English

Ένας πλήρης οδηγός για πλακίδια καρβιδίου πυριτίου/πλακίδια SiC

Περίληψη πλακιδίων SiC

 Δισκία καρβιδίου του πυριτίου (SiC)έχουν γίνει το υπόστρωμα επιλογής για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας στους τομείς της αυτοκινητοβιομηχανίας, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και της αεροδιαστημικής. Το χαρτοφυλάκιό μας καλύπτει βασικούς πολυτύπους και σχήματα πρόσμιξης - 4H με πρόσμιξη αζώτου (4H-N), ημιμονωτικό υψηλής καθαρότητας (HPSI), 3C με πρόσμιξη αζώτου (3C-N) και 4H/6H τύπου p (4H/6H-P) - που προσφέρονται σε τρεις ποιότητες: PRIME (πλήρως γυαλισμένα, υποστρώματα ποιότητας συσκευής), DUMMY (επικαλυμμένα ή μη γυαλισμένα για δοκιμές διεργασιών) και RESEARCH (προσαρμοσμένα στρώματα epi και προφίλ πρόσμιξης για Έρευνα και Ανάπτυξη). Οι διάμετροι των πλακιδίων εκτείνονται σε 2″, 4″, 6″, 8″ και 12″ για να ταιριάζουν τόσο σε παλαιά εργαλεία όσο και σε προηγμένα εργοστάσια. Παρέχουμε επίσης μονοκρυσταλλικούς κρυστάλλους και κρυστάλλους σπόρων με ακριβή προσανατολισμό για την υποστήριξη της εσωτερικής ανάπτυξης κρυστάλλων.

Τα πλακίδια 4H-N μας διαθέτουν πυκνότητες φορέων από 1×10¹⁶ έως 1×10¹⁹ cm⁻³ και αντιστάσεις 0,01–10 Ω·cm, παρέχοντας εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων και πεδία διάσπασης άνω των 2 MV/cm—ιδανικά για διόδους Schottky, MOSFET και JFET. Τα υποστρώματα HPSI υπερβαίνουν την ειδική αντίσταση 1×10¹² Ω·cm με πυκνότητες μικροσωλήνων κάτω από 0,1 cm⁻², εξασφαλίζοντας ελάχιστη διαρροή για συσκευές RF και μικροκυμάτων. Το κυβικό 3C-N, διαθέσιμο σε μορφές 2″ και 4″, επιτρέπει την ετεροεπιταξία σε πυρίτιο και υποστηρίζει νέες φωτονικές και MEMS εφαρμογές. Τα πλακίδια τύπου P 4H/6H-P, με πρόσμιξη αλουμινίου έως 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, διευκολύνουν συμπληρωματικές αρχιτεκτονικές συσκευών.

Οι πλακέτες SiC και οι πλακέτες PRIME υφίστανται χημικο-μηχανική στίλβωση σε τραχύτητα επιφάνειας <0,2 nm RMS, συνολική διακύμανση πάχους κάτω από 3 µm και καμπύλη <10 µm. Τα υποστρώματα DUMMY επιταχύνουν τις δοκιμές συναρμολόγησης και συσκευασίας, ενώ οι πλακέτες RESEARCH διαθέτουν πάχος επιστρώσεων 2–30 µm και ειδική πρόσμιξη. Όλα τα προϊόντα πιστοποιούνται με περίθλαση ακτίνων Χ (καμπύλη ταλάντωσης <30 δευτερόλεπτα στροφής) και φασματοσκοπία Raman, με ηλεκτρικές δοκιμές - μετρήσεις Hall, δημιουργία προφίλ C–V και σάρωση μικροσωλήνων - διασφαλίζοντας τη συμμόρφωση με τα πρότυπα JEDEC και SEMI.

Οι κρύσταλλοι με διάμετρο έως 150 mm καλλιεργούνται μέσω PVT και CVD με πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω από 1×10³ cm⁻² και χαμηλό αριθμό μικροσωλήνων. Οι κρύσταλλοι σποράς κόβονται εντός 0,1° από τον άξονα c για να εγγυηθούν αναπαραγώγιμη ανάπτυξη και υψηλές αποδόσεις τεμαχισμού.

