Γκοφρέτες GaN-on-Diamond 4 ίντσες 6 ίντσες Συνολικό πάχος epi (μικρό) 0,6 ~ 2,5 ή προσαρμοσμένο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας
Σκηνικά θέατρου
Μέγεθος γκοφρέτας:
Διατίθεται σε διαμέτρους 4 ιντσών και 6 ιντσών για ευέλικτη ενσωμάτωση σε διάφορες διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών.
Διαθέσιμες επιλογές προσαρμογής για το μέγεθος της γκοφρέτας, ανάλογα με τις απαιτήσεις του πελάτη.
Πάχος επιταξιακής στρώσης:
Εύρος: 0,6 µm έως 2,5 µm, με επιλογές για προσαρμοσμένα πάχη βάσει των συγκεκριμένων αναγκών της εφαρμογής.
Το επιταξιακό στρώμα έχει σχεδιαστεί για να εξασφαλίζει ανάπτυξη κρυστάλλων GaN υψηλής ποιότητας, με βελτιστοποιημένο πάχος για την εξισορρόπηση της ισχύος, της απόκρισης συχνότητας και της θερμικής διαχείρισης.
Θερμική αγωγιμότητα:
Το στρώμα διαμαντιού παρέχει εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα περίπου 2000-2200 W/m·K, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας από συσκευές υψηλής ισχύος.
Ιδιότητες υλικού GaN:
Ευρύ ενεργειακό χάσμα: Το στρώμα GaN επωφελείται από ένα ευρύ ενεργειακό χάσμα (~3,4 eV), το οποίο επιτρέπει τη λειτουργία σε αντίξοα περιβάλλοντα, συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας.
Κινητικότητα Ηλεκτρονίων: Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (περίπου 2000 cm²/V·s), που οδηγεί σε ταχύτερη μεταγωγή και υψηλότερες συχνότητες λειτουργίας.
Υψηλή τάση διάσπασης: Η τάση διάσπασης του GaN είναι πολύ υψηλότερη από τα συμβατικά ημιαγωγικά υλικά, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές που απαιτούν μεγάλη κατανάλωση ενέργειας.
Ηλεκτρική απόδοση:
Υψηλή πυκνότητα ισχύος: Τα πλακίδια GaN-on-Diamond επιτρέπουν υψηλή ισχύ εξόδου διατηρώντας παράλληλα έναν μικρό συντελεστή μορφής, ιδανικό για ενισχυτές ισχύος και συστήματα RF.
Χαμηλές απώλειες: Ο συνδυασμός της απόδοσης του GaN και της απαγωγής θερμότητας του διαμαντιού οδηγεί σε χαμηλότερες απώλειες ισχύος κατά τη λειτουργία.
Ποιότητα επιφάνειας:
Υψηλής Ποιότητας Επιταξιακή Ανάπτυξη: Το στρώμα GaN αναπτύσσεται επιταξιακά στο υπόστρωμα διαμαντιού, εξασφαλίζοντας ελάχιστη πυκνότητα εξάρθρωσης, υψηλή κρυσταλλική ποιότητα και βέλτιστη απόδοση της συσκευής.
Ομοιομορφία:
Ομοιομορφία πάχους και σύνθεσης: Τόσο το στρώμα GaN όσο και το υπόστρωμα διαμαντιού διατηρούν εξαιρετική ομοιομορφία, η οποία είναι κρίσιμη για τη συνεπή απόδοση και αξιοπιστία της συσκευής.
Χημική σταθερότητα:
Τόσο το GaN όσο και το διαμάντι προσφέρουν εξαιρετική χημική σταθερότητα, επιτρέποντας σε αυτά τα πλακίδια να λειτουργούν αξιόπιστα σε σκληρά χημικά περιβάλλοντα.
Εφαρμογές
Ενισχυτές ισχύος RF:
Τα πλακίδια GaN-on-Diamond είναι ιδανικά για ενισχυτές ισχύος RF σε τηλεπικοινωνίες, συστήματα ραντάρ και δορυφορικές επικοινωνίες, προσφέροντας υψηλή απόδοση και αξιοπιστία σε υψηλές συχνότητες (π.χ., 2 GHz έως 20 GHz και άνω).
Επικοινωνία μικροκυμάτων:
Αυτά τα πλακίδια υπερέχουν σε συστήματα επικοινωνίας μικροκυμάτων, όπου η υψηλή ισχύς εξόδου και η ελάχιστη υποβάθμιση του σήματος είναι κρίσιμες.
Τεχνολογίες ραντάρ και ανίχνευσης:
Τα πλακίδια GaN-on-Diamond χρησιμοποιούνται ευρέως σε συστήματα ραντάρ, παρέχοντας ισχυρή απόδοση σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος, ειδικά στους στρατιωτικούς, αυτοκινητιστικούς και αεροδιαστημικούς τομείς.
Δορυφορικά συστήματα:
Στα συστήματα δορυφορικής επικοινωνίας, αυτά τα πλακίδια εξασφαλίζουν την ανθεκτικότητα και την υψηλή απόδοση των ενισχυτών ισχύος, ικανών να λειτουργούν σε ακραίες περιβαλλοντικές συνθήκες.
Ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος:
Οι δυνατότητες θερμικής διαχείρισης του GaN-on-Diamond το καθιστούν κατάλληλο για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, όπως μετατροπείς ισχύος, μετατροπείς και ρελέ στερεάς κατάστασης.
Συστήματα Θερμικής Διαχείρισης:
Λόγω της υψηλής θερμικής αγωγιμότητας του διαμαντιού, αυτά τα πλακίδια μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε εφαρμογές που απαιτούν ισχυρή θερμική διαχείριση, όπως συστήματα LED υψηλής ισχύος και λέιζερ.
