Δισκίο HPSI SiCOI 4 6 ιντσών υδρόφιλης συγκόλλησης

Προτεινόμενη εικόνα υδρόφιλης σύνδεσης HPSI SiCOI 4 6 ιντσών

Σύντομη Περιγραφή:

Οι ημιμονωτικές πλακέτες (HPSI) 4H-SiCOI υψηλής καθαρότητας αναπτύσσονται χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνολογίες συγκόλλησης και αραίωσης. Οι πλακέτες κατασκευάζονται με συγκόλληση υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου 4H HPSI σε στρώματα θερμικού οξειδίου μέσω δύο βασικών μεθόδων: υδρόφιλη (άμεση) συγκόλληση και επιφανειακά ενεργοποιούμενη συγκόλληση. Η τελευταία εισάγει ένα ενδιάμεσο τροποποιημένο στρώμα (όπως άμορφο πυρίτιο, οξείδιο του αργιλίου ή οξείδιο του τιτανίου) για τη βελτίωση της ποιότητας της συγκόλλησης και τη μείωση των φυσαλίδων, ιδιαίτερα κατάλληλο για οπτικές εφαρμογές. Ο έλεγχος του πάχους του στρώματος καρβιδίου του πυριτίου επιτυγχάνεται μέσω SmartCut που βασίζεται στην εμφύτευση ιόντων ή μέσω διαδικασιών λείανσης και στίλβωσης CMP. Το SmartCut προσφέρει ομοιομορφία πάχους υψηλής ακρίβειας (50nm–900nm με ομοιομορφία ±20nm), αλλά μπορεί να προκαλέσει ελαφρά ζημιά στους κρυστάλλους λόγω εμφύτευσης ιόντων, επηρεάζοντας την απόδοση της οπτικής συσκευής. Η λείανση και η στίλβωση CMP αποφεύγουν τη ζημιά στο υλικό και προτιμώνται για παχύτερες μεμβράνες (350nm–500µm) και κβαντικές ή PIC εφαρμογές, αν και με μικρότερη ομοιομορφία πάχους (±100nm). Τα τυπικά πλακίδια 6 ιντσών διαθέτουν στρώμα SiC πάχους 1µm ±0,1µm σε στρώμα SiO2 πάχους 3µm πάνω σε υποστρώματα Si 675µm με εξαιρετική λεία επιφάνεια (Rq < 0,2nm). Αυτά τα πλακίδια HPSI SiCOI καλύπτουν την κατασκευή συσκευών MEMS, PIC, κβαντικών και οπτικών με εξαιρετική ποιότητα υλικών και ευελιξία στη διαδικασία.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Επισκόπηση ιδιοτήτων πλακιδίων SiCOI (καρβιδίου πυριτίου σε μονωτή)

Τα πλακίδια SiCOI είναι ένα υπόστρωμα ημιαγωγών νέας γενιάς που συνδυάζει καρβίδιο του πυριτίου (SiC) με ένα μονωτικό στρώμα, συχνά SiO₂ ή ζαφείρι, για τη βελτίωση της απόδοσης στα ηλεκτρονικά ισχύος, τις ραδιοσυχνότητες και τη φωτονική. Παρακάτω παρουσιάζεται μια λεπτομερής επισκόπηση των ιδιοτήτων τους, κατηγοριοποιημένες σε βασικές ενότητες:

Ιδιοκτησία	Περιγραφή
Σύνθεση Υλικού	Στρώμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) συγκολλημένο σε μονωτικό υπόστρωμα (συνήθως SiO₂ ή ζαφείρι)
Κρυσταλλική Δομή	Συνήθως πολυτύποι 4H ή 6H SiC, γνωστοί για την υψηλή κρυσταλλική ποιότητα και ομοιομορφία τους.
Ηλεκτρικές Ιδιότητες	Υψηλό ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης (~3 MV/cm), ευρύ ενεργειακό χάσμα (~3,26 eV για 4H-SiC), χαμηλό ρεύμα διαρροής
Θερμική αγωγιμότητα	Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (~300 W/m·K), επιτρέποντας αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας
Διηλεκτρικό στρώμα	Το μονωτικό στρώμα (SiO₂ ή ζαφείρι) παρέχει ηλεκτρική απομόνωση και μειώνει την παρασιτική χωρητικότητα
Μηχανικές Ιδιότητες	Υψηλή σκληρότητα (~9 κλίμακα Mohs), εξαιρετική μηχανική αντοχή και θερμική σταθερότητα
Φινίρισμα επιφάνειας	Συνήθως εξαιρετικά λείο με χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων, κατάλληλο για κατασκευή συσκευών
Εφαρμογές	Ηλεκτρονικά ισχύος, συσκευές MEMS, συσκευές RF, αισθητήρες που απαιτούν υψηλή ανοχή θερμοκρασίας και τάσης

