Dia150mm 4H-N 6inch SiC Υπόστρωμα Παραγωγής και ψευδούς ποιότητας
Τα κύρια χαρακτηριστικά των γκοφρετών mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών είναι τα εξής:.
Αντοχή σε υψηλή τάση: Το καρβίδιο του πυριτίου έχει ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης, επομένως οι γκοφρέτες mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών έχουν ικανότητα αντοχής σε υψηλή τάση, κατάλληλες για σενάρια εφαρμογής υψηλής τάσης.
Υψηλή πυκνότητα ρεύματος: Το καρβίδιο του πυριτίου έχει μεγάλη κινητικότητα ηλεκτρονίων, με αποτέλεσμα οι γκοφρέτες mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών να έχουν μεγαλύτερη πυκνότητα ρεύματος για να αντέχουν σε μεγαλύτερο ρεύμα.
Υψηλή συχνότητα λειτουργίας: Το καρβίδιο του πυριτίου έχει χαμηλή κινητικότητα φορέα, με αποτέλεσμα οι γκοφρέτες mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών να έχουν υψηλή συχνότητα λειτουργίας, κατάλληλες για σενάρια εφαρμογών υψηλής συχνότητας.
Καλή θερμική σταθερότητα: Το καρβίδιο του πυριτίου έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα, με αποτέλεσμα οι γκοφρέτες mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών να εξακολουθούν να έχουν καλή απόδοση σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.
Οι γκοφρέτες mosfet καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών χρησιμοποιούνται ευρέως στους ακόλουθους τομείς: ηλεκτρονικά ισχύος, συμπεριλαμβανομένων μετασχηματιστών, ανορθωτών, μετατροπέων, ενισχυτών ισχύος κ.λπ., όπως ηλιακοί μετατροπείς, φόρτιση οχημάτων νέας ενέργειας, σιδηροδρομική μεταφορά, αεροσυμπιεστής υψηλής ταχύτητας στο κυψέλες καυσίμου, μετατροπέας DC-DC (DCDC), κίνηση ηλεκτροκινητήρων οχημάτων και τάσεις ψηφιοποίησης στον τομέα των κέντρων δεδομένων και σε άλλους τομείς με ευρύ φάσμα εφαρμογών.
Μπορούμε να παρέχουμε υπόστρωμα SiC 4H-N 6 ιντσών, διαφορετικές ποιότητες γκοφρέτες στοκ υποστρώματος.Μπορούμε επίσης να κανονίσουμε προσαρμογή σύμφωνα με τις ανάγκες σας.Ερώτηση καλωσορίσματος!
Αναλυτικό Διάγραμμα
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-18.jpeg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-27.jpeg)
![asd (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-36.jpeg)