας: Καλύπτει την τοπογραφία ακτίνων Χ (XRT) και την ανάλυση πυκνότητας ελαττωμάτων.

· Διεθνείς πιστοποιήσεις: Συμμορφώνεται με τα πρότυπα IATF 16949 (βαθμού αυτοκινήτου) και AEC-Q101.

Σύναψη

Τα υποστρώματα SiC της XKH διαπρέπουν σε κρυσταλλική ποιότητα, σταθερότητα στην αλυσίδα εφοδιασμού και ευελιξία προσαρμογής, εξυπηρετώντας ηλεκτρονικά ισχύος, επικοινωνίες 5G, ανανεώσιμες πηγές ενέργειας και αμυντικές τεχνολογίες. Συνεχίζουμε να προάγουμε την τεχνολογία μαζικής παραγωγής SiC 8 ιντσών για να προωθήσουμε τη βιομηχανία ημιαγωγών τρίτης γενιάς.

Προηγούμενος: Κεραμική πλάκα/δίσκος SiC για βάση πλακιδίων 4 ιντσών και 6 ιντσών για ICP

Επόμενος: Προσαρμοσμένα υποστρώματα κρυστάλλου σπόρου SiC Dia 205/203/208 τύπος 4H-N για οπτικές επικοινωνίες