Συνδυάζοντας πολλαπλούς πολυτύπους, παραλλαγές πρόσμιξης, ποιοτικές βαθμίδες, μεγέθη πλακιδίων SiC και εσωτερική παραγωγή κρυστάλλων boule και seed-crystal, η πλατφόρμα υποστρωμάτων SiC μας βελτιστοποιεί τις αλυσίδες εφοδιασμού και επιταχύνει την ανάπτυξη συσκευών για ηλεκτρικά οχήματα, έξυπνα δίκτυα και εφαρμογές σε αντίξοες περιβαλλοντικές συνθήκες.

Περίληψη πλακιδίων SiC

 Δισκία καρβιδίου του πυριτίου (SiC)έχουν γίνει το υπόστρωμα SiC επιλογής για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας στους τομείς της αυτοκινητοβιομηχανίας, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και της αεροδιαστημικής. Το χαρτοφυλάκιό μας καλύπτει βασικούς πολυτύπους και σχήματα πρόσμιξης - 4H με πρόσμιξη αζώτου (4H-N), ημιμονωτικό υψηλής καθαρότητας (HPSI), 3C με πρόσμιξη αζώτου (3C-N) και 4H/6H τύπου p (4H/6H-P) - που προσφέρονται σε τρεις ποιότητες: πλακίδιο SiCPRIME (πλήρως γυαλισμένα, κατάλληλα για συσκευές υποστρώματα), DUMMY (με ή χωρίς γυαλιστερό υλικό για δοκιμές διεργασιών) και RESEARCH (προσαρμοσμένα στρώματα epi και προφίλ πρόσμιξης για Έρευνα και Ανάπτυξη). Οι διάμετροι των πλακιδίων SiC εκτείνονται σε 2″, 4″, 6″, 8″ και 12″, ώστε να ταιριάζουν τόσο σε παλαιότερα εργαλεία όσο και σε προηγμένα εργοστάσια. Παρέχουμε επίσης μονοκρυσταλλικούς κρυστάλλους και κρυστάλλους σπόρων με ακριβή προσανατολισμό για την υποστήριξη της εσωτερικής ανάπτυξης κρυστάλλων.

Οι πλακέτες SiC 4H-N μας διαθέτουν πυκνότητες φορέων από 1×10¹⁶ έως 1×10¹⁹ cm⁻³ και αντιστάσεις 0,01–10 Ω·cm, παρέχοντας εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων και πεδία διάσπασης άνω των 2 MV/cm—ιδανικά για διόδους Schottky, MOSFET και JFET. Τα υποστρώματα HPSI υπερβαίνουν την ειδική αντίσταση 1×10¹² Ω·cm με πυκνότητες μικροσωλήνων κάτω από 0,1 cm⁻², εξασφαλίζοντας ελάχιστη διαρροή για συσκευές RF και μικροκυμάτων. Το κυβικό 3C-N, διαθέσιμο σε μορφές 2″ και 4″, επιτρέπει την ετεροεπιταξία σε πυρίτιο και υποστηρίζει νέες φωτονικές εφαρμογές και εφαρμογές MEMS. Οι πλακέτες SiC τύπου P 4H/6H-P, με πρόσμιξη αλουμινίου έως 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, διευκολύνουν συμπληρωματικές αρχιτεκτονικές συσκευών.

Οι πλακέτες PRIME από πλακίδια SiC υφίστανται χημικο-μηχανική στίλβωση σε τραχύτητα επιφάνειας <0,2 nm RMS, συνολική διακύμανση πάχους κάτω από 3 µm και καμπύλη <10 µm. Τα υποστρώματα DUMMY επιταχύνουν τις δοκιμές συναρμολόγησης και συσκευασίας, ενώ οι πλακέτες RESEARCH διαθέτουν πάχος επιστρώσεων 2–30 µm και ειδική πρόσμιξη. Όλα τα προϊόντα πιστοποιούνται με περίθλαση ακτίνων Χ (καμπύλη ταλάντωσης <30 δευτερόλεπτα στροφής) και φασματοσκοπία Raman, με ηλεκτρικές δοκιμές - μετρήσεις Hall, δημιουργία προφίλ C–V και σάρωση μικροσωλήνων - διασφαλίζοντας τη συμμόρφωση με τα πρότυπα JEDEC και SEMI.

Οι κρύσταλλοι με διάμετρο έως 150 mm καλλιεργούνται μέσω PVT και CVD με πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω από 1×10³ cm⁻² και χαμηλό αριθμό μικροσωλήνων. Οι κρύσταλλοι σποράς κόβονται εντός 0,1° από τον άξονα c για να εγγυηθούν αναπαραγώγιμη ανάπτυξη και υψηλές αποδόσεις τεμαχισμού.

