Περίληψη πλακιδίων SiC
Τα πλακίδια καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχουν γίνει το υπόστρωμα επιλογής για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας στους τομείς της αυτοκινητοβιομηχανίας, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και της αεροδιαστημικής. Το χαρτοφυλάκιό μας καλύπτει βασικούς πολυτύπους και σχήματα πρόσμειξης - 4H με πρόσμειξη αζώτου (4H-N), ημιμονωτικά υψηλής καθαρότητας (HPSI), 3C με πρόσμειξη αζώτου (3C-N) και 4H/6H τύπου p (4H/6H-P) - που προσφέρονται σε τρεις ποιότητες: PRIME (πλήρως γυαλισμένα, υποστρώματα ποιότητας συσκευής), DUMMY (επικαλυμμένα ή μη γυαλισμένα για δοκιμές διεργασιών) και RESEARCH (προσαρμοσμένα στρώματα epi και προφίλ πρόσμειξης για Έρευνα και Ανάπτυξη). Οι διάμετροι των πλακιδίων εκτείνονται σε 2″, 4″, 6″, 8″ και 12″ για να ταιριάζουν τόσο σε παλαιά εργαλεία όσο και σε προηγμένα εργοστάσια. Παρέχουμε επίσης μονοκρυσταλλικούς κρυστάλλους και κρυστάλλους σπόρων με ακριβή προσανατολισμό για την υποστήριξη της εσωτερικής ανάπτυξης κρυστάλλων.
Τα πλακίδια 4H-N μας διαθέτουν πυκνότητες φορέων από 1×10¹⁶ έως 1×10¹⁹ cm⁻³ και αντιστάσεις 0,01–10 Ω·cm, παρέχοντας εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων και πεδία διάσπασης άνω των 2 MV/cm—ιδανικά για διόδους Schottky, MOSFET και JFET. Τα υποστρώματα HPSI υπερβαίνουν την ειδική αντίσταση 1×10¹² Ω·cm με πυκνότητες μικροσωλήνων κάτω από 0,1 cm⁻², εξασφαλίζοντας ελάχιστη διαρροή για συσκευές RF και μικροκυμάτων. Το κυβικό 3C-N, διαθέσιμο σε μορφές 2″ και 4″, επιτρέπει την ετεροεπιταξία σε πυρίτιο και υποστηρίζει νέες φωτονικές και MEMS εφαρμογές. Τα πλακίδια τύπου P 4H/6H-P, με πρόσμιξη αλουμινίου έως 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, διευκολύνουν συμπληρωματικές αρχιτεκτονικές συσκευών.
Τα πλακίδια PRIME υφίστανται χημικο-μηχανική στίλβωση σε τραχύτητα επιφάνειας RMS <0,2 nm, συνολική διακύμανση πάχους κάτω από 3 µm και καμπύλη <10 µm. Τα υποστρώματα DUMMY επιταχύνουν τις δοκιμές συναρμολόγησης και συσκευασίας, ενώ τα πλακίδια RESEARCH διαθέτουν πάχος επιστρώσεων 2–30 µm και ειδική πρόσμιξη. Όλα τα προϊόντα πιστοποιούνται με περίθλαση ακτίνων Χ (καμπύλη ταλάντωσης <30 δευτερόλεπτα στροφής) και φασματοσκοπία Raman, με ηλεκτρικές δοκιμές - μετρήσεις Hall, δημιουργία προφίλ C–V και σάρωση μικροσωλήνων - διασφαλίζοντας τη συμμόρφωση με τα πρότυπα JEDEC και SEMI.
Οι κρύσταλλοι με διάμετρο έως 150 mm καλλιεργούνται μέσω PVT και CVD με πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω από 1×10³ cm⁻² και χαμηλό αριθμό μικροσωλήνων. Οι κρύσταλλοι σποράς κόβονται εντός 0,1° από τον άξονα c για να εγγυηθούν αναπαραγώγιμη ανάπτυξη και υψηλές αποδόσεις τεμαχισμού.
Συνδυάζοντας πολλαπλούς πολυτύπους, παραλλαγές πρόσμιξης, ποιοτικές βαθμίδες, μεγέθη πλακιδίων και εσωτερική παραγωγή κρυστάλλων boule και seed-crystal, η πλατφόρμα υποστρώματος SiC μας βελτιστοποιεί τις αλυσίδες εφοδιασμού και επιταχύνει την ανάπτυξη συσκευών για ηλεκτρικά οχήματα, έξυπνα δίκτυα και εφαρμογές σε αντίξοες περιβαλλοντικές συνθήκες.
