Δισκίο SiC τύπου P 4H/6H-P 3C-N πάχους 6 ιντσών 350 μm με πρωτεύοντα επίπεδο προσανατολισμό
Προδιαγραφές 4H/6H-P Τύπος Σύνθετα Υποστρώματα SiC Κοινός πίνακας παραμέτρων
6 Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου (SiC) διαμέτρου ίντσας Προσδιορισμός
| Βαθμός | Παραγωγή μηδενικού MPDΒαθμός (Ζ) Βαθμός) | Τυπική ΠαραγωγήΒαθμός (P Βαθμός) | Ψευδοβαθμολογία (D Βαθμός) | ||
| Διάμετρος | 145,5 mm~150,0 mm | ||||
| Πάχος | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Προσανατολισμός πλακιδίων | -Offάξονας: 2,0°-4,0° προς [1120] ± 0,5° για 4H/6H-P, Στον άξονα: 〈111〉± 0,5° για 3C-N | ||||
| Πυκνότητα μικροσωλήνων | 0 cm-2 | ||||
| Αντίσταση | τύπου p 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-τύπου 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Κύριο επίπεδο μήκος | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Δευτερεύον επίπεδο μήκος | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός | Πυριτίου με όψη προς τα πάνω: 90° δεξιόστροφα από την επίπεδη επιφάνεια σταθεροποίησης ± 5,0° | ||||
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | 6 χιλιοστά | |||
| LTV/TTV/Τόξο /Στημόνι | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Τραχύτητα | Πολωνικό Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Ρωγμές στις άκρες από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤ 10 mm, μονό μήκος ≤2 mm | |||
| Πλάκες Hex με φως υψηλής έντασης | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική επιφάνεια ≤0,1% | |||
| Περιοχές πολυτύπου με φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολική περιοχή ≤3% | |||
| Οπτικές συμπεριλήψεις άνθρακα | Συνολική περιοχή ≤0,05% | Συνολική περιοχή ≤3% | |||
| Γρατζουνιές επιφάνειας πυριτίου από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συνολικό μήκος ≤1×διάμετρος γκοφρέτας | |||
| Τσιπς άκρων υψηλής έντασης φωτός | Δεν επιτρέπεται πλάτος και βάθος ≥0,2 mm | Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα | |||
| Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από υψηλή ένταση | Κανένας | ||||
| Συσκευασία | Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο μονού πλακιδίου | ||||
Σημειώσεις:
※ Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια του πλακιδίου εκτός από την περιοχή εξαίρεσης άκρων. # Οι γρατσουνιές πρέπει να ελέγχονται στην επιφάνεια Si o
Η πλακέτα SiC τύπου P, 4H/6H-P 3C-N, με μέγεθος 6 ιντσών και πάχος 350 μm, παίζει καθοριστικό ρόλο στη βιομηχανική παραγωγή ηλεκτρονικών ισχύος υψηλής απόδοσης. Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητά της και η υψηλή τάση διάσπασης την καθιστούν ιδανική για την κατασκευή εξαρτημάτων όπως διακόπτες ισχύος, διόδους και τρανζίστορ που χρησιμοποιούνται σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, όπως ηλεκτρικά οχήματα, δίκτυα ηλεκτρικής ενέργειας και συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Η ικανότητα της πλακέτας να λειτουργεί αποτελεσματικά σε δύσκολες συνθήκες εξασφαλίζει αξιόπιστη απόδοση σε βιομηχανικές εφαρμογές που απαιτούν υψηλή πυκνότητα ισχύος και ενεργειακή απόδοση. Επιπλέον, ο πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός της βοηθά στην ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή των συσκευών, ενισχύοντας την αποδοτικότητα της παραγωγής και τη συνέπεια του προϊόντος.
Τα πλεονεκτήματα των σύνθετων υποστρωμάτων SiC τύπου N περιλαμβάνουν
- Υψηλή θερμική αγωγιμότηταΤα πλακίδια SiC τύπου P διαχέουν αποτελεσματικά τη θερμότητα, καθιστώντας τα ιδανικά για εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας.
- Υψηλή τάση διακοπήςΙκανό να αντέχει σε υψηλές τάσεις, εξασφαλίζοντας αξιοπιστία σε ηλεκτρονικά ισχύος και συσκευές υψηλής τάσης.
- Αντοχή σε σκληρά περιβάλλονταΕξαιρετική ανθεκτικότητα σε ακραίες συνθήκες, όπως υψηλές θερμοκρασίες και διαβρωτικά περιβάλλοντα.
- Αποδοτική μετατροπή ισχύοςΗ προσθήκη τύπου P διευκολύνει τον αποτελεσματικό χειρισμό ισχύος, καθιστώντας το πλακίδιο κατάλληλο για συστήματα μετατροπής ενέργειας.
- Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμόςΕξασφαλίζει ακριβή ευθυγράμμιση κατά την κατασκευή, βελτιώνοντας την ακρίβεια και τη συνέπεια της συσκευής.
- Λεπτή Δομή (350 μm)Το βέλτιστο πάχος της πλακέτας υποστηρίζει την ενσωμάτωση σε προηγμένες ηλεκτρονικές συσκευές με περιορισμένο χώρο.
Συνολικά, η πλακέτα SiC τύπου P, 4H/6H-P 3C-N, προσφέρει μια σειρά από πλεονεκτήματα που την καθιστούν εξαιρετικά κατάλληλη για βιομηχανικές και ηλεκτρονικές εφαρμογές. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και η τάση διάσπασης επιτρέπουν την αξιόπιστη λειτουργία σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής τάσης, ενώ η αντοχή της σε σκληρές συνθήκες εξασφαλίζει ανθεκτικότητα. Η πρόσμιξη τύπου P επιτρέπει την αποτελεσματική μετατροπή ισχύος, καθιστώντας την ιδανική για ηλεκτρονικά ισχύος και ενεργειακά συστήματα. Επιπλέον, ο πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός της πλακέτας εξασφαλίζει ακριβή ευθυγράμμιση κατά τη διάρκεια της διαδικασίας κατασκευής, ενισχύοντας τη συνέπεια της παραγωγής. Με πάχος 350 μm, είναι ιδανική για ενσωμάτωση σε προηγμένες, συμπαγείς συσκευές.
Λεπτομερές Διάγραμμα
