Το υψηλό σημείο τήξης οπτικής μετάδοσης Al₂O₃ μονοκρυστάλλου ινών σαπφείρου 2072℃ μπορεί να χρησιμοποιηθεί για υλικά παραθύρων λέιζερ

Μονοκρυσταλλική ίνα σαπφείρου Al₂O₃ με υψηλό σημείο τήξης οπτικής διαπερατότητας 2072℃ μπορεί να χρησιμοποιηθεί για υλικά παραθύρων λέιζερ Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Η ίνα σαπφείρου είναι κατασκευασμένη από μονοκρυσταλλική αλουμίνα (Al₂O₃), η οποία είναι ένα υλικό με υψηλή μηχανική αντοχή, χημική αντοχή και καλή θερμική αγωγιμότητα. Το ζαφείρι ανήκει στην εξαγωνική κρυσταλλική δομή, το εύρος μετάδοσης φωτός είναι 0,146,0 μm και έχει υψηλή οπτική διαπερατότητα στη ζώνη των 3,05,0 μm. Το σημείο τήξης του ζαφειριού φτάνει τους 2072 °C και η σκληρότητά του είναι δεύτερη μόνο μετά το διαμάντι, επομένως η ίνα σαπφείρου έχει εξαιρετικά υψηλή αντοχή στη θερμότητα και μηχανική αντοχή.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Διαδικασία προετοιμασίας

1. Οι ίνες ζαφειριού παρασκευάζονται συνήθως με τη μέθοδο θερμαινόμενης βάσης με λέιζερ (LHPG). Με αυτήν τη μέθοδο, μπορούν να αναπτυχθούν ίνες ζαφειριού με γεωμετρικό άξονα και άξονα C, οι οποίες έχουν καλή διαπερατότητα στην εγγύς υπέρυθρη ζώνη. Η απώλεια προέρχεται κυρίως από τη σκέδαση που προκαλείται από κρυσταλλικά ελαττώματα που υπάρχουν στην επιφάνεια της ίνας.

2. Παρασκευή ινών ζαφειριού επικαλυμμένων με πυρίτιο: Αρχικά, τοποθετείται επίστρωση πολυ(διμεθυλοσιλοξάνης) στην επιφάνεια των ινών ζαφειριού και σκληρύνεται, και στη συνέχεια το σκληρυμένο στρώμα μετατρέπεται σε πυρίτιο στους 200 ~ 250℃ για να ληφθούν ίνες ζαφειριού επικαλυμμένες με πυρίτιο. Αυτή η μέθοδος έχει χαμηλή θερμοκρασία διεργασίας, απλή λειτουργία και υψηλή απόδοση διεργασίας.

3. Παρασκευή ινών κώνου ζαφειριού: Η συσκευή ανάπτυξης με τη μέθοδο θέρμανσης βάσης λέιζερ χρησιμοποιείται για την παρασκευή ινών κώνου ζαφειριού ελέγχοντας την ταχύτητα ανύψωσης του κρυστάλλου σπόρου ινών ζαφειριού και την ταχύτητα τροφοδοσίας της ράβδου πηγής κρυστάλλου ζαφειριού. Αυτή η μέθοδος μπορεί να παρασκευάσει ίνες κώνου ζαφειριού με διαφορετικό πάχος και λεπτό άκρο, που μπορούν να ικανοποιήσουν τις συγκεκριμένες απαιτήσεις εφαρμογής.

Τύποι και προδιαγραφές ινών

1. Εύρος διαμέτρου: Η διάμετρος της ίνας ζαφειριού μπορεί να επιλεγεί μεταξύ 75~500μm για να προσαρμοστεί στις διαφορετικές απαιτήσεις εφαρμογής.

2. Κωνική ίνα: Η κωνική ίνα ζαφειριού μπορεί να επιτύχει υψηλή μετάδοση ενέργειας φωτός, εξασφαλίζοντας παράλληλα την ευελιξία της ίνας. Αυτή η ίνα βελτιώνει την απόδοση μετάδοσης ενέργειας χωρίς να θυσιάζει την ευελιξία.

