Προσαρμοσμένες επιταξιακές γκοφρέτες GaN-on-SiC (100mm, 150mm) – Πολλαπλές επιλογές υποστρώματος SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Χαρακτηριστικά
●Επιταξιακό Πάχος Στρώσης: Προσαρμόσιμο από1,0 μmνα3,5 μm, βελτιστοποιημένο για απόδοση υψηλής ισχύος και συχνότητας.
●Επιλογές υποστρώματος SiC: Διατίθεται με διάφορα υποστρώματα SiC, όπως:
- 4Η-Ν: Υψηλής ποιότητας 4H-SiC με άζωτο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος.
- HPSI: Ημιμονωτικό SiC υψηλής καθαρότητας για εφαρμογές που απαιτούν ηλεκτρική μόνωση.
- 4Η/6Η-Ρ: Μεικτό 4H και 6H-SiC για ισορροπία υψηλής απόδοσης και αξιοπιστίας.
●Μεγέθη γκοφρέτας: Διατίθεται σε100 χλστκαι150 mmδιαμέτρους για ευελιξία στην κλιμάκωση και την ενσωμάτωση συσκευών.
●Υψηλή Τάση Βλάβης: Η τεχνολογία GaN on SiC παρέχει υψηλή τάση διάσπασης, επιτρέποντας ισχυρή απόδοση σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.
●Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Η εγγενής θερμική αγωγιμότητα του SiC (περίπου 490 W/m·K) εξασφαλίζει εξαιρετική απαγωγή θερμότητας για εφαρμογές έντασης ισχύος.
Τεχνικές Προδιαγραφές
| Παράμετρος | Αξία |
| Διάμετρος γκοφρέτας | 100mm, 150mm |
| Πάχος επιταξιακής στρώσης | 1,0 μm – 3,5 μm (προσαρμόσιμο) |
| Τύποι υποστρώματος SiC | 4Η-Ν, HPSI, 4Η/6Η-Ρ |
| Θερμική αγωγιμότητα SiC | 490 W/m·K |
| Αντίσταση SiC | 4Η-Ν: 10^6 Ω·cm,HPSI: Ημιμονωτικό,4Η/6Η-Ρ: Μικτή 4H/6H |
| Πάχος στρώσης GaN | 1,0 μm – 2,0 μm |
| Συγκέντρωση φορέα GaN | 10^18 cm^-3 έως 10^19 cm^-3 (προσαρμόσιμο) |
| Ποιότητα επιφάνειας γκοφρέτας | RMS τραχύτητα: < 1 nm |
| Πυκνότητα εξάρθρωσης | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Γκοφρέτα Φιόγκος | < 50 μm |
| Επιπεδότητα γκοφρέτας | < 5 μm |
| Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας | 400°C (συνήθης για συσκευές GaN-on-SiC) |
Εφαρμογές
●Ηλεκτρονικά ισχύος:Οι γκοφρέτες GaN-on-SiC παρέχουν υψηλή απόδοση και απαγωγή θερμότητας, καθιστώντας τις ιδανικές για ενισχυτές ισχύος, συσκευές μετατροπής ισχύος και κυκλώματα μετατροπέα ισχύος που χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρικά οχήματα, συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και βιομηχανικά μηχανήματα.
●Ενισχυτές ισχύος RF:Ο συνδυασμός GaN και SiC είναι τέλειος για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος, όπως τηλεπικοινωνίες, δορυφορικές επικοινωνίες και συστήματα ραντάρ.
●Αεροδιαστημική και Άμυνα:Αυτές οι γκοφρέτες είναι κατάλληλες για αεροδιαστημικές και αμυντικές τεχνολογίες που απαιτούν ηλεκτρονικά και επικοινωνιακά συστήματα υψηλής απόδοσης που μπορούν να λειτουργήσουν υπό σκληρές συνθήκες.
●Εφαρμογές αυτοκινήτων:Ιδανικό για συστήματα ισχύος υψηλής απόδοσης σε ηλεκτρικά οχήματα (EVs), υβριδικά οχήματα (HEV) και σταθμούς φόρτισης, επιτρέποντας αποτελεσματική μετατροπή και έλεγχο ισχύος.
●Στρατιωτικά συστήματα και συστήματα ραντάρ:Οι γκοφρέτες GaN-on-SiC χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ για την υψηλή τους απόδοση, τις δυνατότητες διαχείρισης ισχύος και τη θερμική τους απόδοση σε απαιτητικά περιβάλλοντα.
●Εφαρμογές μικροκυμάτων και χιλιοστών κυμάτων:Για συστήματα επικοινωνίας επόμενης γενιάς, συμπεριλαμβανομένου του 5G, το GaN-on-SiC παρέχει βέλτιστη απόδοση σε εύρη μικροκυμάτων υψηλής ισχύος και κυμάτων χιλιοστών.
Q&A
Ε1: Ποια είναι τα οφέλη από τη χρήση του SiC ως υποστρώματος για το GaN;
A1:Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) προσφέρει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα, υψηλή τάση διάσπασης και μηχανική αντοχή σε σύγκριση με παραδοσιακά υποστρώματα όπως το πυρίτιο. Αυτό καθιστά τις γκοφρέτες GaN-on-SiC ιδανικές για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας. Το υπόστρωμα SiC βοηθά στη διάχυση της θερμότητας που παράγεται από συσκευές GaN, βελτιώνοντας την αξιοπιστία και την απόδοση.
