Νιτρίδιο γαλλίου (GaN) Επιταξική Αναπτύχθηκε σε Γκοφρέτες Ζαφείρι 4 ιντσών 6 ιντσών για MEMS

Νιτρίδιο γαλλίου (GaN) Επιταξιακή Ανάπτυξη σε Γκοφρέτες Ζαφείρι 4 ιντσών 6 ιντσών για MEMS Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) σε γκοφρέτες Sapphire προσφέρει απαράμιλλη απόδοση για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος, καθιστώντας το ιδανικό υλικό για μπροστινές μονάδες RF (Radio Frequency) επόμενης γενιάς, φώτα LED και άλλες συσκευές ημιαγωγών.GaNΤα ανώτερα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά του, συμπεριλαμβανομένου του υψηλού διάκενου ζώνης, του επιτρέπουν να λειτουργεί σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες διάσπασης από τις παραδοσιακές συσκευές με βάση το πυρίτιο. Καθώς το GaN υιοθετείται όλο και περισσότερο σε σχέση με το πυρίτιο, οδηγεί στην πρόοδο στα ηλεκτρονικά που απαιτούν ελαφριά, ισχυρά και αποδοτικά υλικά.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Ιδιότητες του GaN σε Sapphire Wafers

●Υψηλή απόδοση:Οι συσκευές που βασίζονται σε GaN παρέχουν πέντε φορές περισσότερη ισχύ από τις συσκευές με βάση το πυρίτιο, βελτιώνοντας την απόδοση σε διάφορες ηλεκτρονικές εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένης της ενίσχυσης ραδιοσυχνοτήτων και της οπτοηλεκτρονικής.
●Wide Bandgap:Το μεγάλο bandgap του GaN επιτρέπει υψηλή απόδοση σε υψηλές θερμοκρασίες, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
●Ανθεκτικότητα:Η ικανότητα του GaN να χειρίζεται ακραίες συνθήκες (υψηλές θερμοκρασίες και ακτινοβολία) εξασφαλίζει μακροχρόνια απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα.
●Μικρό μέγεθος:Το GaN επιτρέπει την παραγωγή πιο συμπαγών και ελαφριών συσκευών σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά ημιαγωγών, διευκολύνοντας μικρότερα και ισχυρότερα ηλεκτρονικά.

Περίληψη

Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) αναδεικνύεται ως ο ημιαγωγός επιλογής για προηγμένες εφαρμογές που απαιτούν υψηλή ισχύ και απόδοση, όπως μονάδες πρόσοψης RF, συστήματα επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας και φωτισμός LED. Οι επιταξιακές γκοφρέτες GaN, όταν καλλιεργούνται σε υποστρώματα ζαφείρι, προσφέρουν έναν συνδυασμό υψηλής θερμικής αγωγιμότητας, υψηλής τάσης διάσπασης και ευρείας απόκρισης συχνότητας, που είναι βασικά για βέλτιστη απόδοση σε συσκευές ασύρματης επικοινωνίας, ραντάρ και παρεμβολές. Αυτές οι γκοφρέτες είναι διαθέσιμες σε διάμετρο 4 ιντσών και 6 ιντσών, με ποικίλα πάχη GaN για να πληρούν διαφορετικές τεχνικές απαιτήσεις. Οι μοναδικές ιδιότητες του GaN το καθιστούν πρωταρχικό υποψήφιο για το μέλλον των ηλεκτρονικών ισχύος.

Παράμετροι προϊόντος

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Προσδιορισμός
Διάμετρος γκοφρέτας	50mm, 100mm, 50,8mm
Υπόστρωμα	Ζαφείρι
Πάχος στρώσης GaN	0,5 μm - 10 μm
Τύπος GaN/Ντόπινγκ	N-type (P-type διαθέσιμο κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός κρυστάλλου GaN	<0001>
Τύπος στίλβωσης	Στίλβωση μονής όψης (SSP), στίλβωση διπλής όψης (DSP)
Πάχος Al2O3	430 μm - 650 μm
TTV (Παραλλαγή Συνολικού Πάχους)	≤ 10 μm
Τόξο	≤ 10 μm
Στημόνι	≤ 10 μm
Επιφάνεια	Χρησιμοποιήσιμη επιφάνεια > 90%

Q&A

Ε1: Ποια είναι τα βασικά πλεονεκτήματα της χρήσης GaN έναντι των παραδοσιακών ημιαγωγών με βάση το πυρίτιο;

A1: Το GaN προσφέρει αρκετά σημαντικά πλεονεκτήματα σε σχέση με το πυρίτιο, συμπεριλαμβανομένου ενός ευρύτερου bandgap, το οποίο του επιτρέπει να χειρίζεται υψηλότερες τάσεις διάσπασης και να λειτουργεί αποτελεσματικά σε υψηλότερες θερμοκρασίες. Αυτό καθιστά το GaN ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας, όπως μονάδες RF, ενισχυτές ισχύος και LED. Η ικανότητα του GaN να χειρίζεται υψηλότερες πυκνότητες ισχύος επιτρέπει επίσης μικρότερες και πιο αποτελεσματικές συσκευές σε σύγκριση με εναλλακτικές λύσεις με βάση το πυρίτιο.

Ε2: Μπορεί οι γκοφρέτες GaN on Sapphire να χρησιμοποιηθούν σε εφαρμογές MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems);

A2: Ναι, οι γκοφρέτες GaN on Sapphire είναι κατάλληλες για εφαρμογές MEMS, ειδικά όπου απαιτείται υψηλή ισχύς, σταθερότητα θερμοκρασίας και χαμηλός θόρυβος. Η ανθεκτικότητα και η αποτελεσματικότητα του υλικού σε περιβάλλοντα υψηλής συχνότητας το καθιστούν ιδανικό για συσκευές MEMS που χρησιμοποιούνται σε συστήματα ασύρματης επικοινωνίας, ανίχνευσης και ραντάρ.

Ε3: Ποιες είναι οι πιθανές εφαρμογές του GaN στην ασύρματη επικοινωνία;

A3: Το GaN χρησιμοποιείται ευρέως σε μπροστινές μονάδες RF για ασύρματη επικοινωνία, συμπεριλαμβανομένων των υποδομών 5G, συστημάτων ραντάρ και παρεμβολών. Η υψηλή πυκνότητα ισχύος και η θερμική αγωγιμότητά του το καθιστούν ιδανικό για συσκευές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας, επιτρέποντας καλύτερη απόδοση και μικρότερους συντελεστές μορφής σε σύγκριση με λύσεις με βάση το πυρίτιο.

Ε4: Ποιοι είναι οι χρόνοι παράδοσης και οι ελάχιστες ποσότητες παραγγελιών για GaN σε γκοφρέτες Sapphire;

A4: Οι χρόνοι παράδοσης και οι ελάχιστες ποσότητες παραγγελιών ποικίλλουν ανάλογα με το μέγεθος της γκοφρέτας, το πάχος GaN και τις συγκεκριμένες απαιτήσεις πελατών. Επικοινωνήστε απευθείας μαζί μας για αναλυτικές τιμές και διαθεσιμότητα με βάση τις προδιαγραφές σας.

Ε5: Μπορώ να πάρω προσαρμοσμένο πάχος στρώσης GaN ή επίπεδα ντόπινγκ;

A5: Ναι, προσφέρουμε προσαρμογή του πάχους GaN και των επιπέδων ντόπινγκ για την κάλυψη συγκεκριμένων αναγκών εφαρμογής. Ενημερώστε μας τις επιθυμητές προδιαγραφές σας και θα σας προσφέρουμε μια προσαρμοσμένη λύση.