Προσαρμοσμένα υποστρώματα κρυστάλλου σπόρου SiC Dia 205/203/208 τύπος 4H-N για οπτικές επικοινωνίες

Προσαρμοσμένοι τύποι Dia 205/203/208 4H-N υποστρωμάτων κρυστάλλου σπόρου SiC για οπτικές επικοινωνίες Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Τα υποστρώματα κρυστάλλων πυριτίου (Seed Crystal Clay) ως βασικοί φορείς ημιαγωγικών υλικών τρίτης γενιάς, αξιοποιούν την υψηλή θερμική αγωγιμότητά τους (4,9 W/cm·K), την εξαιρετικά υψηλή ένταση πεδίου διάσπασης (2–4 MV/cm) και το ευρύ ενεργειακό χάσμα (3,2 eV) για να χρησιμεύσουν ως θεμελιώδη υλικά για οπτοηλεκτρονική, οχήματα νέας ενέργειας, επικοινωνίες 5G και αεροδιαστημικές εφαρμογές. Μέσω προηγμένων τεχνολογιών κατασκευής όπως η φυσική μεταφορά ατμών (PVT) και η επιταξία υγρής φάσης (LPE), η XKH παρέχει υποστρώματα πυριτίου τύπου 4H/6H-N, ημιμονωτικά και 3C-SiC πολυτύπου σε μορφές πλακιδίων 2–12 ιντσών, με πυκνότητες μικροσωλήνων κάτω από 0,3 cm⁻², ειδική αντίσταση που κυμαίνεται από 20–23 mΩ·cm και τραχύτητα επιφάνειας (Ra) <0,2 nm. Οι υπηρεσίες μας περιλαμβάνουν ετεροεπιταξιακή ανάπτυξη (π.χ., SiC-on-Si), κατεργασία ακριβείας νανοκλίμακας (ανοχή ±0,1 μm) και παγκόσμια ταχεία παράδοση, δίνοντας τη δυνατότητα στους πελάτες να ξεπεράσουν τα τεχνικά εμπόδια και να επιταχύνουν την ουδετερότητα άνθρακα και τον έξυπνο μετασχηματισμό.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Τεχνικές παράμετροι

Γκοφρέτα σπόρων καρβιδίου του πυριτίου
Πολυτυπία	4H
Σφάλμα προσανατολισμού επιφάνειας	4°προς<11-20>±0,5º
Αντίσταση	προσαρμογή
Διάμετρος	205±0,5 χιλιοστά
Πάχος	600±50μm
Τραχύτητα	CMP, Ra≤0.2nm
Πυκνότητα μικροσωλήνων	≤1 ea/cm2
Γρατζουνιές	≤5, Συνολικό μήκος ≤2 * Διάμετρος
Τσιπς/εσοχές στις άκρες	Κανένας
Μπροστινή σήμανση με λέιζερ	Κανένας
Γρατζουνιές	≤2, Συνολικό Μήκος ≤Διάμετρος
Τσιπς/εσοχές στις άκρες	Κανένας
Περιοχές πολυτύπων	Κανένας
Πίσω σήμανση με λέιζερ	1 χιλ. (από την πάνω άκρη)
Ακρη	Λοξότμηση
Συσκευασία	Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων

Βασικά Χαρακτηριστικά

1. Κρυσταλλική Δομή και Ηλεκτρική Απόδοση

· Κρυσταλλογραφική Σταθερότητα: 100% κυριαρχία πολυτύπου 4H-SiC, μηδενικές πολυκρυσταλλικές εγκλείσεις (π.χ., 6H/15R), με καμπύλη ταλάντωσης XRD πλήρους πλάτους στο μισό μέγιστο (FWHM) ≤32,7 δευτερόλεπτα στροφής.

· Υψηλή κινητικότητα φορέων: Κινητικότητα ηλεκτρονίων 5.400 cm²/V·s (4H-SiC) και κινητικότητα οπών 380 cm²/V·s, επιτρέποντας τον σχεδιασμό συσκευών υψηλής συχνότητας.