Ε2: Μπορεί το πάχος της επιταξιακής στρώσης να προσαρμοστεί για συγκεκριμένες εφαρμογές;
A2:Ναι, το πάχος της επιταξιακής στρώσης μπορεί να προσαρμοστεί σε μια σειρά από1,0 μm έως 3,5 μm, ανάλογα με τις απαιτήσεις ισχύος και συχνότητας της εφαρμογής σας. Μπορούμε να προσαρμόσουμε το πάχος του στρώματος GaN για να βελτιστοποιήσουμε την απόδοση για συγκεκριμένες συσκευές όπως ενισχυτές ισχύος, συστήματα ραδιοσυχνοτήτων ή κυκλώματα υψηλής συχνότητας.
Ε3: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ των υποστρωμάτων 4H-N, HPSI και 4H/6H-P SiC;
A3:
- 4Η-Ν: Το 4H-SiC με πρόσμιξη αζώτου χρησιμοποιείται συνήθως για εφαρμογές υψηλής συχνότητας που απαιτούν υψηλή ηλεκτρονική απόδοση.
- HPSI: Ημιμονωτικό SiC υψηλής καθαρότητας παρέχει ηλεκτρική μόνωση, ιδανική για εφαρμογές που απαιτούν ελάχιστη ηλεκτρική αγωγιμότητα.
- 4Η/6Η-Ρ: Ένας συνδυασμός 4H και 6H-SiC που εξισορροπεί την απόδοση, προσφέροντας συνδυασμό υψηλής απόδοσης και στιβαρότητας, κατάλληλο για διάφορες εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος.
Ε4: Είναι αυτές οι γκοφρέτες GaN-on-SiC κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως ηλεκτρικά οχήματα και ανανεώσιμες πηγές ενέργειας;
A4:Ναι, οι γκοφρέτες GaN-on-SiC είναι κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως ηλεκτρικά οχήματα, ανανεώσιμες πηγές ενέργειας και βιομηχανικά συστήματα. Η υψηλή τάση διάσπασης, η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και οι δυνατότητες χειρισμού ισχύος των συσκευών GaN-on-SiC τους επιτρέπουν να αποδίδουν αποτελεσματικά σε απαιτητικά κυκλώματα μετατροπής και ελέγχου ισχύος.
Ε5: Ποια είναι η τυπική πυκνότητα εξάρθρωσης για αυτές τις γκοφρέτες;
A5:Η πυκνότητα εξάρθρωσης αυτών των πλακιδίων GaN-on-SiC είναι τυπικά< 1 x 10^6 cm^-2, που εξασφαλίζει επιταξιακή ανάπτυξη υψηλής ποιότητας, ελαχιστοποιώντας τα ελαττώματα και βελτιώνοντας την απόδοση και την αξιοπιστία της συσκευής.
Ε6: Μπορώ να ζητήσω συγκεκριμένο μέγεθος γκοφρέτας ή τύπο υποστρώματος SiC;
A6:Ναι, προσφέρουμε προσαρμοσμένα μεγέθη γκοφρέτας (100mm και 150mm) και τύπους υποστρώματος SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) για να ανταποκρίνονται στις συγκεκριμένες ανάγκες της εφαρμογής σας. Επικοινωνήστε μαζί μας για περαιτέρω επιλογές προσαρμογής και για να συζητήσουμε τις απαιτήσεις σας.
Ε7: Πώς αποδίδουν οι γκοφρέτες GaN-on-SiC σε ακραία περιβάλλοντα;
A7:Οι γκοφρέτες GaN-on-SiC είναι ιδανικές για ακραία περιβάλλοντα λόγω της υψηλής θερμικής σταθερότητας, του χειρισμού υψηλής ισχύος και των εξαιρετικών δυνατοτήτων απαγωγής θερμότητας. Αυτές οι γκοφρέτες έχουν καλή απόδοση σε συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας που συναντώνται συνήθως στην αεροδιαστημική, την άμυνα και τις βιομηχανικές εφαρμογές.
Σύναψη
Οι προσαρμοσμένες μας επιταξιακές γκοφρέτες GaN-on-SiC συνδυάζουν τις προηγμένες ιδιότητες των GaN και SiC για να παρέχουν ανώτερη απόδοση σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Με πολλαπλές επιλογές υποστρώματος SiC και προσαρμόσιμες επιταξιακές στρώσεις, αυτές οι γκοφρέτες είναι ιδανικές για βιομηχανίες που απαιτούν υψηλή απόδοση, θερμική διαχείριση και αξιοπιστία. Είτε πρόκειται για ηλεκτρονικά ισχύος, για συστήματα RF ή για αμυντικές εφαρμογές, οι γκοφρέτες GaN-on-SiC προσφέρουν την απόδοση και την ευελιξία που χρειάζεστε.
Αναλυτικό Διάγραμμα
