English

Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Featured Image
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
  • Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Σύντομη Περιγραφή:

Προσφέρουμε μια μεγάλη ποικιλία από πλακίδια SiC (καρβιδίου του πυριτίου) υψηλής ποιότητας, με ιδιαίτερη έμφαση στα πλακίδια τύπου N 4H-N και 6H-N, τα οποία είναι ιδανικά για εφαρμογές σε προηγμένη οπτοηλεκτρονική, συσκευές ισχύος και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας. Αυτά τα πλακίδια τύπου N είναι γνωστά για την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητά τους, την εξαιρετική ηλεκτρική σταθερότητα και την αξιοσημείωτη ανθεκτικότητά τους, καθιστώντας τα ιδανικά για εφαρμογές υψηλής απόδοσης, όπως ηλεκτρονικά ισχύος, συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων, μετατροπείς ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και βιομηχανικά τροφοδοτικά. Εκτός από τις προσφορές τύπου N, παρέχουμε επίσης πλακίδια SiC τύπου P 4H/6H-P και 3C για εξειδικευμένες ανάγκες, συμπεριλαμβανομένων συσκευών υψηλής συχνότητας και RF, καθώς και φωτονικών εφαρμογών. Τα πλακίδια μας διατίθενται σε μεγέθη που κυμαίνονται από 2 ίντσες έως 8 ίντσες και παρέχουμε εξατομικευμένες λύσεις για να καλύψουμε τις συγκεκριμένες απαιτήσεις διαφόρων βιομηχανικών τομέων. Για περισσότερες λεπτομέρειες ή ερωτήσεις, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.


Χαρακτηριστικά

Σκηνικά θέατρου

4H-N και 6H-N (γκοφρέτες SiC τύπου N)

Εφαρμογή:Χρησιμοποιείται κυρίως σε ηλεκτρονικά ισχύος, οπτοηλεκτρονική και εφαρμογές υψηλών θερμοκρασιών.

Εύρος διαμέτρων:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:350 μm ± 25 μm, με προαιρετικά πάχη 500 μm ± 25 μm.

Αντίσταση:Τύπος N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (βαθμός Z), ≤ 0,3 Ω·cm (βαθμός P). Τύπος N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (βαθμός Z), ≤ 1 mΩ·cm (βαθμός P).

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ή MP).

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD):< 1 τεμ./cm².

TTV: ≤ 10 μm για όλες τις διαμέτρους.

Στημόνι: ≤ 30 μm (≤ 45 μm για πλακίδια 8 ιντσών).

Εξαίρεση ακμής:3 mm έως 6 mm ανάλογα με τον τύπο της πλακέτας.

Συσκευασία:Κασέτα πολλαπλών πλακιδίων ή δοχείο ενός μόνο πλακιδίου.

Άλλα διαθέσιμα μεγέθη 3 ίντσες, 4 ίντσες, 6 ίντσες, 8 ίντσες

HPSI (Ημιμονωτικά πλακίδια SiC υψηλής καθαρότητας)

Εφαρμογή:Χρησιμοποιείται για συσκευές που απαιτούν υψηλή αντίσταση και σταθερή απόδοση, όπως συσκευές RF, φωτονικές εφαρμογές και αισθητήρες.

Εύρος διαμέτρων:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:Τυπικό πάχος 350 μm ± 25 μm με επιλογές για παχύτερες πλακέτες έως 500 μm.

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm.

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD): ≤ 1 τεμ./cm².

Αντίσταση:Υψηλή αντοχή, που χρησιμοποιείται συνήθως σε ημιμονωτικές εφαρμογές.

Στημόνι: ≤ 30 μm (για μικρότερα μεγέθη), ≤ 45 μm για μεγαλύτερες διαμέτρους.

TTV: ≤ 10 μm.