Συνδυάζοντας πολλαπλούς πολυτύπους, παραλλαγές πρόσμιξης, ποιοτικές βαθμίδες, μεγέθη πλακιδίων SiC και εσωτερική παραγωγή κρυστάλλων boule και seed-crystal, η πλατφόρμα υποστρωμάτων SiC μας βελτιστοποιεί τις αλυσίδες εφοδιασμού και επιταχύνει την ανάπτυξη συσκευών για ηλεκτρικά οχήματα, έξυπνα δίκτυα και εφαρμογές σε αντίξοες περιβαλλοντικές συνθήκες.

Εικόνα γκοφρέτας SiC

Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου 4H-N 6 ιντσών

 

Φύλλο δεδομένων πλακιδίων SiC 6 ιντσών
Παράμετρος Υποπαράμετρος Βαθμός Ζ Βαθμός Π Βαθμός Δ
Διάμετρος   149,5–150,0 mm 149,5–150,0 mm 149,5–150,0 mm
Πάχος 4H‑N 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm 350 µm ± 25 µm
Πάχος 4H‑SI 500 µm ± 15 µm 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Προσανατολισμός πλακιδίων   Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI) Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI) Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI)
Πυκνότητα μικροσωλήνων 4H‑N ≤ 0,2 cm⁻² ≤ 2 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Πυκνότητα μικροσωλήνων 4H‑SI ≤ 1 cm⁻² ≤ 5 cm⁻² ≤ 15 cm⁻²
Αντίσταση 4H‑N 0,015–0,024 Ω·cm 0,015–0,028 Ω·cm 0,015–0,028 Ω·cm
Αντίσταση 4H‑SI ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm ≥ 1×10⁵ Ω·cm  
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός   [10-10] ± 5,0° [10-10] ± 5,0° [10-10] ± 5,0°
Κύριο επίπεδο μήκος 4H‑N 47,5 mm ± 2,0 mm    
Κύριο επίπεδο μήκος 4H‑SI Εγκοπή    
Εξαίρεση ακμής     3 χιλιοστά  
Στημόνι/LTV/TTV/Τόξο   ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm  
Τραχύτητα Στίλβωση Ra ≤ 1 nm    
Τραχύτητα ΔΕΑ Ra ≤ 0,2 nm   Ra ≤ 0,5 nm
Ρωγμές στις άκρες   Κανένας   Συνολικό μήκος ≤ 20 mm, μονό ≤ 2 mm
Εξαγωνικές πλάκες   Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05% Συνολική επιφάνεια ≤ 0,1% Συνολική επιφάνεια ≤ 1%
Περιοχές πολυτύπων   Κανένας Συνολική επιφάνεια ≤ 3% Συνολική επιφάνεια ≤ 3%
Συμπερίληψη άνθρακα   Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05%   Συνολική επιφάνεια ≤ 3%
Επιφανειακές γρατσουνιές   Κανένας   Συνολικό μήκος ≤ 1 × διάμετρος πλακιδίου
Τσιπς άκρων   Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥ 0,2 mm   Έως 7 τσιπ, ≤ 1 mm το καθένα
TSD (Εξάρθρωση Βίδας Σπειρώματος)   ≤ 500 cm⁻²   Δ/Υ
BPD (Εξάρθρωση Βασικού Επιπέδου)   ≤ 1000 cm⁻²   Δ/Υ
Επιφανειακή Μόλυνση   Κανένας    
Συσκευασία   Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου

Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου 4 ιντσών 4H-N

 