Τα πλακίδια SiCOI (Silicon Carbide-on-Insulator) αντιπροσωπεύουν μια προηγμένη δομή υποστρώματος ημιαγωγών, που αποτελείται από ένα λεπτό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) υψηλής ποιότητας συνδεδεμένο σε ένα μονωτικό στρώμα, συνήθως διοξείδιο του πυριτίου (SiO₂) ή ζαφείρι. Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένας ημιαγωγός με ευρύ ενεργειακό χάσμα γνωστός για την ικανότητά του να αντέχει σε υψηλές τάσεις και υψηλές θερμοκρασίες, μαζί με εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και ανώτερη μηχανική σκληρότητα, καθιστώντας το ιδανικό για ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας.

Το μονωτικό στρώμα στις πλακέτες SiCOI παρέχει αποτελεσματική ηλεκτρική απομόνωση, μειώνοντας σημαντικά την παρασιτική χωρητικότητα και τα ρεύματα διαρροής μεταξύ των συσκευών, βελτιώνοντας έτσι τη συνολική απόδοση και αξιοπιστία της συσκευής. Η επιφάνεια της πλακέτας είναι γυαλισμένη με ακρίβεια για να επιτευχθεί εξαιρετικά λεία επιφάνεια με ελάχιστα ελαττώματα, καλύπτοντας τις αυστηρές απαιτήσεις κατασκευής συσκευών σε μικρο- και νανοκλίμακα.

Αυτή η δομή υλικού όχι μόνο βελτιώνει τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά των συσκευών SiC, αλλά ενισχύει επίσης σημαντικά τη θερμική διαχείριση και τη μηχανική σταθερότητα. Ως αποτέλεσμα, οι πλακέτες SiCOI χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικά ισχύος, εξαρτήματα ραδιοσυχνοτήτων (RF), αισθητήρες μικροηλεκτρομηχανικών συστημάτων (MEMS) και ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας. Συνολικά, οι πλακέτες SiCOI συνδυάζουν τις εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες του καρβιδίου του πυριτίου με τα πλεονεκτήματα ηλεκτρικής απομόνωσης ενός μονωτικού στρώματος, παρέχοντας μια ιδανική βάση για την επόμενη γενιά ημιαγωγικών συσκευών υψηλής απόδοσης.

Εφαρμογή πλακιδίων SiCOI

Συσκευές Ηλεκτρονικής Ισχύος

Διακόπτες υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος, MOSFET και δίοδοι

Επωφεληθείτε από το μεγάλο ενεργειακό χάσμα, την υψηλή τάση διάσπασης και τη θερμική σταθερότητα του SiC

Μειωμένες απώλειες ισχύος και βελτιωμένη απόδοση σε συστήματα μετατροπής ισχύος

Στοιχεία Ραδιοσυχνοτήτων (RF)

Τρανζίστορ και ενισχυτές υψηλής συχνότητας

Η χαμηλή παρασιτική χωρητικότητα λόγω του μονωτικού στρώματος βελτιώνει την απόδοση RF

Κατάλληλο για συστήματα επικοινωνίας και ραντάρ 5G

Μικροηλεκτρομηχανικά Συστήματα (MEMS)

Αισθητήρες και ενεργοποιητές που λειτουργούν σε αντίξοα περιβάλλοντα

Η μηχανική ανθεκτικότητα και η χημική αδράνεια παρατείνουν τη διάρκεια ζωής της συσκευής

Περιλαμβάνει αισθητήρες πίεσης, επιταχυνσιόμετρα και γυροσκόπια

Ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας

Ηλεκτρονικά για αυτοκινητοβιομηχανικές, αεροδιαστημικές και βιομηχανικές εφαρμογές

Αξιόπιστη λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίες όπου το πυρίτιο αποτυγχάνει

Φωτονικές Συσκευές

Ενσωμάτωση με οπτοηλεκτρονικά εξαρτήματα σε υποστρώματα μονωτήρων

Επιτρέπει την ενσωματωμένη φωτονική με βελτιωμένη θερμική διαχείριση

Ερωτήσεις και απαντήσεις για τα πλακίδια SiCOI

Ε:Τι είναι η γκοφρέτα SiCOI

ΕΝΑ:Το SiCOI wafer σημαίνει Silicon Carbide-on-Insulator wafer. Είναι ένας τύπος ημιαγωγικού υποστρώματος όπου ένα λεπτό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) συνδέεται με ένα μονωτικό στρώμα, συνήθως διοξείδιο του πυριτίου (SiO₂) ή μερικές φορές ζαφείρι. Αυτή η δομή είναι παρόμοια σε ιδέα με τις γνωστές wafer Silicon-on-Insulator (SOI) αλλά χρησιμοποιεί SiC αντί για πυρίτιο.