3. Δακτύλιοι και σύνδεσμοι: Για οπτικές ίνες με διάμετρο μεγαλύτερη από 100μm, μπορείτε να επιλέξετε να χρησιμοποιήσετε δακτυλίους πολυτετραφθοροαιθυλενίου (PTFE) ή συνδέσμους οπτικών ινών για προστασία ή σύνδεση.

Πεδίο εφαρμογής

1. Αισθητήρας οπτικών ινών υψηλής θερμοκρασίας: Η οπτική ίνα ζαφειριού, λόγω της αντοχής της σε υψηλές θερμοκρασίες και της αντοχής της στη χημική διάβρωση, είναι πολύ κατάλληλη για ανίχνευση οπτικών ινών σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας. Για παράδειγμα, στη μεταλλουργία, τη χημική βιομηχανία, τη θερμική επεξεργασία και άλλους τομείς, οι αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας από οπτικές ίνες ζαφειριού μπορούν να μετρήσουν με ακρίβεια θερμοκρασίες έως και 2000 °C.

2. Μεταφορά ενέργειας με λέιζερ: Τα χαρακτηριστικά υψηλής ενεργειακής μετάδοσης της ίνας ζαφειριού την καθιστούν ευρέως χρησιμοποιούμενη στον τομέα της μεταφοράς ενέργειας με λέιζερ. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως υλικό παραθύρου για λέιζερ για αντοχή σε ακτινοβολία λέιζερ υψηλής έντασης και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.

3. Μέτρηση βιομηχανικής θερμοκρασίας: Στον τομέα της βιομηχανικής μέτρησης θερμοκρασίας, οι αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας από ίνες ζαφειριού μπορούν να παρέχουν ακριβή και σταθερά δεδομένα μέτρησης θερμοκρασίας, τα οποία βοηθούν στην παρακολούθηση και τον έλεγχο των αλλαγών θερμοκρασίας στη διαδικασία παραγωγής.

4. Επιστημονική έρευνα και ιατρική: Στον τομέα της επιστημονικής έρευνας και της ιατρικής περίθαλψης, οι ίνες ζαφειριού χρησιμοποιούνται επίσης σε μια ποικιλία εφαρμογών οπτικών μετρήσεων και ανίχνευσης υψηλής ακρίβειας λόγω των μοναδικών φυσικών και χημικών ιδιοτήτων τους.

Τεχνικές παράμετροι

Παράμετρος	Περιγραφή
Διάμετρος	65 μm
Αριθμητικό Διάφραγμα	0,2
Εύρος μήκους κύματος	200nm - 2000nm
Εξασθένηση/ Απώλεια	0,5 dB/m
Μέγιστη διαχείριση ισχύος	1w
Θερμική αγωγιμότητα	35 W/(m·K)

Σύμφωνα με τις συγκεκριμένες ανάγκες των πελατών, η XKH παρέχει εξατομικευμένες υπηρεσίες σχεδιασμού ινών ζαφειριού κατά παραγγελία. Είτε πρόκειται για το μήκος και τη διάμετρο της ίνας, είτε για τις ειδικές απαιτήσεις οπτικής απόδοσης, η XKH μπορεί να προσφέρει στους πελάτες την καλύτερη λύση για την κάλυψη των αναγκών των εφαρμογών τους μέσω επαγγελματικού σχεδιασμού και υπολογισμού. Η XKH διαθέτει προηγμένη τεχνολογία κατασκευής ινών ζαφειριού, συμπεριλαμβανομένης της μεθόδου θερμαινόμενης βάσης με λέιζερ (LHPG), για την παραγωγή ινών ζαφειριού υψηλής ποιότητας και υψηλής απόδοσης. Η XKH ελέγχει αυστηρά κάθε κρίκο της διαδικασίας παραγωγής για να διασφαλίσει ότι η ποιότητα και η απόδοση του προϊόντος ανταποκρίνονται στις προσδοκίες των πελατών.