Άλλα διαθέσιμα μεγέθη 3 ίντσες, 4 ίντσες, 6 ίντσες, 8 ίντσες

4H-P、6H-P&3C πλακίδιο SiC(Δοκιδωτές πλάκες SiC τύπου P)

Εφαρμογή:Κυρίως για συσκευές ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Εύρος διαμέτρων:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:350 μm ± 25 μm ή προσαρμοσμένες επιλογές.

Αντίσταση:Τύπος P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (βαθμός Z), ≤ 0,3 Ω·cm (βαθμός P).

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ή MP).

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD):< 1 τεμ./cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Εξαίρεση ακμής:3 χιλιοστά έως 6 χιλιοστά.

Στημόνι: ≤ 30 μm για μικρότερα μεγέθη, ≤ 45 μm για μεγαλύτερα μεγέθη.

Άλλα διαθέσιμα μεγέθη 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες5×5 10×10

Πίνακας Παραμέτρων Μερικών Δεδομένων

Ιδιοκτησία

2 ίντσες

3 ίντσες

4 ίντσες

6 ίντσες

8 ίντσες

Τύπος

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Διάμετρος

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 χιλιοστά

100±0,3 χιλιοστά

150±0,3 χιλιοστά

200 ± 0,3 χιλ.

Πάχος

330 ± 25 μm

350 ±25 μm

350 ±25 μm

350 ±25 μm

350 ±25 μm

350±25 μm;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ή προσαρμοσμένο

ή προσαρμοσμένο

ή προσαρμοσμένο

ή προσαρμοσμένο

ή προσαρμοσμένο

Τραχύτητα

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Ra ≤ 0,2nm

Στημόνι

≤ 30 μm

≤ 30 μm

≤ 30 μm

≤ 30 μm

≤45 μm

TTV

≤ 10 μm

≤ 10 μm

≤ 10 μm

≤ 10 μm

≤ 10 μm

Ξύσιμο/Σκάψιμο

ΔΕΑ/ΜΠ

MPD

<1τεμ./εκ.-2

<1τεμ./εκ.-2

<1τεμ./εκ.-2

<1τεμ./εκ.-2

<1τεμ./εκ.-2

Σχήμα

Στρογγυλό, επίπεδο 16mm. ΑΠΟ μήκος 22mm. ΑΠΟ μήκος 30/32.5mm. ΑΠΟ μήκος 47.5mm. ΕΓΚΟΠΗ. ΕΓΚΟΠΗ.

Λοξεύω

45°, ΗΜΙΑΥΓΕΙΑ ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΩΝ; Σχήμα C

 Βαθμός

Βαθμός παραγωγής για MOS&SBD. Βαθμός έρευνας. Πλαστικοποίηση, Βαθμός γκοφρέτας σπόρου

Παρατηρήσεις

Διάμετρος, πάχος, προσανατολισμός, οι παραπάνω προδιαγραφές μπορούν να προσαρμοστούν κατόπιν αιτήματός σας

 

Εφαρμογές

·Ηλεκτρονικά Ισχύος

Τα πλακίδια SiC τύπου N είναι ζωτικής σημασίας στις ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος λόγω της ικανότητάς τους να διαχειρίζονται υψηλή τάση και υψηλό ρεύμα. Χρησιμοποιούνται συνήθως σε μετατροπείς ισχύος, μετατροπείς και κινητήρες για βιομηχανίες όπως οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, τα ηλεκτρικά οχήματα και ο βιομηχανικός αυτοματισμός.

· Οπτοηλεκτρονική
Τα υλικά SiC τύπου N, ειδικά για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές, χρησιμοποιούνται σε συσκευές όπως οι δίοδοι εκπομπής φωτός (LED) και οι δίοδοι λέιζερ. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητά τους και το μεγάλο ενεργειακό χάσμα τα καθιστούν ιδανικά για οπτοηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης.

·Εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας
Οι πλακέτες SiC 4H-N 6H-N είναι κατάλληλες για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, όπως σε αισθητήρες και συσκευές ισχύος που χρησιμοποιούνται σε αεροδιαστημικές, αυτοκινητοβιομηχανικές και βιομηχανικές εφαρμογές, όπου η απαγωγή θερμότητας και η σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες είναι κρίσιμες.