Φύλλο δεδομένων γκοφρέτας SiC 4 ιντσών
Παράμετρος Παραγωγή μηδενικού MPD Τυπική Βαθμίδα Παραγωγής (Βαθμός P) Βαθμός εικονικής πραγματικότητας (βαθμός D)
Διάμετρος 99,5 mm–100,0 mm
Πάχος (4H-N) 350 µm±15 µm   350 µm±25 µm
Πάχος (4H-Si) 500 µm±15 µm   500 µm±25 µm
Προσανατολισμός πλακιδίων Εκτός άξονα: 4,0° προς <1120> ±0,5° για 4H-N. Στον άξονα: <0001> ±0,5° για 4H-Si    
Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-N) ≤0,2 cm⁻² ≤2 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Αντίσταση (4H-N)   0,015–0,024 Ω·cm 0,015–0,028 Ω·cm
Αντίσταση (4H-Si) ≥1E10 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός   [10-10] ±5,0°  
Κύριο επίπεδο μήκος   32,5 mm ±2,0 mm  
Δευτερεύον επίπεδο μήκος   18,0 mm ±2,0 mm  
Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός   Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την αρχική επίπεδη επιφάνεια ±5,0°  
Εξαίρεση ακμής   3 χιλιοστά  
Στημόνι LTV/TTV/Τόξου ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Τραχύτητα Πολωνικό Ra ≤1 nm· CMP Ra ≤0,2 nm   Ra ≤0,5 nm
Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης Κανένας Κανένας Συνολικό μήκος ≤10 mm· μονό μήκος ≤2 mm
Πιάτα Hex με φως υψηλής έντασης Συνολική περιοχή ≤0,05% Συνολική περιοχή ≤0,05% Συνολική επιφάνεια ≤0,1%
Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης Κανένας   Συνολική επιφάνεια ≤3%
Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα Συνολική περιοχή ≤0,05%   Συνολική επιφάνεια ≤3%
Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης Κανένας   Συνολικό μήκος ≤1 διάμετρος πλακιδίου
Τσιπς άκρων από φως υψηλής έντασης Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm   Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης Κανένας    
Μετατόπιση βίδας σπειρώματος ≤500 cm⁻² Δ/Υ  
Συσκευασία Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου

Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου HPSI 4 ιντσών

 

Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου HPSI 4 ιντσών
Παράμετρος Βαθμός παραγωγής μηδενικής MPD (βαθμός Z) Τυπική Βαθμίδα Παραγωγής (Βαθμός P) Βαθμός εικονικής πραγματικότητας (βαθμός D)
Διάμετρος   99,5–100,0 mm  
Πάχος (4H-Si) 500 µm ±20 µm   500 µm ±25 µm
Προσανατολισμός πλακιδίων Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° για 4H-N. Στον άξονα: <0001> ±0,5° για 4H-Si
Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-Si) ≤1 cm⁻² ≤5 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Αντίσταση (4H-Si) ≥1E9 Ω·cm   ≥1E5 Ω·cm
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός (10-10) ±5,0°
Κύριο επίπεδο μήκος 32,5 mm ±2,0 mm
Δευτερεύον επίπεδο μήκος 18,0 mm ±2,0 mm
Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την αρχική επίπεδη επιφάνεια ±5,0°
Εξαίρεση ακμής   3 χιλιοστά  
Στημόνι LTV/TTV/Τόξου ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm   ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Τραχύτητα (επιφάνεια C) Στίλβωση Ra ≤1 nm  
Τραχύτητα (επιφάνεια Si) ΔΕΑ Ra ≤0,2 nm Ra ≤0,5 nm
Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης Κανένας   Συνολικό μήκος ≤10 mm· μονό μήκος ≤2 mm
Πιάτα Hex με φως υψηλής έντασης Συνολική περιοχή ≤0,05% Συνολική περιοχή ≤0,05% Συνολική επιφάνεια ≤0,1%
Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης Κανένας   Συνολική επιφάνεια ≤3%
Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα Συνολική περιοχή ≤0,05%   Συνολική επιφάνεια ≤3%
Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης Κανένας   Συνολικό μήκος ≤1 διάμετρος πλακιδίου
Τσιπς άκρων από φως υψηλής έντασης Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm   Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης Κανένας   Κανένας
Εξάρθρωση βίδας σπειρώματος ≤500 cm⁻² Δ/Υ  
Συσκευασία   Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου  

Εφαρμογή πλακιδίων SiC

 

  • Μονάδες ισχύος SiC Wafer για μετατροπείς ηλεκτρικών οχημάτων
    Τα MOSFET και οι δίοδοι που βασίζονται σε πλακίδια SiC και είναι κατασκευασμένα σε υποστρώματα πλακιδίων SiC υψηλής ποιότητας, προσφέρουν εξαιρετικά χαμηλές απώλειες μεταγωγής. Αξιοποιώντας την τεχνολογία πλακιδίων SiC, αυτές οι μονάδες ισχύος λειτουργούν σε υψηλότερες τάσεις και θερμοκρασίες, επιτρέποντας πιο αποδοτικούς μετατροπείς έλξης. Η ενσωμάτωση των μήτρων πλακιδίων SiC στα στάδια ισχύος μειώνει τις απαιτήσεις ψύξης και το αποτύπωμα, αναδεικνύοντας το πλήρες δυναμικό της καινοτομίας στα πλακίδια SiC.

