Νιτρίδιο του γαλλίου σε πλακίδιο πυριτίου 4 ιντσών 6 ιντσών Προσαρμοσμένος προσανατολισμός υποστρώματος Si, ειδική αντίσταση και επιλογές τύπου N/P

Σύντομη Περιγραφή:

Οι προσαρμοσμένες πλακέτες νιτριδίου γαλλίου σε πυρίτιο (GaN-on-Si) έχουν σχεδιαστεί για να καλύπτουν τις αυξανόμενες απαιτήσεις ηλεκτρονικών εφαρμογών υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Διατίθενται σε μεγέθη πλακιδίων 4 ιντσών και 6 ιντσών, αυτές οι πλακέτες προσφέρουν επιλογές προσαρμογής για τον προσανατολισμό, την ειδική αντίσταση και τον τύπο πρόσμιξης υποστρώματος Si (τύπος N/τύπος P) ώστε να ταιριάζουν στις συγκεκριμένες ανάγκες της εφαρμογής. Η τεχνολογία GaN-on-Si συνδυάζει τα πλεονεκτήματα του νιτριδίου του γαλλίου (GaN) με το χαμηλού κόστους υπόστρωμα πυριτίου (Si), επιτρέποντας καλύτερη θερμική διαχείριση, υψηλότερη απόδοση και ταχύτερες ταχύτητες μεταγωγής. Με το μεγάλο ενεργειακό χάσμα και τη χαμηλή ηλεκτρική αντίσταση, αυτές οι πλακέτες είναι ιδανικές για μετατροπή ισχύος, εφαρμογές RF και συστήματα μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

● Ευρύ ενεργειακό χάσμα:Το GaN (3,4 eV) παρέχει σημαντική βελτίωση στην απόδοση υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας σε σύγκριση με το παραδοσιακό πυρίτιο, καθιστώντας το ιδανικό για συσκευές ισχύος και ενισχυτές RF.
● Προσαρμόσιμος προσανατολισμός υποστρώματος Si:Επιλέξτε από διαφορετικούς προσανατολισμούς υποστρώματος Si, όπως <111>, <100> και άλλους, για να καλύψετε τις συγκεκριμένες απαιτήσεις της συσκευής.
●Προσαρμοσμένη αντίσταση:Επιλέξτε ανάμεσα σε διαφορετικές επιλογές ειδικής αντίστασης για το Si, από ημιμονωτική έως υψηλή και χαμηλή ειδική αντίσταση για βελτιστοποίηση της απόδοσης της συσκευής.
●Τύπος ντόπινγκ:Διατίθεται σε προσμίξεις τύπου N ή P για να ταιριάζει με τις απαιτήσεις των συσκευών ισχύος, των τρανζίστορ RF ή των LED.
● Υψηλή τάση διακοπής:Τα πλακίδια GaN-on-Si έχουν υψηλή τάση διάσπασης (έως 1200V), επιτρέποντάς τους να χειρίζονται εφαρμογές υψηλής τάσης.
● Ταχύτερες ταχύτητες εναλλαγής:Το GaN έχει υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων και χαμηλότερες απώλειες μεταγωγής από το πυρίτιο, καθιστώντας τα πλακίδια GaN-on-Si ιδανικά για κυκλώματα υψηλής ταχύτητας.
● Βελτιωμένη θερμική απόδοση:Παρά τη χαμηλή θερμική αγωγιμότητα του πυριτίου, το GaN-on-Si εξακολουθεί να προσφέρει ανώτερη θερμική σταθερότητα, με καλύτερη απαγωγή θερμότητας από τις παραδοσιακές συσκευές πυριτίου.

Τεχνικές προδιαγραφές

Παράμετρος	Αξία
Μέγεθος γκοφρέτας	4 ίντσες, 6 ίντσες
Προσανατολισμός Υποστρώματος Si	<111>, <100>, προσαρμοσμένο
Αντίσταση Si	Υψηλή ειδική αντίσταση, Ημιμονωτική, Χαμηλή ειδική αντίσταση
Τύπος ντόπινγκ	Τύπος Ν, τύπος Π
Πάχος στρώσης GaN	100 nm – 5000 nm (δυνατότητα προσαρμογής)
Στρώμα φραγμού AlGaN	24% – 28% Al (τυπικά 10-20 nm)
Τάση διακοπής	600V – 1200V
Κινητικότητα Ηλεκτρονίων	2000 cm²/V·s
Συχνότητα εναλλαγής	Έως 18 GHz
Τραχύτητα επιφάνειας γκοφρέτας	RMS ~0,25 nm (AFM)
Αντίσταση φύλλου GaN	437,9 Ω·cm²
Συνολική στρέβλωση πλακιδίων	< 25 µm (μέγιστο)
Θερμική αγωγιμότητα	1,3 – 2,1 W/cm·K

Εφαρμογές

Ηλεκτρονικά ΙσχύοςΤο GaN-on-Si είναι ιδανικό για ηλεκτρονικά ισχύος, όπως ενισχυτές ισχύος, μετατροπείς και μετατροπείς που χρησιμοποιούνται σε συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, ηλεκτρικά οχήματα (EV) και βιομηχανικό εξοπλισμό. Η υψηλή τάση διάσπασης και η χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης εξασφαλίζουν αποτελεσματική μετατροπή ισχύος, ακόμη και σε εφαρμογές υψηλής ισχύος.