Περίληψη πλακιδίων SiC
Τα πλακίδια καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχουν γίνει το υπόστρωμα επιλογής για ηλεκτρονικά υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας στους τομείς της αυτοκινητοβιομηχανίας, των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και της αεροδιαστημικής. Το χαρτοφυλάκιό μας καλύπτει βασικούς πολυτύπους και σχήματα πρόσμειξης - 4H με πρόσμειξη αζώτου (4H-N), ημιμονωτικά υψηλής καθαρότητας (HPSI), 3C με πρόσμειξη αζώτου (3C-N) και 4H/6H τύπου p (4H/6H-P) - που προσφέρονται σε τρεις ποιότητες: PRIME (πλήρως γυαλισμένα, υποστρώματα ποιότητας συσκευής), DUMMY (επικαλυμμένα ή μη γυαλισμένα για δοκιμές διεργασιών) και RESEARCH (προσαρμοσμένα στρώματα epi και προφίλ πρόσμειξης για Έρευνα και Ανάπτυξη). Οι διάμετροι των πλακιδίων εκτείνονται σε 2″, 4″, 6″, 8″ και 12″ για να ταιριάζουν τόσο σε παλαιά εργαλεία όσο και σε προηγμένα εργοστάσια. Παρέχουμε επίσης μονοκρυσταλλικούς κρυστάλλους και κρυστάλλους σπόρων με ακριβή προσανατολισμό για την υποστήριξη της εσωτερικής ανάπτυξης κρυστάλλων.
Τα πλακίδια 4H-N μας διαθέτουν πυκνότητες φορέων από 1×10¹⁶ έως 1×10¹⁹ cm⁻³ και αντιστάσεις 0,01–10 Ω·cm, παρέχοντας εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων και πεδία διάσπασης άνω των 2 MV/cm—ιδανικά για διόδους Schottky, MOSFET και JFET. Τα υποστρώματα HPSI υπερβαίνουν την ειδική αντίσταση 1×10¹² Ω·cm με πυκνότητες μικροσωλήνων κάτω από 0,1 cm⁻², εξασφαλίζοντας ελάχιστη διαρροή για συσκευές RF και μικροκυμάτων. Το κυβικό 3C-N, διαθέσιμο σε μορφές 2″ και 4″, επιτρέπει την ετεροεπιταξία σε πυρίτιο και υποστηρίζει νέες φωτονικές και MEMS εφαρμογές. Τα πλακίδια τύπου P 4H/6H-P, με πρόσμιξη αλουμινίου έως 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, διευκολύνουν συμπληρωματικές αρχιτεκτονικές συσκευών.
Τα πλακίδια PRIME υφίστανται χημικο-μηχανική στίλβωση σε τραχύτητα επιφάνειας RMS <0,2 nm, συνολική διακύμανση πάχους κάτω από 3 µm και καμπύλη <10 µm. Τα υποστρώματα DUMMY επιταχύνουν τις δοκιμές συναρμολόγησης και συσκευασίας, ενώ τα πλακίδια RESEARCH διαθέτουν πάχος επιστρώσεων 2–30 µm και ειδική πρόσμιξη. Όλα τα προϊόντα πιστοποιούνται με περίθλαση ακτίνων Χ (καμπύλη ταλάντωσης <30 δευτερόλεπτα στροφής) και φασματοσκοπία Raman, με ηλεκτρικές δοκιμές - μετρήσεις Hall, δημιουργία προφίλ C–V και σάρωση μικροσωλήνων - διασφαλίζοντας τη συμμόρφωση με τα πρότυπα JEDEC και SEMI.
Οι κρύσταλλοι με διάμετρο έως 150 mm καλλιεργούνται μέσω PVT και CVD με πυκνότητες εξάρθρωσης κάτω από 1×10³ cm⁻² και χαμηλό αριθμό μικροσωλήνων. Οι κρύσταλλοι σποράς κόβονται εντός 0,1° από τον άξονα c για να εγγυηθούν αναπαραγώγιμη ανάπτυξη και υψηλές αποδόσεις τεμαχισμού.
Συνδυάζοντας πολλαπλούς πολυτύπους, παραλλαγές πρόσμιξης, ποιοτικές βαθμίδες, μεγέθη πλακιδίων και εσωτερική παραγωγή κρυστάλλων boule και seed-crystal, η πλατφόρμα υποστρώματος SiC μας βελτιστοποιεί τις αλυσίδες εφοδιασμού και επιταχύνει την ανάπτυξη συσκευών για ηλεκτρικά οχήματα, έξυπνα δίκτυα και εφαρμογές σε αντίξοες περιβαλλοντικές συνθήκες.
