Δισκία αντιμονιδίου ινδίου (InSb) τύπου N τύπου P, έτοιμα για Epi, χωρίς επίστρωση, με πρόσμειξη Te ή Ge, πάχους 2 ιντσών και 3 ιντσών και 4 ιντσών, Δισκία αντιμονιδίου ινδίου (InSb)

Σύντομη Περιγραφή:

Οι πλακέτες αντιμονιδίου ινδίου (InSb) αποτελούν βασικό συστατικό σε ηλεκτρονικές και οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης. Αυτές οι πλακέτες διατίθενται σε διάφορους τύπους, συμπεριλαμβανομένων των τύπου N, τύπου P και χωρίς προσθήκη, και μπορούν να προσμειχθούν με στοιχεία όπως το τελλούριο (Te) ή το γερμάνιο (Ge). Οι πλακέτες InSb χρησιμοποιούνται ευρέως στην ανίχνευση υπέρυθρης ακτινοβολίας, σε τρανζίστορ υψηλής ταχύτητας, σε συσκευές κβαντικών φρεατίων και σε άλλες εξειδικευμένες εφαρμογές λόγω της εξαιρετικής κινητικότητας ηλεκτρονίων και του στενού ενεργειακού χάσματος. Οι πλακέτες διατίθενται σε διαφορετικές διαμέτρους όπως 2 ίντσες, 3 ίντσες και 4 ίντσες, με ακριβή έλεγχο πάχους και γυαλισμένες/χαραγμένες επιφάνειες υψηλής ποιότητας.


Χαρακτηριστικά

Χαρακτηριστικά

Επιλογές ντόπινγκ:
1. Χωρίς ντοπαρίσματα:Αυτά τα πλακίδια είναι απαλλαγμένα από οποιουσδήποτε παράγοντες πρόσμιξης, καθιστώντας τα ιδανικά για εξειδικευμένες εφαρμογές όπως η επιταξιακή ανάπτυξη.
2.Te Doped (Τύπος Ν):Η προσθήκη τελλουρίου (Te) χρησιμοποιείται συνήθως για τη δημιουργία πλακιδίων τύπου Ν, τα οποία είναι ιδανικά για εφαρμογές όπως ανιχνευτές υπερύθρων και ηλεκτρονικά υψηλής ταχύτητας.
3.Ge Doped (Τύπος P):Η προσθήκη γερμανίου (Ge) χρησιμοποιείται για τη δημιουργία πλακιδίων τύπου P, προσφέροντας υψηλή κινητικότητα οπών για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών.

Επιλογές μεγέθους:
1. Διατίθενται σε διαμέτρους 2 ιντσών, 3 ιντσών και 4 ιντσών. Αυτές οι πλακέτες καλύπτουν διαφορετικές τεχνολογικές ανάγκες, από την έρευνα και ανάπτυξη έως την κατασκευή μεγάλης κλίμακας.
2. Οι ακριβείς ανοχές διαμέτρου εξασφαλίζουν συνέπεια σε όλες τις παρτίδες, με διαμέτρους 50,8 ± 0,3 mm (για γκοφρέτες 2 ιντσών) και 76,2 ± 0,3 mm (για γκοφρέτες 3 ιντσών).

Έλεγχος πάχους:
1. Οι γκοφρέτες διατίθενται με πάχος 500±5μm για βέλτιστη απόδοση σε διάφορες εφαρμογές.
2. Πρόσθετες μετρήσεις όπως η TTV (Μεταβολή Συνολικού Πάχους), το BOW και η Στρέβλωση ελέγχονται προσεκτικά για να εξασφαλιστεί υψηλή ομοιομορφία και ποιότητα.

Ποιότητα επιφάνειας:
1. Οι γκοφρέτες διαθέτουν γυαλισμένη/χαραγμένη επιφάνεια για βελτιωμένη οπτική και ηλεκτρική απόδοση.
2. Αυτές οι επιφάνειες είναι ιδανικές για επιταξιακή ανάπτυξη, προσφέροντας μια ομαλή βάση για περαιτέρω επεξεργασία σε συσκευές υψηλής απόδοσης.

Έτοιμο για επιδόσεις:
1. Τα πλακίδια InSb είναι έτοιμα για επιταξιακή εναπόθεση, που σημαίνει ότι έχουν υποστεί προεπεξεργασία για διεργασίες επιταξιακής εναπόθεσης. Αυτό τα καθιστά ιδανικά για εφαρμογές στην κατασκευή ημιαγωγών όπου πρέπει να αναπτυχθούν επιταξιακά στρώματα πάνω από το πλακίδιο.

Εφαρμογές

1. Ανιχνευτές υπερύθρων:Τα πλακίδια InSb χρησιμοποιούνται συνήθως στην ανίχνευση υπερύθρων (IR), ιδιαίτερα στην υπέρυθρη περιοχή μέσου μήκους κύματος (MWIR). Αυτά τα πλακίδια είναι απαραίτητα για εφαρμογές νυχτερινής όρασης, θερμικής απεικόνισης και φασματοσκοπίας υπερύθρου.

2. Ηλεκτρονικά υψηλής ταχύτητας:Λόγω της υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων τους, τα πλακίδια InSb χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ταχύτητας, όπως τρανζίστορ υψηλής συχνότητας, συσκευές κβαντικών φρεατίων και τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT).