Επικοινωνίες RF και ΜικροκυμάτωνΤα πλακίδια GaN-on-Si προσφέρουν δυνατότητες υψηλής συχνότητας, καθιστώντας τα ιδανικά για ενισχυτές ισχύος RF, δορυφορικές επικοινωνίες, συστήματα ραντάρ και τεχνολογίες 5G. Με υψηλότερες ταχύτητες μεταγωγής και δυνατότητα λειτουργίας σε υψηλότερες συχνότητες (έως18 GHz), οι συσκευές GaN προσφέρουν ανώτερη απόδοση σε αυτές τις εφαρμογές.

Ηλεκτρονικά ΑυτοκινήτωνΤο GaN-on-Si χρησιμοποιείται σε συστήματα ισχύος αυτοκινήτων, συμπεριλαμβανομένωνενσωματωμένοι φορτιστές (OBC)καιΜετατροπείς DC-DCΗ ικανότητά του να λειτουργεί σε υψηλότερες θερμοκρασίες και να αντέχει σε υψηλότερα επίπεδα τάσης το καθιστά κατάλληλο για εφαρμογές ηλεκτρικών οχημάτων που απαιτούν ισχυρή μετατροπή ισχύος.

LED και ΟπτοηλεκτρονικήΤο GaN είναι το υλικό επιλογής για μπλε και λευκά LEDΤα πλακίδια GaN-on-Si χρησιμοποιούνται για την παραγωγή συστημάτων φωτισμού LED υψηλής απόδοσης, παρέχοντας εξαιρετική απόδοση στον φωτισμό, τις τεχνολογίες απεικόνισης και τις οπτικές επικοινωνίες.

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Ε1: Ποιο είναι το πλεονέκτημα του GaN έναντι του πυριτίου στις ηλεκτρονικές συσκευές;

Α1:Το GaN έχει έναευρύτερο ενεργειακό χάσμα (3,4 eV)από το πυρίτιο (1,1 eV), γεγονός που του επιτρέπει να αντέχει σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες. Αυτή η ιδιότητα επιτρέπει στο GaN να χειρίζεται εφαρμογές υψηλής ισχύος πιο αποτελεσματικά, μειώνοντας την απώλεια ισχύος και αυξάνοντας την απόδοση του συστήματος. Το GaN προσφέρει επίσης μεγαλύτερες ταχύτητες μεταγωγής, οι οποίες είναι κρίσιμες για συσκευές υψηλής συχνότητας, όπως ενισχυτές RF και μετατροπείς ισχύος.

Ε2: Μπορώ να προσαρμόσω τον προσανατολισμό του υποστρώματος Si για την εφαρμογή μου;

Α2:Ναι, προσφέρουμεπροσαρμόσιμοι προσανατολισμοί υποστρώματος Siόπως<111>, <100>και άλλους προσανατολισμούς ανάλογα με τις απαιτήσεις της συσκευής σας. Ο προσανατολισμός του υποστρώματος Si παίζει βασικό ρόλο στην απόδοση της συσκευής, συμπεριλαμβανομένων των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών, της θερμικής συμπεριφοράς και της μηχανικής σταθερότητας.

Ε3: Ποια είναι τα οφέλη από τη χρήση πλακιδίων GaN-on-Si για εφαρμογές υψηλής συχνότητας;

Α3:Τα πλακίδια GaN-on-Si προσφέρουν ανώτερηταχύτητες εναλλαγής, επιτρέποντας ταχύτερη λειτουργία σε υψηλότερες συχνότητες σε σύγκριση με το πυρίτιο. Αυτό τα καθιστά ιδανικά γιαRFκαιφούρνος μικροκυμάτωνεφαρμογές, καθώς και υψηλής συχνότηταςσυσκευές τροφοδοσίαςόπωςHEMTs(Τρανζίστορ Υψηλής Κινητικότητας Ηλεκτρονίων) καιΕνισχυτές RFΗ υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων του GaN έχει επίσης ως αποτέλεσμα χαμηλότερες απώλειες μεταγωγής και βελτιωμένη απόδοση.

Ε4: Ποιες επιλογές πρόσμιξης είναι διαθέσιμες για πλακίδια GaN-on-Si;

Α4:Προσφέρουμε και τα δύοΤύπος ΝκαιΤύπος Pεπιλογές πρόσμιξης, οι οποίες χρησιμοποιούνται συνήθως για διαφορετικούς τύπους ημιαγωγικών συσκευών.Ν-τύπου πρόσμιξηείναι ιδανικό γιατρανζίστορ ισχύοςκαιΕνισχυτές RF, ενώΝτόπινγκ τύπου PΧρησιμοποιείται συχνά για οπτοηλεκτρονικές συσκευές όπως τα LED.

Σύναψη

Οι προσαρμοσμένες πλακέτες νιτριδίου γαλλίου σε πυρίτιο (GaN-on-Si) μας παρέχουν την ιδανική λύση για εφαρμογές υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και υψηλής θερμοκρασίας. Με προσαρμόσιμους προσανατολισμούς υποστρώματος Si, ειδική αντίσταση και πρόσμιξη τύπου N/P, αυτές οι πλακέτες είναι προσαρμοσμένες για να καλύπτουν τις συγκεκριμένες ανάγκες των βιομηχανιών, από τα ηλεκτρονικά ισχύος και τα συστήματα αυτοκινήτων έως τις τεχνολογίες επικοινωνίας RF και LED. Αξιοποιώντας τις ανώτερες ιδιότητες του GaN και την επεκτασιμότητα του πυριτίου, αυτές οι πλακέτες προσφέρουν βελτιωμένη απόδοση, αποδοτικότητα και μελλοντική ετοιμότητα για συσκευές επόμενης γενιάς.