p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC υπόστρωμα 4 ίντσες 〈111〉± 0,5°Μηδέν MPD

p-type 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC υπόστρωμα 4 ιντσών 〈111〉± 0,5°Μηδέν Προτεινόμενη εικόνα MPD

Σύντομη περιγραφή:

Το υπόστρωμα SiC τύπου P-type 4H/6H-P 3C-N, 4 ιντσών με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και μηδενικό MPD (Micro Pipe Defect), είναι ένα υλικό ημιαγωγών υψηλής απόδοσης σχεδιασμένο για προηγμένες ηλεκτρονικές συσκευές βιομηχανοποίηση. Γνωστό για την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, την υψηλή τάση διάσπασης και την ισχυρή αντίσταση στις υψηλές θερμοκρασίες και τη διάβρωση, αυτό το υπόστρωμα είναι ιδανικό για ηλεκτρονικά ισχύος και εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων. Ο βαθμός Zero MPD εγγυάται ελάχιστα ελαττώματα, εξασφαλίζοντας αξιοπιστία και σταθερότητα σε συσκευές υψηλής απόδοσης. Ο ακριβής προσανατολισμός του 〈111〉± 0,5° επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, καθιστώντας το κατάλληλο για μεγάλης κλίμακας διαδικασίες παραγωγής. Αυτό το υπόστρωμα χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας, όπως μετατροπείς ισχύος, μετατροπείς και εξαρτήματα ραδιοσυχνοτήτων.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σύνθετα υποστρώματα τύπου SiC 4H/6H-P Κοινός πίνακας παραμέτρων

4 διάμετρος ίντσας πυρίτιοΥπόστρωμα καρβιδίου (SiC). Προσδιορισμός

Βαθμός			Μηδενική παραγωγή MPD Βαθμός (Ζ Βαθμός)	Τυπική Παραγωγή Βαθμός (Π Βαθμός)	Ομοίωμα Βαθμού (D Βαθμός)
Διάμετρος			99,5 mm~100,0 mm
Πάχος			350 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός γκοφρέτας			Εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς [112(-)0] ± 0,5° για 4H/6H-P, OΆξονας n:〈111〉± 0,5° για 3C-N
Πυκνότητα μικροσωλήνων			0 cm-2
Αντίσταση	p-τύπου 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-τύπου 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός		4Η/6Η-Ρ	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος			32,5 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος			18,0 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός			Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW. από Prime flat±5,0°
Εξαίρεση άκρων			3 χλστ		6 χλστ
LTV / TTV / Τόξο / Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Τραχύτητα			Πολωνικά Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Ρωγμές άκρων από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος≤2 mm
Hex Plates από φως υψηλής έντασης			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική επιφάνεια ≤0,1%
Πολυτυπικές περιοχές από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτική περιοχή≤3%
Οπτικά εγκλείσματα άνθρακα			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική περιοχή ≤3%
Επιφανειακές γρατσουνιές πυριτίου από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος≤1×διάμετρος γκοφρέτας
Edge Chips High By Intensity Light			Κανένα δεν επιτρέπεται ≥0,2 mm πλάτος και βάθος		Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από υψηλή ένταση			Κανένας
Συσκευασία			Κασέτα πολλαπλών γκοφρετών ή δοχείο μονής γκοφρέτας

Σημειώσεις:

※ Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια πλακέτας εκτός από την περιοχή αποκλεισμού άκρων. # Οι γρατσουνιές πρέπει να ελέγχονται μόνο στο πρόσωπο Si.

Το υπόστρωμα SiC 4 ιντσών τύπου P 4H/6H-P 3C-N με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και μηδενικό βαθμό MPD χρησιμοποιείται ευρέως σε ηλεκτρονικές εφαρμογές υψηλής απόδοσης. Η εξαιρετική του θερμική αγωγιμότητα και η υψηλή τάση διάσπασης το καθιστούν ιδανικό για ηλεκτρονικά ηλεκτρικού ρεύματος, όπως διακόπτες υψηλής τάσης, μετατροπείς και μετατροπείς ισχύος, που λειτουργούν σε ακραίες συνθήκες. Επιπλέον, η αντοχή του υποστρώματος στις υψηλές θερμοκρασίες και τη διάβρωση εξασφαλίζει σταθερή απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα. Ο ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5° ενισχύει την ακρίβεια κατασκευής, καθιστώντας το κατάλληλο για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων και εφαρμογές υψηλής συχνότητας, όπως συστήματα ραντάρ και εξοπλισμός ασύρματης επικοινωνίας.

Τα πλεονεκτήματα των σύνθετων υποστρωμάτων SiC τύπου N περιλαμβάνουν:

1. Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Αποτελεσματική διάχυση θερμότητας, καθιστώντας το κατάλληλο για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και εφαρμογές υψηλής ισχύος.
2. High Breakdown Voltage: Εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε εφαρμογές υψηλής τάσης όπως μετατροπείς ισχύος και μετατροπείς.
3. Μηδενικός βαθμός MPD (Micro Pipe Defect): Εγγυάται ελάχιστα ελαττώματα, παρέχοντας σταθερότητα και υψηλή αξιοπιστία σε κρίσιμες ηλεκτρονικές συσκευές.
4. Αντοχή στη διάβρωση: Ανθεκτικό σε σκληρά περιβάλλοντα, εξασφαλίζοντας μακροχρόνια λειτουργικότητα σε απαιτητικές συνθήκες.
5. Ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5°: Επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, βελτιώνοντας την απόδοση της συσκευής σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας και ραδιοσυχνοτήτων.

Συνολικά, το υπόστρωμα SiC 4 ιντσών τύπου P 4H/6H-P 3C-N με προσανατολισμό 〈111〉± 0,5° και μηδενικό βαθμό MPD είναι ένα υλικό υψηλής απόδοσης ιδανικό για προηγμένες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Η εξαιρετική του θερμική αγωγιμότητα και η υψηλή τάση διάσπασης το καθιστούν ιδανικό για ηλεκτρονικά ηλεκτρικά ρεύματα όπως διακόπτες υψηλής τάσης, μετατροπείς και μετατροπείς. Ο βαθμός Zero MPD εξασφαλίζει ελάχιστα ελαττώματα, παρέχοντας αξιοπιστία και σταθερότητα σε κρίσιμες συσκευές. Επιπλέον, η αντοχή του υποστρώματος στη διάβρωση και τις υψηλές θερμοκρασίες εξασφαλίζει ανθεκτικότητα σε σκληρά περιβάλλοντα. Ο ακριβής προσανατολισμός 〈111〉± 0,5° επιτρέπει την ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, καθιστώντας το εξαιρετικά κατάλληλο για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων και εφαρμογές υψηλής συχνότητας.