·Σκληρότητα Ακτινοβολίας: Αντέχει σε ακτινοβολία νετρονίων 1 MeV με όριο βλάβης μετατόπισης 1×10¹⁵ n/cm², ιδανική για αεροδιαστημικές και πυρηνικές εφαρμογές.

2. Θερμικές και Μηχανικές Ιδιότητες

· Εξαιρετική Θερμική Αγωγιμότητα: 4,9 W/cm·K (4H-SiC), τριπλάσια από αυτή του πυριτίου, υποστηρίζοντας λειτουργία άνω των 200°C.

· Χαμηλός Συντελεστής Θερμικής Διαστολής: CTE 4,0×10⁻⁶/K (25–1000°C), εξασφαλίζοντας συμβατότητα με συσκευασίες με βάση το πυρίτιο και ελαχιστοποιώντας τη θερμική καταπόνηση.

3. Έλεγχος ελαττωμάτων και ακρίβεια επεξεργασίας

· Πυκνότητα μικροσωλήνων: <0,3 cm⁻² (δισκία 8 ιντσών), πυκνότητα εξάρθρωσης <1.000 cm⁻² (επαληθευμένη μέσω χάραξης KOH).

· Ποιότητα επιφάνειας: Γυαλισμένη με CMP σε Ra <0,2 nm, πληρώντας τις απαιτήσεις επιπεδότητας ποιότητας λιθογραφίας EUV.

Βασικές εφαρμογές

Τομέας	Σενάρια Εφαρμογής	Τεχνικά πλεονεκτήματα
Οπτικές Επικοινωνίες	Λέιζερ 100G/400G, υβριδικές μονάδες φωτονικής πυριτίου	Τα υποστρώματα σπόρων InP επιτρέπουν άμεσο ενεργειακό χάσμα (1,34 eV) και ετεροεπιταξία με βάση το Si, μειώνοντας την απώλεια οπτικής σύζευξης.
Οχήματα Νέας Ενέργειας	Μετατροπείς υψηλής τάσης 800V, ενσωματωμένοι φορτιστές (OBC)	Τα υποστρώματα 4H-SiC αντέχουν σε τάση >1.200 V, μειώνοντας τις απώλειες αγωγιμότητας κατά 50% και τον όγκο του συστήματος κατά 40%.
Επικοινωνίες 5G	Συσκευές RF χιλιοστομετρικού κύματος (PA/LNA), ενισχυτές ισχύος σταθμού βάσης	Τα ημιμονωτικά υποστρώματα SiC (αντίσταση >10⁵ Ω·cm) επιτρέπουν την παθητική ενσωμάτωση υψηλής συχνότητας (60 GHz+).
Βιομηχανικός Εξοπλισμός	Αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας, μετασχηματιστές ρεύματος, οθόνες πυρηνικών αντιδραστήρων	Τα υποστρώματα σπόρων InSb (ζωνικό χάσμα 0,17 eV) παρέχουν μαγνητική ευαισθησία έως και 300% @ 10 T.

Βασικά πλεονεκτήματα

Τα υποστρώματα κρυστάλλων SiC (καρβιδίου του πυριτίου) προσφέρουν απαράμιλλη απόδοση με θερμική αγωγιμότητα 4,9 W/cm·K, ένταση πεδίου διάσπασης 2–4 MV/cm και εύρος ζώνης 3,2 eV, επιτρέποντας εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας. Με μηδενική πυκνότητα μικροσωλήνων και πυκνότητα εξάρθρωσης <1.000 cm⁻², αυτά τα υποστρώματα εξασφαλίζουν αξιοπιστία σε ακραίες συνθήκες. Η χημική τους αδράνεια και οι συμβατές με CVD επιφάνειες (Ra <0,2 nm) υποστηρίζουν προηγμένη ετεροεπιταξιακή ανάπτυξη (π.χ., SiC-on-Si) για οπτοηλεκτρονικά και συστήματα ισχύος EV.