3. Συσκευές κβαντικών φρεατίων:Το στενό ενεργειακό χάσμα και η εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων καθιστούν τα πλακίδια InSb κατάλληλα για χρήση σε συσκευές κβαντικών φρεατίων. Αυτές οι συσκευές αποτελούν βασικά εξαρτήματα σε λέιζερ, ανιχνευτές και άλλα οπτοηλεκτρονικά συστήματα.

4. Συσκευές Spintronic:Το InSb διερευνάται επίσης σε εφαρμογές σπιντρονικής, όπου το σπιν ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται για την επεξεργασία πληροφοριών. Η χαμηλή σύζευξη σπιν-τροχιάς του υλικού το καθιστά ιδανικό για αυτές τις συσκευές υψηλής απόδοσης.

5. Εφαρμογές ακτινοβολίας Terahertz (THz):Οι συσκευές που βασίζονται σε InSb χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές ακτινοβολίας THz, συμπεριλαμβανομένης της επιστημονικής έρευνας, της απεικόνισης και του χαρακτηρισμού υλικών. Επιτρέπουν προηγμένες τεχνολογίες όπως η φασματοσκοπία THz και τα συστήματα απεικόνισης THz.

6. Θερμοηλεκτρικές συσκευές:Οι μοναδικές ιδιότητες του InSb το καθιστούν ελκυστικό υλικό για θερμοηλεκτρικές εφαρμογές, όπου μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την αποτελεσματική μετατροπή της θερμότητας σε ηλεκτρική ενέργεια, ειδικά σε εξειδικευμένες εφαρμογές όπως η διαστημική τεχνολογία ή η παραγωγή ενέργειας σε ακραία περιβάλλοντα.

Παράμετροι προϊόντος

Παράμετρος

2 ίντσες

3 ιντσών

4 ιντσών

Διάμετρος 50,8±0,3 χιλιοστά 76,2±0,3 χιλιοστά -
Πάχος 500±5μm 650±5μm -
Επιφάνεια Γυαλισμένο/Χαρακτηρισμένο Γυαλισμένο/Χαρακτηρισμένο Γυαλισμένο/Χαρακτηρισμένο
Τύπος ντόπινγκ Μη ντοπαρισμένο, ντοπαρισμένο με Te (N), ντοπαρισμένο με Ge (P) Μη ντοπαρισμένο, ντοπαρισμένο με Te (N), ντοπαρισμένο με Ge (P) Μη ντοπαρισμένο, ντοπαρισμένο με Te (N), ντοπαρισμένο με Ge (P)
Προσανατολισμός (100) (100) (100)
Πακέτο Μονόκλινο Μονόκλινο Μονόκλινο
Epi-Ready Ναί Ναί Ναί

Ηλεκτρικές παράμετροι για Te Doped (Τύπος Ν):

  • Κινητικότητα: 2000-5000 cm²/V·s
  • Αντίσταση: (1-1000) Ω·cm
  • EPD (Πυκνότητα ελαττωμάτων): ≤2000 ελαττώματα/cm²

Ηλεκτρικές παράμετροι για Ge Doped (Τύπος P):

  • Κινητικότητα: 4000-8000 cm²/V·s
  • Αντίσταση: (0,5-5) Ω·cm
  • EPD (Πυκνότητα ελαττωμάτων): ≤2000 ελαττώματα/cm²

Σύναψη

Οι πλακέτες αντιμονιδίου ινδίου (InSb) αποτελούν απαραίτητο υλικό για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών υψηλής απόδοσης στους τομείς της ηλεκτρονικής, της οπτοηλεκτρονικής και των τεχνολογιών υπέρυθρης ακτινοβολίας. Με την εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων τους, τη χαμηλή σύζευξη σπιν-τροχιάς και μια ποικιλία επιλογών πρόσμιξης (Te για τύπο Ν, Ge για τύπο P), οι πλακέτες InSb είναι ιδανικές για χρήση σε συσκευές όπως ανιχνευτές υπέρυθρης ακτινοβολίας, τρανζίστορ υψηλής ταχύτητας, συσκευές κβαντικών φρεατίων και συσκευές σπιντρονικής.

Οι πλακέτες διατίθενται σε διάφορα μεγέθη (2 ιντσών, 3 ιντσών και 4 ιντσών), με ακριβή έλεγχο πάχους και επιφάνειες έτοιμες για επικάλυψη από επικαλυμμένα υλικά (epi-ready), διασφαλίζοντας ότι πληρούν τις αυστηρές απαιτήσεις της σύγχρονης κατασκευής ημιαγωγών. Αυτές οι πλακέτες είναι ιδανικές για εφαρμογές σε τομείς όπως η ανίχνευση υπέρυθρης ακτινοβολίας, τα ηλεκτρονικά υψηλής ταχύτητας και η ακτινοβολία THz, επιτρέποντας την εφαρμογή προηγμένων τεχνολογιών στην έρευνα, τη βιομηχανία και την άμυνα.

Λεπτομερές Διάγραμμα

Δισκίο InSb 2 ιντσών 3 ιντσών N ή P τύπου 01
Δισκίο InSb 2 ιντσών 3 ιντσών N ή P τύπου 02
Δισκίο InSb 2 ιντσών 3 ιντσών N ή P τύπου 03
Δισκίο InSb 2 ιντσών 3 ιντσών N ή P τύπου 04

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς