Προσαρμοσμένες επιταξιακές γκοφρέτες GaN-on-SiC (100mm, 150mm) – Πολλαπλές επιλογές υποστρώματος SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Χαρακτηριστικά
● Πάχος Επιταξιακής Στρώσης: Προσαρμόσιμο από1,0 μmνα3,5 μm, βελτιστοποιημένο για υψηλή ισχύ και απόδοση συχνότητας.
●Επιλογές υποστρώματος SiCΔιατίθεται με διάφορα υποστρώματα SiC, όπως:
- 4H-NΥψηλής ποιότητας 4H-SiC με προσμίξεις αζώτου για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος.
- HPSIΗμιμονωτικό SiC υψηλής καθαρότητας για εφαρμογές που απαιτούν ηλεκτρική μόνωση.
- 4H/6H-PΜικτός συνδυασμός 4H και 6H-SiC για ισορροπία υψηλής απόδοσης και αξιοπιστίας.
● Μεγέθη πλακιδίωνΔιαθέσιμο σε100 χιλιοστάκαι150 χιλιοστάδιαμέτρους για ευελιξία στην κλιμάκωση και την ενσωμάτωση συσκευών.
● Υψηλή τάση διακοπήςΗ τεχνολογία GaN σε SiC παρέχει υψηλή τάση διάσπασης, επιτρέποντας ισχυρή απόδοση σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.
● Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Η εγγενής θερμική αγωγιμότητα του SiC (περίπου 490 W/m·K) εξασφαλίζει εξαιρετική απαγωγή θερμότητας για εφαρμογές που απαιτούν μεγάλη ισχύ.
Τεχνικές προδιαγραφές
| Παράμετρος | Αξία |
| Διάμετρος γκοφρέτας | 100 χιλιοστά, 150 χιλιοστά |
| Πάχος επιταξιακής στρώσης | 1,0 µm – 3,5 µm (προσαρμόσιμο) |
| Τύποι υποστρωμάτων SiC | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| Θερμική αγωγιμότητα SiC | 490 W/m·K |
| Αντίσταση SiC | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSIΗμιμονωτικό,4H/6H-P: Μικτό 4ωρο/6ωρο |
| Πάχος στρώσης GaN | 1,0 µm – 2,0 µm |
| Συγκέντρωση φορέα GaN | 10^18 cm^-3 έως 10^19 cm^-3 (δυνατότητα προσαρμογής) |
| Ποιότητα επιφάνειας γκοφρέτας | Τραχύτητα RMS: < 1 nm |
| Πυκνότητα εξάρθρωσης | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Βάφλα Τόξο | < 50 µm |
| Επιπεδότητα γκοφρέτας | < 5 µm |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας | 400°C (τυπική για συσκευές GaN-on-SiC) |
Εφαρμογές
●Ηλεκτρονικά Ισχύος:Τα πλακίδια GaN-on-SiC παρέχουν υψηλή απόδοση και απαγωγή θερμότητας, καθιστώντας τα ιδανικά για ενισχυτές ισχύος, συσκευές μετατροπής ισχύος και κυκλώματα μετατροπέα ισχύος που χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρικά οχήματα, συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και βιομηχανικά μηχανήματα.
●Ενισχυτές ισχύος RF:Ο συνδυασμός GaN και SiC είναι ιδανικός για εφαρμογές RF υψηλής συχνότητας και ισχύος, όπως τηλεπικοινωνίες, δορυφορικές επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ.
●Αεροδιαστημική και Άμυνα:Αυτά τα πλακίδια είναι κατάλληλα για αεροδιαστημικές και αμυντικές τεχνολογίες που απαιτούν ηλεκτρονικά ισχύος υψηλής απόδοσης και συστήματα επικοινωνίας που μπορούν να λειτουργούν υπό σκληρές συνθήκες.
● Εφαρμογές Αυτοκινήτου:Ιδανικό για συστήματα ισχύος υψηλής απόδοσης σε ηλεκτρικά οχήματα (EV), υβριδικά οχήματα (HEV) και σταθμούς φόρτισης, επιτρέποντας την αποτελεσματική μετατροπή και τον έλεγχο ισχύος.
●Στρατιωτικά συστήματα και συστήματα ραντάρ:Οι πλακέτες GaN-on-SiC χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ για την υψηλή τους απόδοση, τις δυνατότητες διαχείρισης ισχύος και τη θερμική τους απόδοση σε απαιτητικά περιβάλλοντα.
● Εφαρμογές σε φούρνο μικροκυμάτων και χιλιοστομετρικά κύματα:Για συστήματα επικοινωνίας επόμενης γενιάς, συμπεριλαμβανομένου του 5G, το GaN-on-SiC παρέχει βέλτιστη απόδοση σε περιοχές μικροκυμάτων υψηλής ισχύος και χιλιοστομετρικών κυμάτων.