·Συσκευές RF
Οι πλακέτες SiC 4H-N 6H-N χρησιμοποιούνται σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων (RF) που λειτουργούν σε περιοχές υψηλών συχνοτήτων. Εφαρμόζονται σε συστήματα επικοινωνιών, τεχνολογία ραντάρ και δορυφορικές επικοινωνίες, όπου απαιτείται υψηλή ενεργειακή απόδοση και απόδοση.

·Φωτονικές Εφαρμογές
Στη φωτονική, οι πλακέτες SiC χρησιμοποιούνται για συσκευές όπως φωτοανιχνευτές και διαμορφωτές. Οι μοναδικές ιδιότητες του υλικού του επιτρέπουν να είναι αποτελεσματικό στην παραγωγή, τη διαμόρφωση και την ανίχνευση φωτός σε συστήματα οπτικών επικοινωνιών και συσκευές απεικόνισης.

·Αισθητήρες
Οι πλακέτες SiC χρησιμοποιούνται σε μια ποικιλία εφαρμογών αισθητήρων, ιδιαίτερα σε αντίξοα περιβάλλοντα όπου άλλα υλικά ενδέχεται να παρουσιάσουν βλάβη. Σε αυτές περιλαμβάνονται αισθητήρες θερμοκρασίας, πίεσης και χημικών, οι οποίοι είναι απαραίτητοι σε τομείς όπως η αυτοκινητοβιομηχανία, το πετρέλαιο και το φυσικό αέριο, καθώς και η παρακολούθηση του περιβάλλοντος.

·Συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων
Η τεχνολογία SiC παίζει σημαντικό ρόλο στα ηλεκτρικά οχήματα βελτιώνοντας την αποδοτικότητα και την απόδοση των συστημάτων κίνησης. Με τους ημιαγωγούς ισχύος SiC, τα ηλεκτρικά οχήματα μπορούν να επιτύχουν καλύτερη διάρκεια ζωής μπαταρίας, ταχύτερους χρόνους φόρτισης και μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση.

·Προηγμένοι αισθητήρες και φωτονικοί μετατροπείς
Στις προηγμένες τεχνολογίες αισθητήρων, οι πλακέτες SiC χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία αισθητήρων υψηλής ακρίβειας για εφαρμογές στη ρομποτική, τις ιατρικές συσκευές και την παρακολούθηση του περιβάλλοντος. Στους φωτονικούς μετατροπείς, οι ιδιότητες του SiC αξιοποιούνται για να επιτρέψουν την αποτελεσματική μετατροπή της ηλεκτρικής ενέργειας σε οπτικά σήματα, κάτι που είναι ζωτικής σημασίας στις τηλεπικοινωνίες και στις υποδομές υψηλής ταχύτητας στο διαδίκτυο.

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Q：Τι είναι το 4H σε 4H SiC;
AΤο "4H" στο 4H SiC αναφέρεται στην κρυσταλλική δομή του καρβιδίου του πυριτίου, συγκεκριμένα σε μια εξαγωνική μορφή με τέσσερα στρώματα (H). Το "H" υποδεικνύει τον τύπο του εξαγωνικού πολυτύπου, διακρίνοντάς τον από άλλους πολυτύπους SiC όπως το 6H ή το 3C.

QΠοια είναι η θερμική αγωγιμότητα του 4H-SiC;
AΗ θερμική αγωγιμότητα του 4H-SiC (καρβιδίου του πυριτίου) είναι περίπου 490-500 W/m·K σε θερμοκρασία δωματίου. Αυτή η υψηλή θερμική αγωγιμότητα το καθιστά ιδανικό για εφαρμογές σε ηλεκτρονικά ισχύος και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, όπου η αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας είναι ζωτικής σημασίας.

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

    • Σχετικά προϊόντα

    Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς
    Πατήστε enter για αναζήτηση ή ESC για κλείσιμο