Υπόστρωμα SiC τύπου P γκοφρέτα SiC Dia2inch νέο προϊόν

Σύντομη περιγραφή:

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου (SiC) τύπου P 2 ιντσών σε πολυτύπο 4Η ή 6Η. Έχει παρόμοιες ιδιότητες με τη γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου τύπου N (SiC), όπως αντίσταση σε υψηλή θερμοκρασία, υψηλή θερμική αγωγιμότητα, υψηλή ηλεκτρική αγωγιμότητα κ.λπ. Το υπόστρωμα SiC τύπου P χρησιμοποιείται γενικά για την κατασκευή συσκευών ισχύος, ειδικά για την κατασκευή μονωμένων Διπολικά τρανζίστορ Gate (IGBT). Ο σχεδιασμός του IGBT συχνά περιλαμβάνει συνδέσεις PN, όπου το SiC τύπου P μπορεί να είναι πλεονεκτικό για τον έλεγχο της συμπεριφοράς των συσκευών.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τα υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου τύπου P χρησιμοποιούνται συνήθως για την κατασκευή συσκευών ισχύος, όπως τα διπολικά τρανζίστορ Insulate-Gate (IGBT).

IGBT= MOSFET+BJT, που είναι διακόπτης on-off. MOSFET=IGFET (σωλήνα εφέ πεδίου ημιαγωγού οξειδίου μετάλλου ή τρανζίστορ εφέ πεδίου τύπου μονωμένης πύλης). BJT (Διπολικό τρανζίστορ, γνωστό και ως τρανζίστορ), διπολικό σημαίνει ότι υπάρχουν δύο είδη φορέων ηλεκτρονίων και οπών που εμπλέκονται στη διαδικασία αγωγιμότητας στην εργασία, γενικά υπάρχει σύνδεση PN που εμπλέκεται στην αγωγιμότητα.

Η γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου p 2 ιντσών είναι πολυτύπου 4Η ή 6Η. Έχει παρόμοιες ιδιότητες με τις γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου τύπου n (SiC), όπως αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, υψηλή θερμική αγωγιμότητα και υψηλή ηλεκτρική αγωγιμότητα. Τα υποστρώματα SiC τύπου p χρησιμοποιούνται συνήθως στην κατασκευή συσκευών ισχύος, ιδιαίτερα για την κατασκευή διπολικών τρανζίστορ με μόνωση πύλης (IGBT). ο σχεδιασμός των IGBT συνήθως περιλαμβάνει συνδέσεις PN, όπου το SiC τύπου p είναι πλεονεκτικό για τον έλεγχο της συμπεριφοράς της συσκευής.