Οπτικός φακός Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Προσαρμοσμένο μέγεθος

1. Υψηλός Δείκτης Διάθλασης & Ευρύ Παράθυρο Διαπερατότητας: Οι οπτικοί φακοί SiC επιδεικνύουν εξαιρετική οπτική απόδοση με δείκτη διάθλασης περίπου 2,6-2,7 σε όλο το φάσμα λειτουργίας τους. Αυτό το ευρύ παράθυρο μετάδοσης (600-1850 nm) καλύπτει τόσο τις ορατές όσο και τις περιοχές εγγύς υπέρυθρης ακτινοβολίας, καθιστώντας τες ιδιαίτερα πολύτιμες για συστήματα πολυφασματικής απεικόνισης και οπτικές εφαρμογές ευρείας ζώνης. Ο χαμηλός συντελεστής απορρόφησης του υλικού σε αυτά τα εύρη εξασφαλίζει ελάχιστη εξασθένηση σήματος, ακόμη και σε εφαρμογές λέιζερ υψηλής ισχύος.

2. Εξαιρετικές Μη Γραμμικές Οπτικές Ιδιότητες: Η μοναδική κρυσταλλική δομή του καρβιδίου του πυριτίου του προσδίδει αξιοσημείωτους μη γραμμικούς οπτικούς συντελεστές (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), επιτρέποντας αποτελεσματικές διαδικασίες μετατροπής συχνότητας. Αυτές οι ιδιότητες αξιοποιούνται ενεργά σε εφαρμογές αιχμής, όπως οπτικοί παραμετρικοί ταλαντωτές, υπερταχέα συστήματα λέιζερ και συσκευές επεξεργασίας οπτικών σημάτων. Το υψηλό όριο βλάβης του υλικού (>5 GW/cm2) ενισχύει περαιτέρω την καταλληλότητά του για εφαρμογές υψηλής έντασης.

3. Μηχανική & Θερμική Σταθερότητα: Με μέτρο ελαστικότητας που προσεγγίζει τα 400 GPa και θερμική αγωγιμότητα που υπερβαίνει τα 300 W/m·K, τα οπτικά εξαρτήματα SiC διατηρούν εξαιρετική σταθερότητα υπό μηχανική καταπόνηση και θερμικούς κύκλους. Ο εξαιρετικά χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής (4,0×10-6/K) εξασφαλίζει ελάχιστη εστιακή μετατόπιση με τις διακυμάνσεις της θερμοκρασίας, ένα κρίσιμο πλεονέκτημα για οπτικά συστήματα ακριβείας που λειτουργούν σε μεταβαλλόμενα θερμικά περιβάλλοντα, όπως διαστημικές εφαρμογές ή βιομηχανικός εξοπλισμός επεξεργασίας λέιζερ.

4. Κβαντικές Ιδιότητες: Τα χρωματικά κέντρα κενού πυριτίου (VSi) και δικενότητας (VSiVC) σε πολυτύπους 4H-SiC και 6H-SiC εμφανίζουν οπτικά διευθυνσιοδοτούμενες καταστάσεις σπιν με μεγάλους χρόνους συνοχής σε θερμοκρασία δωματίου. Αυτοί οι κβαντικοί εκπομποί ενσωματώνονται σε κλιμακώσιμα κβαντικά δίκτυα και είναι ιδιαίτερα πολλά υποσχόμενοι για την ανάπτυξη κβαντικών αισθητήρων θερμοκρασίας δωματίου και συσκευών κβαντικής μνήμης σε αρχιτεκτονικές φωτονικών κβαντικών υπολογιστών.

5. Συμβατότητα CMOS: Η συμβατότητα του SiC με τις τυπικές διαδικασίες κατασκευής ημιαγωγών επιτρέπει την άμεση μονολιθική ενσωμάτωση με πλατφόρμες φωτονικής πυριτίου. Αυτό επιτρέπει τη δημιουργία υβριδικών φωτονικών-ηλεκτρονικών συστημάτων που συνδυάζουν τα οπτικά πλεονεκτήματα του SiC με την ηλεκτρονική λειτουργικότητα του πυριτίου, ανοίγοντας νέες δυνατότητες για σχεδιασμούς συστημάτων σε τσιπ σε εφαρμογές οπτικής υπολογιστικής και ανίχνευσης.