Ερωτήσεις και απαντήσεις
Ε1: Ποια είναι τα οφέλη από τη χρήση του SiC ως υπόστρωμα για το GaN;
Α1:Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) προσφέρει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα, υψηλή τάση διάσπασης και μηχανική αντοχή σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υποστρώματα όπως το πυρίτιο. Αυτό καθιστά τις πλακέτες GaN-on-SiC ιδανικές για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας. Το υπόστρωμα SiC βοηθά στην απαγωγή της θερμότητας που παράγεται από τις συσκευές GaN, βελτιώνοντας την αξιοπιστία και την απόδοση.
Ε2: Μπορεί το πάχος της επιταξιακής στρώσης να προσαρμοστεί για συγκεκριμένες εφαρμογές;
Α2:Ναι, το πάχος της επιταξιακής στρώσης μπορεί να προσαρμοστεί εντός μιας σειράς1,0 µm έως 3,5 µm, ανάλογα με τις απαιτήσεις ισχύος και συχνότητας της εφαρμογής σας. Μπορούμε να προσαρμόσουμε το πάχος της στρώσης GaN για να βελτιστοποιήσουμε την απόδοση για συγκεκριμένες συσκευές όπως ενισχυτές ισχύος, συστήματα RF ή κυκλώματα υψηλής συχνότητας.
Ε3: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ των υποστρωμάτων SiC 4H-N, HPSI και 4H/6H-P;
Α3:
- 4H-NΤο 4H-SiC με προσμίξεις αζώτου χρησιμοποιείται συνήθως για εφαρμογές υψηλής συχνότητας που απαιτούν υψηλή ηλεκτρονική απόδοση.
- HPSIΤο ημιμονωτικό SiC υψηλής καθαρότητας παρέχει ηλεκτρική μόνωση, ιδανική για εφαρμογές που απαιτούν ελάχιστη ηλεκτρική αγωγιμότητα.
- 4H/6H-PΈνα μείγμα 4H και 6H-SiC που εξισορροπεί την απόδοση, προσφέροντας έναν συνδυασμό υψηλής απόδοσης και στιβαρότητας, κατάλληλο για διάφορες εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος.
Ε4: Είναι αυτές οι πλακέτες GaN-on-SiC κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής ισχύος όπως ηλεκτρικά οχήματα και ανανεώσιμες πηγές ενέργειας;
Α4:Ναι, οι πλακέτες GaN-on-SiC είναι κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως ηλεκτρικά οχήματα, ανανεώσιμες πηγές ενέργειας και βιομηχανικά συστήματα. Η υψηλή τάση διάσπασης, η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και οι δυνατότητες διαχείρισης ισχύος των συσκευών GaN-on-SiC τους επιτρέπουν να αποδίδουν αποτελεσματικά σε απαιτητικά κυκλώματα μετατροπής και ελέγχου ισχύος.
Ε5: Ποια είναι η τυπική πυκνότητα εξάρθρωσης για αυτά τα πλακίδια;
Α5:Η πυκνότητα εξάρθρωσης αυτών των πλακιδίων GaN-on-SiC είναι συνήθως< 1 x 10^6 cm^-2, το οποίο εξασφαλίζει υψηλής ποιότητας επιταξιακή ανάπτυξη, ελαχιστοποιώντας τα ελαττώματα και βελτιώνοντας την απόδοση και την αξιοπιστία της συσκευής.
Ε6: Μπορώ να ζητήσω ένα συγκεκριμένο μέγεθος πλακιδίου ή τύπο υποστρώματος SiC;
Α6:Ναι, προσφέρουμε προσαρμοσμένα μεγέθη πλακιδίων (100mm και 150mm) και τύπους υποστρωμάτων SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) για να καλύψουμε τις συγκεκριμένες ανάγκες της εφαρμογής σας. Επικοινωνήστε μαζί μας για περαιτέρω επιλογές προσαρμογής και για να συζητήσουμε τις απαιτήσεις σας.
Ε7: Πώς αποδίδουν οι πλακέτες GaN-on-SiC σε ακραία περιβάλλοντα;
Α7:Τα πλακίδια GaN-on-SiC είναι ιδανικά για ακραία περιβάλλοντα λόγω της υψηλής θερμικής σταθερότητας, του υψηλού χειρισμού ισχύος και των εξαιρετικών δυνατοτήτων απαγωγής θερμότητας. Αυτά τα πλακίδια έχουν καλή απόδοση σε συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας που συναντώνται συνήθως σε αεροδιαστημικές, αμυντικές και βιομηχανικές εφαρμογές.
Σύναψη
Οι προσαρμοσμένες επιταξιακές πλακέτες GaN-on-SiC συνδυάζουν τις προηγμένες ιδιότητες του GaN και του SiC για να παρέχουν ανώτερη απόδοση σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Με πολλαπλές επιλογές υποστρώματος SiC και προσαρμόσιμα επιταξιακά στρώματα, αυτές οι πλακέτες είναι ιδανικές για βιομηχανίες που απαιτούν υψηλή απόδοση, θερμική διαχείριση και αξιοπιστία. Είτε πρόκειται για ηλεκτρονικά ισχύος, συστήματα RF είτε για εφαρμογές άμυνας, οι πλακέτες GaN-on-SiC προσφέρουν την απόδοση και την ευελιξία που χρειάζεστε.
Λεπτομερές Διάγραμμα
