Διάμετρος γκοφρέτας HPSI SiC: Πάχος 3 ιντσών: 350um± 25 μm για ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος

Διάμετρος γκοφρέτας HPSI SiC: Πάχος 3 ιντσών: 350um± 25 μm για Power Electronics Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Η γκοφρέτα SiC HPSI (High-Purity Carbide Silicon) με διάμετρο 3 ιντσών και πάχος 350 μm ± 25 μm έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος που απαιτούν υποστρώματα υψηλής απόδοσης. Αυτή η γκοφρέτα SiC προσφέρει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα, υψηλή τάση διάσπασης και απόδοση σε υψηλές θερμοκρασίες λειτουργίας, καθιστώντας την ιδανική επιλογή για την αυξανόμενη ζήτηση για ενεργειακά αποδοτικές και στιβαρές ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος. Οι γκοφρέτες SiC είναι ιδιαίτερα κατάλληλες για εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλού ρεύματος και υψηλής συχνότητας, όπου τα παραδοσιακά υποστρώματα πυριτίου δεν ανταποκρίνονται στις λειτουργικές απαιτήσεις.
Η γκοφρέτα HPSI SiC μας, που κατασκευάζεται με τις πιο πρόσφατες κορυφαίες στον κλάδο τεχνικές, διατίθεται σε διάφορες ποιότητες, καθεμία από τις οποίες έχει σχεδιαστεί για να ανταποκρίνεται σε συγκεκριμένες απαιτήσεις κατασκευής. Η γκοφρέτα παρουσιάζει εξαιρετική δομική ακεραιότητα, ηλεκτρικές ιδιότητες και ποιότητα επιφάνειας, διασφαλίζοντας ότι μπορεί να προσφέρει αξιόπιστη απόδοση σε απαιτητικές εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένων των ημιαγωγών ισχύος, των ηλεκτρικών οχημάτων (EVs), των συστημάτων ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και της μετατροπής βιομηχανικής ισχύος.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Εφαρμογή

Οι γκοφρέτες HPSI SiC χρησιμοποιούνται σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών ηλεκτρονικών ισχύος, όπως:

Ημιαγωγοί ισχύος:Οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται συνήθως στην παραγωγή διόδων ισχύος, τρανζίστορ (MOSFET, IGBT) και θυρίστορ. Αυτοί οι ημιαγωγοί χρησιμοποιούνται ευρέως σε εφαρμογές μετατροπής ισχύος που απαιτούν υψηλή απόδοση και αξιοπιστία, όπως σε βιομηχανικούς κινητήρες, τροφοδοτικά και μετατροπείς για συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.
Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Στα συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων, οι συσκευές ισχύος που βασίζονται σε SiC παρέχουν μεγαλύτερες ταχύτητες μεταγωγής, υψηλότερη ενεργειακή απόδοση και μειωμένες θερμικές απώλειες. Τα στοιχεία SiC είναι ιδανικά για εφαρμογές σε συστήματα διαχείρισης μπαταριών (BMS), υποδομές φόρτισης και ενσωματωμένους φορτιστές (OBC), όπου η ελαχιστοποίηση του βάρους και η μεγιστοποίηση της απόδοσης μετατροπής ενέργειας είναι κρίσιμης σημασίας.

Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:Οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται όλο και περισσότερο σε ηλιακούς μετατροπείς, γεννήτριες ανεμογεννητριών και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας, όπου η υψηλή απόδοση και η στιβαρότητα είναι απαραίτητες. Τα εξαρτήματα που βασίζονται σε SiC επιτρέπουν υψηλότερη πυκνότητα ισχύος και βελτιωμένη απόδοση σε αυτές τις εφαρμογές, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση μετατροπής ενέργειας.

Βιομηχανικά Ηλεκτρονικά Ισχύος:Σε βιομηχανικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης, όπως ηλεκτροκινητήρες, ρομποτική και τροφοδοτικά μεγάλης κλίμακας, η χρήση πλακιδίων SiC επιτρέπει βελτιωμένη απόδοση όσον αφορά την απόδοση, την αξιοπιστία και τη θερμική διαχείριση. Οι συσκευές SiC μπορούν να χειριστούν υψηλές συχνότητες μεταγωγής και υψηλές θερμοκρασίες, καθιστώντας τις κατάλληλες για απαιτητικά περιβάλλοντα.

