Γκοφρέτα SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N 6 ιντσών πάχος 350 μm με κύριο επίπεδο προσανατολισμό

Γκοφρέτα SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N 6 ιντσών πάχους 350 μm με κύριο επίπεδο προσανατολισμό Επιλεγμένη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Η γκοφρέτα SiC τύπου P, 4H/6H-P 3C-N, είναι ένα ημιαγωγικό υλικό 6 ιντσών με πάχος 350 μm και κύριο επίπεδο προσανατολισμό, σχεδιασμένο για προηγμένες ηλεκτρονικές εφαρμογές. Γνωστή για την υψηλή θερμική αγωγιμότητα, την υψηλή τάση διάσπασης και την αντοχή σε ακραίες θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα, αυτή η γκοφρέτα είναι κατάλληλη για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης. Το ντόπινγκ τύπου P εισάγει τρύπες ως κύριους φορείς φόρτισης, καθιστώντας το ιδανικό για ηλεκτρονικά ηλεκτρικά και εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων. Η στιβαρή δομή του εξασφαλίζει σταθερή απόδοση σε συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας, καθιστώντας το κατάλληλο για συσκευές ισχύος, ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας και μετατροπή ενέργειας υψηλής απόδοσης. Ο πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός εξασφαλίζει ακριβή ευθυγράμμιση στη διαδικασία κατασκευής, παρέχοντας συνέπεια στην κατασκευή της συσκευής.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Specification4H/6H-P Τύπος SiC Σύνθετα Υποστρώματα Συνηθισμένος πίνακας παραμέτρων

6 Διάμετρος ίντσας Υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC). Προσδιορισμός

Βαθμός			Μηδενική παραγωγή MPDΒαθμός (Ζ Βαθμός)	Τυπική ΠαραγωγήΒαθμός (Π Βαθμός)	Ομοίωμα Βαθμού (D Βαθμός)
Διάμετρος			145,5 mm~150,0 mm
Πάχος			350 μm ± 25 μm
Προσανατολισμός γκοφρέτας			-Offάξονας: 2,0°-4,0° προς [1120] ± 0,5° για 4H/6H-P, Στον άξονα:〈111〉± 0,5° για 3C-N
Πυκνότητα μικροσωλήνων			0 cm-2
Αντίσταση	p-τύπου 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-τύπου 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός		4Η/6Η-Ρ	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος			32,5 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος			18,0 mm ± 2,0 mm
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός			Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW. από Prime flat ± 5,0°
Εξαίρεση άκρων			3 χλστ		6 χλστ
LTV / TTV / Τόξο / Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Τραχύτητα			Πολωνικά Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Ρωγμές άκρων από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος≤2 mm
Hex Plates από φως υψηλής έντασης			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική επιφάνεια ≤0,1%
Πολυτυπικές περιοχές από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτική περιοχή≤3%
Οπτικά εγκλείσματα άνθρακα			Σωρευτική επιφάνεια ≤0,05%		Σωρευτική περιοχή ≤3%
Επιφανειακές γρατσουνιές πυριτίου από φως υψηλής έντασης			Κανένας		Σωρευτικό μήκος≤1×διάμετρος γκοφρέτας
Edge Chips High By Intensity Light			Κανένα δεν επιτρέπεται ≥0,2 mm πλάτος και βάθος		Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα
Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από υψηλή ένταση			Κανένας
Συσκευασία			Κασέτα πολλαπλών γκοφρετών ή δοχείο μονής γκοφρέτας

Σημειώσεις:

※ Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια πλακέτας εκτός από την περιοχή αποκλεισμού άκρων. # Οι γρατσουνιές πρέπει να ελέγχονται στο Si face o

Η γκοφρέτα SiC τύπου P, 4H/6H-P 3C-N, με το μέγεθος 6 ιντσών και το πάχος 350 μm, παίζει καθοριστικό ρόλο στη βιομηχανική παραγωγή ηλεκτρονικών ηλεκτρικών ειδών υψηλής απόδοσης. Η εξαιρετική του θερμική αγωγιμότητα και η υψηλή τάση διάσπασης το καθιστούν ιδανικό για την κατασκευή εξαρτημάτων όπως διακόπτες ισχύος, διόδους και τρανζίστορ που χρησιμοποιούνται σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας όπως ηλεκτρικά οχήματα, δίκτυα ισχύος και συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Η ικανότητα της γκοφρέτας να λειτουργεί αποτελεσματικά σε δύσκολες συνθήκες εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε βιομηχανικές εφαρμογές που απαιτούν υψηλή πυκνότητα ισχύος και ενεργειακή απόδοση. Επιπλέον, ο κύριος επίπεδος προσανατολισμός του βοηθά στην ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή της συσκευής, ενισχύοντας την απόδοση παραγωγής και τη συνέπεια του προϊόντος.

Τα πλεονεκτήματα των σύνθετων υποστρωμάτων SiC τύπου N περιλαμβάνουν

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Οι γκοφρέτες SiC τύπου P διαχέουν αποτελεσματικά τη θερμότητα, καθιστώντας τις ιδανικές για εφαρμογές σε υψηλές θερμοκρασίες.
Υψηλή Τάση Διάσπασης: Ικανότητα να αντέχει υψηλές τάσεις, εξασφαλίζοντας αξιοπιστία σε ηλεκτρονικά ισχύος και συσκευές υψηλής τάσης.
Αντοχή σε σκληρά περιβάλλοντα: Εξαιρετική αντοχή σε ακραίες συνθήκες, όπως υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα.
Αποτελεσματική Μετατροπή Ισχύος: Το ντόπινγκ τύπου P διευκολύνει τον αποτελεσματικό χειρισμό ισχύος, καθιστώντας τη γκοφρέτα κατάλληλη για συστήματα μετατροπής ενέργειας.
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός: Εξασφαλίζει ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, βελτιώνοντας την ακρίβεια και τη συνέπεια της συσκευής.
Λεπτή δομή (350 μm): Το βέλτιστο πάχος της γκοφρέτας υποστηρίζει την ενσωμάτωση σε προηγμένες ηλεκτρονικές συσκευές με περιορισμένο χώρο.

Συνολικά, η γκοφρέτα SiC τύπου P, 4H/6H-P 3C-N, προσφέρει μια σειρά πλεονεκτημάτων που την καθιστούν εξαιρετικά κατάλληλη για βιομηχανικές και ηλεκτρονικές εφαρμογές. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και η τάση διάσπασής του επιτρέπουν την αξιόπιστη λειτουργία σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής τάσης, ενώ η αντοχή του σε δύσκολες συνθήκες εξασφαλίζει ανθεκτικότητα. Το ντόπινγκ τύπου P επιτρέπει την αποτελεσματική μετατροπή ισχύος, καθιστώντας το ιδανικό για ηλεκτρονικά και ενεργειακά συστήματα ισχύος. Επιπλέον, ο κύριος επίπεδος προσανατολισμός της γκοφρέτας εξασφαλίζει ακριβή ευθυγράμμιση κατά τη διάρκεια της διαδικασίας κατασκευής, ενισχύοντας τη συνοχή της παραγωγής. Με πάχος 350 μm, είναι κατάλληλο για ενσωμάτωση σε προηγμένες, συμπαγείς συσκευές.