  • Συσκευές υψηλής συχνότητας RF και 5G σε πλακίδιο SiC
    Οι ενισχυτές και οι διακόπτες RF που κατασκευάζονται σε ημιμονωτικές πλατφόρμες πλακιδίων SiC παρουσιάζουν ανώτερη θερμική αγωγιμότητα και τάση διάσπασης. Το υπόστρωμα πλακιδίων SiC ελαχιστοποιεί τις διηλεκτρικές απώλειες σε συχνότητες GHz, ενώ η αντοχή του υλικού του πλακιδίου SiC επιτρέπει σταθερή λειτουργία υπό συνθήκες υψηλής ισχύος και θερμοκρασίας, καθιστώντας το πλακίδιο SiC το υπόστρωμα επιλογής για σταθμούς βάσης 5G και συστήματα ραντάρ επόμενης γενιάς.

  • Οπτοηλεκτρονικά & LED υποστρώματα από SiC Wafer
    Τα μπλε και UV LED που αναπτύσσονται σε υποστρώματα πλακιδίων SiC επωφελούνται από εξαιρετική αντιστοίχιση πλέγματος και απαγωγή θερμότητας. Η χρήση γυαλισμένης πλακέτας SiC με όψη C εξασφαλίζει ομοιόμορφα επιταξιακά στρώματα, ενώ η εγγενής σκληρότητα της πλακέτας SiC επιτρέπει την λεπτή λέπτυνση της πλακέτας και την αξιόπιστη συσκευασία της συσκευής. Αυτό καθιστά την πλακέτα SiC την ιδανική πλατφόρμα για εφαρμογές LED υψηλής ισχύος και μεγάλης διάρκειας ζωής.

Ερωτήσεις και απαντήσεις για πλακίδια SiC

1. Ε: Πώς κατασκευάζονται οι πλακέτες SiC;


ΕΝΑ:

Κατασκευάζονται πλακίδια SiCΛεπτομερή βήματα

  1. πλακίδια SiCΠροετοιμασία πρώτων υλών

    • Χρησιμοποιήστε σκόνη SiC βαθμού ≥5N (ακαθαρσίες ≤1 ppm).
    • Κοσκινίστε και προψήστε για να αφαιρέσετε υπολείμματα ενώσεων άνθρακα ή αζώτου.

  1. ΟύτωΠαρασκευή κρυστάλλων σπόρων

    • Πάρτε ένα κομμάτι μονοκρυστάλλου 4H-SiC, κόψτε το κατά μήκος του προσανατολισμού 〈0001〉 σε διαστάσεις ~10 × 10 mm².

    • Ακριβής στίλβωση σε Ra ≤0,1 nm και σήμανση του προσανατολισμού του κρυστάλλου.

  2. ΟύτωΑύξηση PVT (Φυσική Μεταφορά Ατμών)

    • Γεμίστε το χωνευτήριο γραφίτη: στον πάτο γεμίστε με σκόνη SiC και στην κορυφή με κρύσταλλο σποράς.

    • Εκκενώστε σε θερμοκρασία 10⁻³–10⁻⁵ Torr ή γεμίστε με ήλιο υψηλής καθαρότητας σε πίεση 1 atm.

    • Ζώνη πηγής θέρμανσης στους 2100–2300 ℃, διατηρήστε τη ζώνη σποράς στους 100–150 ℃ πιο δροσερή.

    • Ελέγξτε τον ρυθμό ανάπτυξης στα 1–5 mm/h για να εξισορροπήσετε την ποιότητα και την απόδοση.

  3. ΟύτωΑνόπτηση πλινθωμάτων

    • Υποβάλετε σε ανόπτηση το πλινθώμα SiC όπως έχει αναπτυχθεί στους 1600–1800 ℃ για 4–8 ώρες.

    • Σκοπός: ανακούφιση από τις θερμικές καταπονήσεις και μείωση της πυκνότητας εξάρθρωσης.

  4. ΟύτωΚοπή γκοφρέτας

    • Χρησιμοποιήστε ένα διαμαντένιο συρματόπριον για να κόψετε το πλινθώμα σε πλακίδια πάχους 0,5–1 mm.