Τηλεπικοινωνίες και Κέντρα Δεδομένων:Το SiC χρησιμοποιείται σε τροφοδοτικά για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό και κέντρα δεδομένων, όπου η υψηλή αξιοπιστία και η αποτελεσματική μετατροπή ισχύος είναι ζωτικής σημασίας. Οι συσκευές ισχύος που βασίζονται σε SiC επιτρέπουν υψηλότερη απόδοση σε μικρότερα μεγέθη, κάτι που μεταφράζεται σε μειωμένη κατανάλωση ενέργειας και καλύτερη απόδοση ψύξης σε υποδομές μεγάλης κλίμακας.

Η υψηλή τάση διάσπασης, η χαμηλή αντίσταση και η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα των πλακών SiC τα καθιστούν το ιδανικό υπόστρωμα για αυτές τις προηγμένες εφαρμογές, επιτρέποντας την ανάπτυξη ηλεκτρονικών ισχύος επόμενης γενιάς με ενεργειακή απόδοση.

Σκηνικά θέατρου

Ιδιοκτησία	Αξία
Διάμετρος γκοφρέτας	3 ίντσες (76,2 mm)
Πάχος γκοφρέτας	350 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός γκοφρέτας	<0001> επί άξονα ± 0,5°
Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Ηλεκτρική αντίσταση	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Ανεκμετάλλευτη
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	{11-20} ± 5,0°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	32,5 mm ± 3,0 mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος	18,0 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	Si όψη προς τα επάνω: 90° CW από πρωτεύον επίπεδο ± 5,0°
Εξαίρεση άκρων	3 χλστ
LTV / TTV / Τόξο / Warp	3 μm / 10 μm / ±30 μm / 40 μm
Επιφανειακή τραχύτητα	Γ-πρόσωπο: Γυαλισμένο, Πρόσωπο Si: CMP
Ρωγμές (επιθεωρούνται από φως υψηλής έντασης)	Κανένας
Εξαγωνικές πλάκες (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης)	Κανένας
Περιοχές πολυτύπου (επιθεωρημένες με φως υψηλής έντασης)	Σωρευτική επιφάνεια 5%
Γρατσουνιές (επιθεωρούνται από φως υψηλής έντασης)	≤ 5 γρατσουνιές, αθροιστικό μήκος ≤ 150 mm
Σκίσιμο άκρων	Κανένα δεν επιτρέπεται ≥ 0,5 mm πλάτος και βάθος
Επιφανειακή μόλυνση (επιθεωρείται με φως υψηλής έντασης)	Κανένας

Βασικά Οφέλη

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα:Οι γκοφρέτες SiC είναι γνωστές για την εξαιρετική τους ικανότητα να διαχέουν τη θερμότητα, η οποία επιτρέπει στις συσκευές ισχύος να λειτουργούν με υψηλότερη απόδοση και να χειρίζονται υψηλότερα ρεύματα χωρίς υπερθέρμανση. Αυτό το χαρακτηριστικό είναι ζωτικής σημασίας στα ηλεκτρονικά ισχύος όπου η διαχείριση θερμότητας αποτελεί σημαντική πρόκληση.
Υψηλή τάση διάσπασης:Το μεγάλο bandgap του SiC επιτρέπει στις συσκευές να ανέχονται υψηλότερα επίπεδα τάσης, καθιστώντας τις ιδανικές για εφαρμογές υψηλής τάσης, όπως δίκτυα ισχύος, ηλεκτρικά οχήματα και βιομηχανικά μηχανήματα.
Υψηλή απόδοση:Ο συνδυασμός υψηλών συχνοτήτων μεταγωγής και χαμηλής αντίστασης ενεργοποίησης έχει ως αποτέλεσμα συσκευές με χαμηλότερη απώλεια ενέργειας, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση της μετατροπής ισχύος και μειώνοντας την ανάγκη για πολύπλοκα συστήματα ψύξης.
Αξιοπιστία σε σκληρά περιβάλλοντα:Το SiC μπορεί να λειτουργεί σε υψηλές θερμοκρασίες (έως 600°C), γεγονός που το καθιστά κατάλληλο για χρήση σε περιβάλλοντα που διαφορετικά θα έβλαπταν τις παραδοσιακές συσκευές με βάση το πυρίτιο.
Εξοικονόμηση ενέργειας:Οι συσκευές ισχύος SiC βελτιώνουν την απόδοση μετατροπής ενέργειας, η οποία είναι κρίσιμη για τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας, ειδικά σε μεγάλα συστήματα όπως οι βιομηχανικοί μετατροπείς ισχύος, τα ηλεκτρικά οχήματα και οι υποδομές ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.