Υπηρεσίες XKH:

1. Προσαρμοσμένη παραγωγή

· Ευέλικτες Μορφές Wafer: Wafers 2–12 ιντσών με κυκλικές, ορθογώνιες ή προσαρμοσμένες κοπές (ανοχή ±0,01 mm).

· Έλεγχος προσμίξεων: Ακριβής προσμίξεις αζώτου (N) και αλουμινίου (Al) μέσω καρδιαγγειακής νόσου (CVD), επιτυγχάνοντας εύρος ειδικής αντίστασης από 10⁻³ έως 10⁶ Ω·cm.

2. Προηγμένες Τεχνολογίες Διαδικασιών

· Ετεροεπιταξία: SiC-on-Si (συμβατό με γραμμές πυριτίου 8 ιντσών) και SiC-on-Diamond (θερμική αγωγιμότητα >2.000 W/m·K).

· Μετριασμός ελαττωμάτων: Χάραξη και ανόπτηση με υδρογόνο για τη μείωση των ελαττωμάτων μικροσωλήνων/πυκνότητας, βελτιώνοντας την απόδοση των πλακιδίων σε >95%.

3. Συστήματα Διαχείρισης Ποιότητας

· Ολοκληρωμένες δοκιμές: Φασματοσκοπία Raman (επαλήθευση πολυτύπων), XRD (κρυσταλλικότητα) και SEM (ανάλυση ελαττωμάτων).

· Πιστοποιήσεις: Συμβατό με AEC-Q101 (αυτοκινητοβιομηχανία), JEDEC (JEDEC-033) και MIL-PRF-38534 (στρατιωτικού επιπέδου).

4. Παγκόσμια Υποστήριξη Εφοδιαστικής Αλυσίδας

· Παραγωγική Δυναμικότητα: Μηνιαία παραγωγή >10.000 πλακιδίων (60% 8 ιντσών), με παράδοση έκτακτης ανάγκης εντός 48 ωρών.

· Δίκτυο Logistics: Κάλυψη στην Ευρώπη, τη Βόρεια Αμερική και την Ασία-Ειρηνικό μέσω αεροπορικών/θαλάσσιων μεταφορών με συσκευασία ελεγχόμενης θερμοκρασίας.

5. Τεχνική Συν-Ανάπτυξη

· Κοινά Εργαστήρια Έρευνας και Ανάπτυξης: Συνεργασία για τη βελτιστοποίηση της συσκευασίας μονάδων ισχύος SiC (π.χ., ενσωμάτωση υποστρώματος DBC).

· Άδεια Πνευματικής Ιδιοκτησίας: Παροχή αδειών χρήσης τεχνολογίας επιταξιακής ανάπτυξης RF GaN-on-SiC για τη μείωση του κόστους Έρευνας και Ανάπτυξης των πελατών.

Περίληψη

Τα υποστρώματα κρυστάλλων SiC (καρβιδίου του πυριτίου), ως στρατηγικό υλικό, αναδιαμορφώνουν τις παγκόσμιες βιομηχανικές αλυσίδες μέσω καινοτομιών στην ανάπτυξη κρυστάλλων, τον έλεγχο ελαττωμάτων και την ετερογενή ολοκλήρωση. Με τη συνεχή προώθηση της μείωσης των ελαττωμάτων των πλακιδίων, την κλιμάκωση της παραγωγής 8 ιντσών και την επέκταση των ετεροεπιταξιακών πλατφορμών (π.χ., SiC-on-Diamond), η XKH παρέχει υψηλής αξιοπιστίας και οικονομικά αποδοτικές λύσεις για οπτοηλεκτρονική, νέες πηγές ενέργειας και προηγμένη κατασκευή. Η δέσμευσή μας στην καινοτομία διασφαλίζει ότι οι πελάτες μας θα ηγηθούν στην ουδετερότητα άνθρακα και στα ευφυή συστήματα, οδηγώντας την επόμενη εποχή οικοσυστημάτων ημιαγωγών με ευρύ ενεργειακό χάσμα.