Νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) επιταξιακά καλλιεργημένο σε γκοφρέτες ζαφειριού 4 ίντσες 6 ίντσες για MEMS

Σύντομη Περιγραφή:

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) σε πλακίδια ζαφειριού προσφέρει απαράμιλλη απόδοση για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος, καθιστώντας το το ιδανικό υλικό για μονάδες μπροστινού άκρου RF (ραδιοσυχνοτήτων) επόμενης γενιάς, φώτα LED και άλλες συσκευές ημιαγωγών.GaNΤα ανώτερα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά του, συμπεριλαμβανομένου του υψηλού ενεργειακού χάσματος, του επιτρέπουν να λειτουργεί σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες διάσπασης από τις παραδοσιακές συσκευές που βασίζονται στο πυρίτιο. Καθώς το GaN υιοθετείται ολοένα και περισσότερο έναντι του πυριτίου, οδηγεί σε εξελίξεις στην ηλεκτρονική που απαιτούν ελαφριά, ισχυρά και αποδοτικά υλικά.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Ιδιότητες του GaN σε πλακίδια ζαφειριού

● Υψηλή απόδοση:Οι συσκευές που βασίζονται στο GaN παρέχουν πέντε φορές περισσότερη ισχύ από τις συσκευές που βασίζονται στο πυρίτιο, βελτιώνοντας την απόδοση σε διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένης της ενίσχυσης RF και της οπτοηλεκτρονικής.
● Ευρύ ενεργειακό χάσμα:Το μεγάλο ενεργειακό χάσμα του GaN επιτρέπει υψηλή απόδοση σε υψηλές θερμοκρασίες, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
●Ανθεκτικότητα:Η ικανότητα του GaN να χειρίζεται ακραίες συνθήκες (υψηλές θερμοκρασίες και ακτινοβολία) εξασφαλίζει μακροχρόνια απόδοση σε αντίξοα περιβάλλοντα.
●Μικρό μέγεθος:Το GaN επιτρέπει την παραγωγή πιο συμπαγών και ελαφρών συσκευών σε σύγκριση με τα παραδοσιακά ημιαγωγικά υλικά, διευκολύνοντας την κατασκευή μικρότερων και πιο ισχυρών ηλεκτρονικών.

Περίληψη

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) αναδεικνύεται ως ο ημιαγωγός επιλογής για προηγμένες εφαρμογές που απαιτούν υψηλή ισχύ και απόδοση, όπως μονάδες RF front-end, συστήματα επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας και φωτισμός LED. Τα επιταξιακά πλακίδια GaN, όταν αναπτύσσονται σε υποστρώματα ζαφειριού, προσφέρουν έναν συνδυασμό υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, υψηλής τάσης διάσπασης και ευρείας απόκρισης συχνότητας, τα οποία είναι βασικά για βέλτιστη απόδοση σε συσκευές ασύρματης επικοινωνίας, ραντάρ και παρεμβολείς. Αυτά τα πλακίδια διατίθενται σε διαμέτρους 4 ιντσών και 6 ιντσών, με ποικίλα πάχη GaN για την κάλυψη διαφορετικών τεχνικών απαιτήσεων. Οι μοναδικές ιδιότητες του GaN το καθιστούν πρωταρχικό υποψήφιο για το μέλλον των ηλεκτρονικών ισχύος.

