Υπόστρωμα τύπου p 4H/6H-P 3C-N ΤΥΠΟΣ SIC 4 ίντσες 〈111〉± 0,5°Zero MPD

Υπόστρωμα τύπου p 4H/6H-P 3C-N ΤΥΠΟΥ SIC 4 ίντσες 〈111〉± 0,5°Zero MPD Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Το υπόστρωμα SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N, 4 ιντσών με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και βαθμό μηδενικού MPD (Micro Pipe Defect), είναι ένα ημιαγωγικό υλικό υψηλής απόδοσης σχεδιασμένο για την κατασκευή προηγμένων ηλεκτρονικών συσκευών. Γνωστό για την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητά του, την υψηλή τάση διάσπασης και την ισχυρή αντοχή του σε υψηλές θερμοκρασίες και διάβρωση, αυτό το υπόστρωμα είναι ιδανικό για ηλεκτρονικά ισχύος και εφαρμογές RF. Ο βαθμός μηδενικού MPD εγγυάται ελάχιστα ελαττώματα, εξασφαλίζοντας αξιοπιστία και σταθερότητα σε συσκευές υψηλής απόδοσης. Ο ακριβής προσανατολισμός του 〈111〉± 0,5° επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, καθιστώντας το κατάλληλο για διαδικασίες κατασκευής μεγάλης κλίμακας. Αυτό το υπόστρωμα χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας, όπως μετατροπείς ισχύος, μετατροπείς και εξαρτήματα RF.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σύνθετα υποστρώματα SiC τύπου 4H/6H-P Κοινός πίνακας παραμέτρων

4 ίντσα διαμέτρου πυριτίουΥπόστρωμα καρβιδίου (SiC) Προσδιορισμός

Βαθμός			Παραγωγή μηδενικού MPD Βαθμός (Ζ) Βαθμός)	Τυπική Παραγωγή Βαθμός (P Βαθμός)	Ψευδοβαθμολογία (D Βαθμός)
Διάμετρος			99,5 mm~100,0 mm
Πάχος			350 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός πλακιδίων			Εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς [112(-)0] ± 0,5° για 4H/6H-P, Oάξονας n: 〈111〉± 0,5° για 3C-N
Πυκνότητα μικροσωλήνων			0 cm-2
Αντίσταση	τύπου p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-τύπου 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Κύριο επίπεδο μήκος			32,5 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύον επίπεδο μήκος			18,0 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός			Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την επίπεδη επιφάνεια Prime±5,0°
Εξαίρεση ακμής			3 χιλιοστά		6 χιλιοστά
LTV/TTV/Τόξο /Στημόνι			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Τραχύτητα			Πολωνικό Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Συνολικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος ≤2 mm
Πλάκες Hex με φως υψηλής έντασης			Συνολική περιοχή ≤0,05%		Συνολική επιφάνεια ≤0,1%
Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης			Κανένας		Συνολική περιοχή ≤3%
Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα			Συνολική περιοχή ≤0,05%		Συνολική περιοχή ≤3%
Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Συνολικό μήκος ≤1×διάμετρος γκοφρέτας
Τσιπς άκρων υψηλής έντασης φωτός			Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm		Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από υψηλή ένταση			Κανένας
Συσκευασία			Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου

Σημειώσεις:

※Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια του πλακιδίου εκτός από την περιοχή εξαίρεσης άκρων. # Οι γρατσουνιές πρέπει να ελέγχονται μόνο στην επιφάνεια Si.

Το υπόστρωμα SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N 4 ιντσών με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και βαθμό μηδενικής MPD χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης. Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητά του και η υψηλή τάση διάσπασης το καθιστούν ιδανικό για ηλεκτρονικά ισχύος, όπως διακόπτες υψηλής τάσης, μετατροπείς και μετατροπείς ισχύος, που λειτουργούν σε ακραίες συνθήκες. Επιπλέον, η αντοχή του υποστρώματος σε υψηλές θερμοκρασίες και διάβρωση εξασφαλίζει σταθερή απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα. Ο ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5° ενισχύει την ακρίβεια κατασκευής, καθιστώντας το κατάλληλο για συσκευές RF και εφαρμογές υψηλής συχνότητας, όπως συστήματα ραντάρ και εξοπλισμό ασύρματης επικοινωνίας.

Τα πλεονεκτήματα των σύνθετων υποστρωμάτων SiC τύπου N περιλαμβάνουν:

1. Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Αποδοτική απαγωγή θερμότητας, καθιστώντας την κατάλληλη για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και εφαρμογές υψηλής ισχύος.
2. Υψηλή τάση διακοπής: Εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε εφαρμογές υψηλής τάσης, όπως μετατροπείς ισχύος και μετατροπείς.
3. Βαθμός μηδενικού MPD (Μικροσωλήνα): Εγγυάται ελάχιστα ελαττώματα, παρέχοντας σταθερότητα και υψηλή αξιοπιστία σε κρίσιμες ηλεκτρονικές συσκευές.
4. Αντοχή στη διάβρωση: Ανθεκτική σε σκληρά περιβάλλοντα, εξασφαλίζοντας μακροπρόθεσμη λειτουργικότητα σε απαιτητικές συνθήκες.
5. Ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5°: Επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, βελτιώνοντας την απόδοση της συσκευής σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας και RF.

Συνολικά, το υπόστρωμα SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N 4 ιντσών με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και βαθμό μηδενικής MPD είναι ένα υλικό υψηλής απόδοσης ιδανικό για προηγμένες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητά του και η υψηλή τάση διάσπασης το καθιστούν ιδανικό για ηλεκτρονικά ισχύος, όπως διακόπτες υψηλής τάσης, μετατροπείς και μετατροπείς. Ο βαθμός μηδενικής MPD εξασφαλίζει ελάχιστα ελαττώματα, παρέχοντας αξιοπιστία και σταθερότητα σε κρίσιμες συσκευές. Επιπλέον, η αντοχή του υποστρώματος στη διάβρωση και τις υψηλές θερμοκρασίες εξασφαλίζει ανθεκτικότητα σε σκληρά περιβάλλοντα. Ο ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5° επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, καθιστώντας το ιδιαίτερα κατάλληλο για συσκευές RF και εφαρμογές υψηλής συχνότητας.