    • Ελαχιστοποιήστε τους κραδασμούς και την πλευρική δύναμη για να αποφύγετε τις μικρορωγμές.

  5. ΟύτωΟστιαΛείανση & Στίλβωση

    • Χονδροειδής λείανσηγια την αφαίρεση ζημιών από το πριόνισμα (τραχύτητα ~10–30 µm).

    • Λεπτή λείανσηγια να επιτευχθεί επιπεδότητα ≤5 µm.

    • Χημική-Μηχανική Στίλβωση (CMP)για να επιτευχθεί ένα φινίρισμα που μοιάζει με καθρέφτη (Ra ≤0,2 nm).

  6. ΟύτωΟστιαΚαθαρισμός & Επιθεώρηση

    • Υπερηχητικός καθαρισμόςσε διάλυμα Piranha (H2SO4:H2O2), DI νερό, μετά IPA.

    • Φασματοσκοπία XRD/Ramanγια επιβεβαίωση πολυτύπου (4H, 6H, 3C).

    • Συμβολομετρίαγια τη μέτρηση της επιπεδότητας (<5 µm) και της στρέβλωσης (<20 µm).

    • Αισθητήρας τεσσάρων σημείωνγια τον έλεγχο της ειδικής αντίστασης (π.χ. HPSI ≥10⁹ Ω·cm).

    • Έλεγχος ελαττωμάτωνυπό μικροσκόπιο πολωμένου φωτός και δοκιμαστή γρατσουνιών.

  7. ΟύτωΟστιαΤαξινόμηση & Ταξινόμηση

    • Ταξινόμηση πλακιδίων ανά πολυτυπικό και ηλεκτρικό τύπο:

      • 4H-SiC τύπου Ν (4H-N): συγκέντρωση φορέα 10¹⁶–10¹⁸ cm⁻³

      • Ημιμονωτικό υψηλής καθαρότητας 4H-SiC (4H-HPSI): ειδική αντίσταση ≥10⁹ Ω·cm

      • 6H-SiC τύπου Ν (6H-N)

      • Άλλα: 3C-SiC, τύπου P, κ.λπ.

  8. ΟύτωΟστιαΣυσκευασία & Αποστολή

    • Τοποθετήστε σε καθαρά κουτιά γκοφρέτας χωρίς σκόνη.

    • Επισημάνετε κάθε κουτί με διάμετρο, πάχος, πολυτύπο, βαθμό ειδικής αντίστασης και αριθμό παρτίδας.

      πλακίδια SiC

2. Ε: Ποια είναι τα βασικά πλεονεκτήματα των πλακιδίων SiC σε σχέση με τα πλακίδια πυριτίου;


Α: Σε σύγκριση με τις πλακέτες πυριτίου, οι πλακέτες SiC επιτρέπουν:

  • Λειτουργία υψηλότερης τάσης(>1.200 V) με χαμηλότερη αντίσταση ενεργοποίησης.

  • Υψηλότερη σταθερότητα θερμοκρασίας(>300 °C) και βελτιωμένη θερμική διαχείριση.

  • Ταχύτερες ταχύτητες εναλλαγήςμε χαμηλότερες απώλειες μεταγωγής, μειώνοντας την ψύξη σε επίπεδο συστήματος και το μέγεθος των μετατροπέων ισχύος.

4. Ε: Ποια συνηθισμένα ελαττώματα επηρεάζουν την απόδοση και την απόδοση των πλακιδίων SiC;


Α: Τα κύρια ελαττώματα στα πλακίδια SiC περιλαμβάνουν μικροσωλήνες, εξαρθρώσεις βασικού επιπέδου (BPD) και επιφανειακές γρατσουνιές. Οι μικροσωλήνες μπορούν να προκαλέσουν καταστροφική βλάβη της συσκευής. Τα BPD αυξάνουν την αντίσταση με την πάροδο του χρόνου και οι επιφανειακές γρατσουνιές οδηγούν σε θραύση του πλακιδίου ή κακή επιταξιακή ανάπτυξη. Επομένως, η αυστηρή επιθεώρηση και ο μετριασμός των ελαττωμάτων είναι απαραίτητοι για τη μεγιστοποίηση της απόδοσης του πλακιδίου SiC.

Ώρα δημοσίευσης: 30 Ιουνίου 2025
Πατήστε enter για αναζήτηση ή ESC για κλείσιμο