Υποστρώμα SiC τύπου P, wafer SiC Dia2inch, νέο προϊόν

Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου τύπου P χρησιμοποιούνται συνήθως για την κατασκευή συσκευών ισχύος, όπως τα διπολικά τρανζίστορ Insulate-Gate (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, που είναι ένας διακόπτης on-off. MOSFET=IGFET(σωλήνας φαινομένου πεδίου ημιαγωγού μεταλλικού οξειδίου ή τρανζίστορ φαινομένου πεδίου τύπου μονωμένης πύλης). BJT(Διπολικό τρανζίστορ σύνδεσης, επίσης γνωστό ως τρανζίστορ), διπολικό σημαίνει ότι υπάρχουν δύο είδη φορέων ηλεκτρονίων και οπών που εμπλέκονται στη διαδικασία αγωγιμότητας, γενικά υπάρχει σύνδεση PN που εμπλέκεται στην αγωγιμότητα.

Η πλακέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 2 ιντσών τύπου p είναι πολυτύπου 4H ή 6H. Έχει παρόμοιες ιδιότητες με τις πλακέτες καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου n, όπως αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, υψηλή θερμική αγωγιμότητα και υψηλή ηλεκτρική αγωγιμότητα. Τα υποστρώματα SiC τύπου p χρησιμοποιούνται συνήθως στην κατασκευή συσκευών ισχύος, ιδιαίτερα για την κατασκευή διπολικών τρανζίστορ με μονωμένη πύλη (IGBT). Ο σχεδιασμός των IGBT συνήθως περιλαμβάνει συνδέσεις PN, όπου το SiC τύπου p είναι πλεονεκτικό για τον έλεγχο της συμπεριφοράς της συσκευής.