Ερωτήσεις και απαντήσεις για τα GaN-on-Diamond Wafers
Ε1: Ποιο είναι το πλεονέκτημα της χρήσης πλακιδίων GaN-on-Diamond σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας;
Α1:Τα πλακίδια GaN-on-Diamond συνδυάζουν την υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων και το μεγάλο ενεργειακό χάσμα του GaN με την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα του διαμαντιού. Αυτό επιτρέπει στις συσκευές υψηλής συχνότητας να λειτουργούν σε υψηλότερα επίπεδα ισχύος, διαχειριζόμενες αποτελεσματικά τη θερμότητα, εξασφαλίζοντας μεγαλύτερη απόδοση και αξιοπιστία σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά.
Ε2: Μπορούν οι πλακέτες GaN-on-Diamond να προσαρμοστούν για συγκεκριμένες απαιτήσεις ισχύος και συχνότητας;
Α2:Ναι, οι πλακέτες GaN-on-Diamond προσφέρουν προσαρμόσιμες επιλογές, όπως πάχος επιταξιακής στρώσης (0,6 µm έως 2,5 µm), μέγεθος πλακέτας (4 ίντσες, 6 ίντσες) και άλλες παραμέτρους που βασίζονται στις συγκεκριμένες ανάγκες της εφαρμογής, παρέχοντας ευελιξία για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
Ε3: Ποια είναι τα βασικά οφέλη του διαμαντιού ως υπόστρωμα για το GaN;
Α3:Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα του Diamond (έως 2200 W/m·K) βοηθά στην αποτελεσματική διάχυση της θερμότητας που παράγεται από συσκευές GaN υψηλής ισχύος. Αυτή η δυνατότητα θερμικής διαχείρισης επιτρέπει στις συσκευές GaN-on-Diamond να λειτουργούν σε υψηλότερες πυκνότητες ισχύος και συχνότητες, εξασφαλίζοντας βελτιωμένη απόδοση της συσκευής και μακροζωία.
Ε4: Είναι οι πλακέτες GaN-on-Diamond κατάλληλες για διαστημικές ή αεροδιαστημικές εφαρμογές;
Α4:Ναι, οι πλακέτες GaN-on-Diamond είναι κατάλληλες για διαστημικές και αεροδιαστημικές εφαρμογές λόγω της υψηλής αξιοπιστίας τους, των δυνατοτήτων θερμικής διαχείρισης και της απόδοσής τους σε ακραίες συνθήκες, όπως υψηλή ακτινοβολία, διακυμάνσεις θερμοκρασίας και λειτουργία υψηλής συχνότητας.
Ε5: Ποια είναι η αναμενόμενη διάρκεια ζωής των συσκευών που κατασκευάζονται από πλακίδια GaN-on-Diamond;
Α5:Ο συνδυασμός της εγγενούς ανθεκτικότητας του GaN και των εξαιρετικών ιδιοτήτων απαγωγής θερμότητας του διαμαντιού έχει ως αποτέλεσμα τη μεγάλη διάρκεια ζωής των συσκευών. Οι συσκευές GaN-on-Diamond έχουν σχεδιαστεί για να λειτουργούν σε σκληρά περιβάλλοντα και συνθήκες υψηλής ισχύος με ελάχιστη υποβάθμιση με την πάροδο του χρόνου.
Ε6: Πώς επηρεάζει η θερμική αγωγιμότητα του διαμαντιού τη συνολική απόδοση των πλακιδίων GaN-on-Diamond;
Α6:Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα του διαμαντιού παίζει κρίσιμο ρόλο στη βελτίωση της απόδοσης των πλακιδίων GaN-on-Diamond, απομακρύνοντας αποτελεσματικά τη θερμότητα που παράγεται σε εφαρμογές υψηλής ισχύος. Αυτό διασφαλίζει ότι οι συσκευές GaN διατηρούν βέλτιστη απόδοση, μειώνουν τη θερμική καταπόνηση και αποφεύγουν την υπερθέρμανση, η οποία αποτελεί κοινή πρόκληση στις συμβατικές συσκευές ημιαγωγών.
Ε7: Ποιες είναι οι τυπικές εφαρμογές όπου οι πλακέτες GaN-on-Diamond έχουν καλύτερες επιδόσεις από άλλα ημιαγωγικά υλικά;
Α7:Τα πλακίδια GaN-on-Diamond έχουν καλύτερες επιδόσεις από άλλα υλικά σε εφαρμογές που απαιτούν υψηλή διαχείριση ισχύος, λειτουργία υψηλής συχνότητας και αποτελεσματική θερμική διαχείριση. Αυτό περιλαμβάνει ενισχυτές ισχύος RF, συστήματα ραντάρ, επικοινωνία μικροκυμάτων, δορυφορική επικοινωνία και άλλα ηλεκτρονικά συστήματα υψηλής ισχύος.
Σύναψη
Τα πλακίδια GaN-on-Diamond προσφέρουν μια μοναδική λύση για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και ισχύος, συνδυάζοντας την υψηλή απόδοση του GaN με τις εξαιρετικές θερμικές ιδιότητες του διαμαντιού. Με προσαρμόσιμα χαρακτηριστικά, έχουν σχεδιαστεί για να καλύπτουν τις ανάγκες των βιομηχανιών που απαιτούν αποτελεσματική παροχή ισχύος, θερμική διαχείριση και λειτουργία υψηλής συχνότητας, εξασφαλίζοντας αξιοπιστία και μακροζωία σε απαιτητικά περιβάλλοντα.
Λεπτομερές Διάγραμμα
