Διαμέτρου πλακιδίου HPSI SiC: 3 ίντσες πάχος: 350um± 25 µm για ηλεκτρονικά ισχύος
Εφαρμογή
Τα πλακίδια HPSI SiC χρησιμοποιούνται σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών ηλεκτρονικής ισχύος, όπως:
Ημιαγωγοί Ισχύος:Τα πλακίδια SiC χρησιμοποιούνται συνήθως στην παραγωγή διόδων ισχύος, τρανζίστορ (MOSFET, IGBT) και θυρίστορ. Αυτοί οι ημιαγωγοί χρησιμοποιούνται ευρέως σε εφαρμογές μετατροπής ισχύος που απαιτούν υψηλή απόδοση και αξιοπιστία, όπως σε βιομηχανικούς κινητήρες, τροφοδοτικά και μετατροπείς για συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.
Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Στα συστήματα μετάδοσης κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων, οι συσκευές ισχύος που βασίζονται στο SiC παρέχουν ταχύτερες ταχύτητες μεταγωγής, υψηλότερη ενεργειακή απόδοση και μειωμένες θερμικές απώλειες. Τα εξαρτήματα SiC είναι ιδανικά για εφαρμογές σε συστήματα διαχείρισης μπαταριών (BMS), υποδομές φόρτισης και ενσωματωμένους φορτιστές (OBC), όπου η ελαχιστοποίηση του βάρους και η μεγιστοποίηση της απόδοσης μετατροπής ενέργειας είναι κρίσιμη.
Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:Τα πλακίδια SiC χρησιμοποιούνται όλο και περισσότερο σε ηλιακούς μετατροπείς, ανεμογεννήτριες και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας, όπου η υψηλή απόδοση και η ανθεκτικότητα είναι απαραίτητες. Τα εξαρτήματα που βασίζονται στο SiC επιτρέπουν υψηλότερη πυκνότητα ισχύος και βελτιωμένη απόδοση σε αυτές τις εφαρμογές, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση μετατροπής ενέργειας.
Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά Ισχύος:Σε βιομηχανικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης, όπως κινητήρες, ρομποτική και τροφοδοτικά μεγάλης κλίμακας, η χρήση πλακιδίων SiC επιτρέπει βελτιωμένη απόδοση όσον αφορά την αποδοτικότητα, την αξιοπιστία και τη θερμική διαχείριση. Οι συσκευές SiC μπορούν να χειριστούν υψηλές συχνότητες μεταγωγής και υψηλές θερμοκρασίες, καθιστώντας τες κατάλληλες για απαιτητικά περιβάλλοντα.
Τηλεπικοινωνίες και Κέντρα Δεδομένων:Το SiC χρησιμοποιείται σε τροφοδοτικά για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό και κέντρα δεδομένων, όπου η υψηλή αξιοπιστία και η αποτελεσματική μετατροπή ισχύος είναι ζωτικής σημασίας. Οι συσκευές ισχύος που βασίζονται στο SiC επιτρέπουν υψηλότερη απόδοση σε μικρότερα μεγέθη, γεγονός που μεταφράζεται σε μειωμένη κατανάλωση ενέργειας και καλύτερη απόδοση ψύξης σε υποδομές μεγάλης κλίμακας.
Η υψηλή τάση διάσπασης, η χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης και η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα των πλακιδίων SiC τα καθιστούν το ιδανικό υπόστρωμα για αυτές τις προηγμένες εφαρμογές, επιτρέποντας την ανάπτυξη ενεργειακά αποδοτικών ηλεκτρονικών ισχύος επόμενης γενιάς.
Σκηνικά θέατρου
| Ιδιοκτησία | Αξία |
| Διάμετρος γκοφρέτας | 3 ίντσες (76,2 χιλιοστά) |
| Πάχος γκοφρέτας | 350 µm ± 25 µm |
| Προσανατολισμός πλακιδίων | <0001> επί του άξονα ± 0,5° |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Ηλεκτρική αντίσταση | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Προσμίκτης | Χωρίς ντοπαρίσματα |
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | {11-20} ± 5,0° |
| Κύριο επίπεδο μήκος | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Δευτερεύον επίπεδο μήκος | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός | Si με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από το πρωτεύον επίπεδο ± 5,0° |
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά |
| LTV/TTV/Τόξο/Στημόνι | 3 μm / 10 μm / ±30 μm / 40 μm |
| Τραχύτητα επιφάνειας | C-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Si-πρόσωπο: CMP |
| Ρωγμές (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | Κανένας |
| Εξαγωνικές πλάκες (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | Κανένας |
| Περιοχές πολυτύπου (επιθεωρούμενες με φως υψηλής έντασης) | Συνολική έκταση 5% |
| Γρατζουνιές (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης) | ≤ 5 γρατσουνιές, συνολικό μήκος ≤ 150 mm |
| Αποκοπή άκρων | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥ 0,5 mm |
| Επιφανειακή μόλυνση (επιθεώρηση με φως υψηλής έντασης) | Κανένας |
Βασικά οφέλη
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα:Τα πλακίδια SiC είναι γνωστά για την εξαιρετική τους ικανότητα να διαχέουν τη θερμότητα, η οποία επιτρέπει στις συσκευές ισχύος να λειτουργούν με υψηλότερη απόδοση και να διαχειρίζονται υψηλότερα ρεύματα χωρίς υπερθέρμανση. Αυτό το χαρακτηριστικό είναι κρίσιμο στα ηλεκτρονικά ισχύος, όπου η διαχείριση της θερμότητας αποτελεί σημαντική πρόκληση.
Υψηλή τάση διακοπής:Το μεγάλο ενεργειακό χάσμα του SiC επιτρέπει στις συσκευές να ανέχονται υψηλότερα επίπεδα τάσης, καθιστώντας τες ιδανικές για εφαρμογές υψηλής τάσης, όπως δίκτυα ηλεκτρικής ενέργειας, ηλεκτρικά οχήματα και βιομηχανικά μηχανήματα.
Υψηλή απόδοση:Ο συνδυασμός υψηλών συχνοτήτων μεταγωγής και χαμηλής αντίστασης έχει ως αποτέλεσμα συσκευές με χαμηλότερη απώλεια ενέργειας, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση της μετατροπής ισχύος και μειώνοντας την ανάγκη για πολύπλοκα συστήματα ψύξης.
Αξιοπιστία σε Δύσκολα Περιβάλλοντα:Το SiC είναι ικανό να λειτουργεί σε υψηλές θερμοκρασίες (έως 600°C), γεγονός που το καθιστά κατάλληλο για χρήση σε περιβάλλοντα που διαφορετικά θα προκαλούσαν ζημιά στις παραδοσιακές συσκευές με βάση το πυρίτιο.
Εξοικονόμηση ενέργειας:Οι συσκευές ισχύος SiC βελτιώνουν την απόδοση μετατροπής ενέργειας, η οποία είναι κρίσιμη για τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας, ειδικά σε μεγάλα συστήματα όπως οι βιομηχανικοί μετατροπείς ισχύος, τα ηλεκτρικά οχήματα και οι υποδομές ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.
Λεπτομερές Διάγραμμα