Εικόνα γκοφρέτας SiC
Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου 4H-N 6 ιντσών
| Φύλλο δεδομένων πλακιδίων SiC 6 ιντσών | ||||
| Παράμετρος | Υποπαράμετρος | Βαθμός Ζ | Βαθμός Π | Βαθμός Δ |
| Διάμετρος | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | |
| Πάχος | 4H‑N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Πάχος | 4H‑SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Προσανατολισμός πλακιδίων | Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI) | Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° (4H-N). Στον άξονα: <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | 4H‑N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | 4H‑SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Αντίσταση | 4H‑N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| Αντίσταση | 4H‑SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Κύριο επίπεδο μήκος | 4H‑N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Κύριο επίπεδο μήκος | 4H‑SI | Εγκοπή | ||
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | |||
| Στημόνι/LTV/TTV/Τόξο | ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Τραχύτητα | Στίλβωση | Ra ≤ 1 nm | ||
| Τραχύτητα | ΔΕΑ | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Ρωγμές στις άκρες | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤ 20 mm, μονό ≤ 2 mm | ||
| Εξαγωνικές πλάκες | Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤ 0,1% | Συνολική επιφάνεια ≤ 1% | |
| Περιοχές πολυτύπων | Κανένας | Συνολική επιφάνεια ≤ 3% | Συνολική επιφάνεια ≤ 3% | |
| Συμπερίληψη άνθρακα | Συνολική επιφάνεια ≤ 0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤ 3% | ||
| Επιφανειακές γρατσουνιές | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤ 1 × διάμετρος πλακιδίου | ||
| Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥ 0,2 mm | Έως 7 τσιπ, ≤ 1 mm το καθένα | ||
| TSD (Εξάρθρωση Βίδας Σπειρώματος) | ≤ 500 cm⁻² | Δ/Υ | ||
| BPD (Εξάρθρωση Βασικού Επιπέδου) | ≤ 1000 cm⁻² | Δ/Υ | ||
| Επιφανειακή Μόλυνση | Κανένας | |||
| Συσκευασία | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | |
Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου 4 ιντσών 4H-N
| Φύλλο δεδομένων γκοφρέτας SiC 4 ιντσών | |||
| Παράμετρος | Παραγωγή μηδενικού MPD | Τυπική Βαθμίδα Παραγωγής (Βαθμός P) | Βαθμός εικονικής πραγματικότητας (βαθμός D) |
| Διάμετρος | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Πάχος (4H-N) | 350 µm±15 µm | 350 µm±25 µm | |
| Πάχος (4H-Si) | 500 µm±15 µm | 500 µm±25 µm | |
| Προσανατολισμός πλακιδίων | Εκτός άξονα: 4,0° προς <1120> ±0,5° για 4H-N. Στον άξονα: <0001> ±0,5° για 4H-Si | ||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Αντίσταση (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Αντίσταση (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | [10-10] ±5,0° | ||
| Κύριο επίπεδο μήκος | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Δευτερεύον επίπεδο μήκος | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός | Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την αρχική επίπεδη επιφάνεια ±5,0° | ||
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | ||
| Στημόνι LTV/TTV/Τόξου | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Τραχύτητα | Πολωνικό Ra ≤1 nm· CMP Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm | |
| Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤10 mm· μονό μήκος ≤2 mm |
| Πιάτα Hex με φως υψηλής έντασης | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤0,1% |
| Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολική επιφάνεια ≤3% | |
| Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤3% | |
| Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤1 διάμετρος πλακιδίου | |
| Τσιπς άκρων από φως υψηλής έντασης | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm | Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα | |
| Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης | Κανένας | ||
| Μετατόπιση βίδας σπειρώματος | ≤500 cm⁻² | Δ/Υ | |
| Συσκευασία | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου |
Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου HPSI 4 ιντσών
| Φύλλο δεδομένων πλακέτας SiC τύπου HPSI 4 ιντσών | |||
| Παράμετρος | Βαθμός παραγωγής μηδενικής MPD (βαθμός Z) | Τυπική Βαθμίδα Παραγωγής (Βαθμός P) | Βαθμός εικονικής πραγματικότητας (βαθμός D) |
| Διάμετρος | 99,5–100,0 mm | ||
| Πάχος (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ±25 µm | |
| Προσανατολισμός πλακιδίων | Εκτός άξονα: 4,0° προς <11-20> ±0,5° για 4H-N. Στον άξονα: <0001> ±0,5° για 4H-Si | ||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Αντίσταση (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | (10-10) ±5,0° | ||
| Κύριο επίπεδο μήκος | 32,5 mm ±2,0 mm | ||
| Δευτερεύον επίπεδο μήκος | 18,0 mm ±2,0 mm | ||
| Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός | Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την αρχική επίπεδη επιφάνεια ±5,0° | ||
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | ||
| Στημόνι LTV/TTV/Τόξου | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Τραχύτητα (επιφάνεια C) | Στίλβωση | Ra ≤1 nm | |
| Τραχύτητα (επιφάνεια Si) | ΔΕΑ | Ra ≤0,2 nm | Ra ≤0,5 nm |
| Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤10 mm· μονό μήκος ≤2 mm | |
| Πιάτα Hex με φως υψηλής έντασης | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤0,1% |
| Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολική επιφάνεια ≤3% | |
| Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤3% | |
| Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤1 διάμετρος πλακιδίου | |
| Τσιπς άκρων από φως υψηλής έντασης | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm | Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα | |
| Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Κανένας | |
| Εξάρθρωση βίδας σπειρώματος | ≤500 cm⁻² | Δ/Υ | |
| Συσκευασία | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | ||
Ώρα δημοσίευσης: 30 Ιουνίου 2025