Παράμετροι προϊόντος

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Προσδιορισμός
Διάμετρος γκοφρέτας	50 χιλιοστά, 100 χιλιοστά, 50,8 χιλιοστά
Υπόστρωμα	Ζαφείρι
Πάχος στρώσης GaN	0,5 μm - 10 μm
Τύπος GaN/Ντόπινγκ	Τύπος N (τύπος P διαθέσιμος κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός κρυστάλλου GaN	<0001>
Τύπος στίλβωσης	Γυαλισμένο στη μία πλευρά (SSP), Γυαλισμένο στη διπλή πλευρά (DSP)
Πάχος Al2O3	430 μm - 650 μm
TTV (Συνολική Διακύμανση Πάχους)	≤ 10 μm
Τόξο	≤ 10 μm
Στημόνι	≤ 10 μm
Επιφάνεια	Ωφέλιμη επιφάνεια > 90%

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Ε1: Ποια είναι τα βασικά πλεονεκτήματα της χρήσης GaN σε σχέση με τους παραδοσιακούς ημιαγωγούς με βάση το πυρίτιο;

A1Το GaN προσφέρει πολλά σημαντικά πλεονεκτήματα σε σχέση με το πυρίτιο, συμπεριλαμβανομένου ενός ευρύτερου ενεργειακού χάσματος, το οποίο του επιτρέπει να χειρίζεται υψηλότερες τάσεις διάσπασης και να λειτουργεί αποτελεσματικά σε υψηλότερες θερμοκρασίες. Αυτό καθιστά το GaN ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας, όπως μονάδες RF, ενισχυτές ισχύος και LED. Η ικανότητα του GaN να χειρίζεται υψηλότερες πυκνότητες ισχύος επιτρέπει επίσης τη δημιουργία μικρότερων και πιο αποδοτικών συσκευών σε σύγκριση με εναλλακτικές λύσεις που βασίζονται στο πυρίτιο.

Ε2: Μπορεί το GaN σε πλακίδια ζαφειριού να χρησιμοποιηθεί σε εφαρμογές MEMS (Μικροηλεκτρομηχανικά συστήματα);

A2Ναι, το GaN σε πλακίδια ζαφειριού είναι κατάλληλο για εφαρμογές MEMS, ειδικά όπου απαιτείται υψηλή ισχύς, σταθερότητα θερμοκρασίας και χαμηλός θόρυβος. Η ανθεκτικότητα και η αποτελεσματικότητα του υλικού σε περιβάλλοντα υψηλής συχνότητας το καθιστούν ιδανικό για συσκευές MEMS που χρησιμοποιούνται σε ασύρματα συστήματα επικοινωνίας, ανίχνευσης και ραντάρ.

Ε3: Ποιες είναι οι πιθανές εφαρμογές του GaN στην ασύρματη επικοινωνία;

A3Το GaN χρησιμοποιείται ευρέως σε μονάδες RF front-end για ασύρματη επικοινωνία, συμπεριλαμβανομένων υποδομών 5G, συστημάτων ραντάρ και παρεμβολέων. Η υψηλή πυκνότητα ισχύος και η θερμική αγωγιμότητά του το καθιστούν ιδανικό για συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας, επιτρέποντας καλύτερη απόδοση και μικρότερους παράγοντες μορφής σε σύγκριση με λύσεις που βασίζονται στο πυρίτιο.

Ε4: Ποιοι είναι οι χρόνοι παράδοσης και οι ελάχιστες ποσότητες παραγγελίας για GaN σε γκοφρέτες Sapphire;

A4Οι χρόνοι παράδοσης και οι ελάχιστες ποσότητες παραγγελίας ποικίλλουν ανάλογα με το μέγεθος του πλακιδίου, το πάχος GaN και τις συγκεκριμένες απαιτήσεις του πελάτη. Επικοινωνήστε απευθείας μαζί μας για λεπτομερείς τιμές και διαθεσιμότητα βάσει των προδιαγραφών σας.

Ε5: Μπορώ να λάβω προσαρμοσμένο πάχος στρώσης GaN ή επίπεδα πρόσμιξης;

A5Ναι, προσφέρουμε προσαρμογή του πάχους GaN και των επιπέδων πρόσμιξης για την κάλυψη συγκεκριμένων αναγκών εφαρμογής. Ενημερώστε μας για τις επιθυμητές προδιαγραφές και θα σας παρέχουμε μια εξατομικευμένη λύση.