English

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη

Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτικό υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη Προτεινόμενη εικόνα
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη
  • Γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου SiC Γκοφρέτα SiC 4H-N 6H-N HPSI（Ημιμονωτική υψηλής καθαρότητας） 4H/6H-P 3C -n τύπος 2 3 4 6 8 ιντσών διαθέσιμη

Σύντομη περιγραφή:

Προσφέρουμε μια ποικιλία από γκοφρέτες SiC (καρβίδιο πυριτίου) υψηλής ποιότητας, με ιδιαίτερη έμφαση στις γκοφρέτες τύπου N 4H-N και 6H-N, οι οποίες είναι ιδανικές για εφαρμογές σε προηγμένη οπτοηλεκτρονική, συσκευές ισχύος και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας . Αυτές οι γκοφρέτες τύπου N είναι γνωστές για την εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, την εξαιρετική ηλεκτρική σταθερότητα και την αξιοσημείωτη αντοχή τους, καθιστώντας τις ιδανικές για εφαρμογές υψηλής απόδοσης όπως ηλεκτρονικά ισχύος, συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων, μετατροπείς ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και βιομηχανικά τροφοδοτικά. Εκτός από τις προσφορές μας τύπου N, παρέχουμε επίσης γκοφρέτες τύπου P 4H/6H-P και 3C SiC για εξειδικευμένες ανάγκες, συμπεριλαμβανομένων συσκευών υψηλής συχνότητας και ραδιοσυχνοτήτων, καθώς και φωτονικών εφαρμογών. Οι γκοφρέτες μας διατίθενται σε μεγέθη που κυμαίνονται από 2 ίντσες έως 8 ίντσες και παρέχουμε εξατομικευμένες λύσεις για την κάλυψη των ειδικών απαιτήσεων διαφόρων βιομηχανικών τομέων. Για περισσότερες λεπτομέρειες ή απορίες, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σκηνικά θέατρου

4H-N και 6H-N (Γκοφρέτες SiC τύπου N)

Εφαρμογή:Χρησιμοποιείται κυρίως σε ηλεκτρονικά ισχύος, οπτοηλεκτρονική και εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας.

Εύρος διαμέτρου:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:350 μm ± 25 μm, με προαιρετικά πάχη 500 μm ± 25 μm.

Αντίσταση:N-τύπος 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω· cm (βαθμός Z), ≤ 0,3 Ω· cm (βαθμός P); N-τύπος 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (βαθμός Z), ≤ 1 mΩ·cm (βαθμός P).

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ή MP).

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm για όλες τις διαμέτρους.

Στημόνι: ≤ 30 μm (≤ 45 μm για γκοφρέτες 8 ιντσών).

Εξαίρεση άκρων:3 mm έως 6 mm ανάλογα με τον τύπο της γκοφρέτας.

Συσκευασία:Κασέτα πολλαπλών γκοφρετών ή δοχείο μονής γκοφρέτας.

Άλλο διαθέσιμο μέγεθος 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών

HPSI (Ημιμονωτικές γκοφρέτες SiC υψηλής καθαρότητας)

Εφαρμογή:Χρησιμοποιείται για συσκευές που απαιτούν υψηλή αντίσταση και σταθερή απόδοση, όπως συσκευές ραδιοσυχνοτήτων, φωτονικές εφαρμογές και αισθητήρες.

Εύρος διαμέτρου:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:Τυπικό πάχος 350 μm ± 25 μm με επιλογές για παχύτερες γκοφρέτες έως 500 μm.

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm.

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Αντίσταση:Υψηλή αντοχή, που χρησιμοποιείται συνήθως σε ημιμονωτικές εφαρμογές.

Στημόνι: ≤ 30 μm (για μικρότερα μεγέθη), ≤ 45 μm για μεγαλύτερες διαμέτρους.

TTV: ≤ 10 μm.

Άλλο διαθέσιμο μέγεθος 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών

4Η-Ρ,6Η-Ρ&3C Γκοφρέτα SiC(Γκοφρέτες SiC τύπου P)

Εφαρμογή:Κυρίως για συσκευές ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Εύρος διαμέτρου:50,8 mm έως 200 mm.

Πάχος:350 μm ± 25 μm ή προσαρμοσμένες επιλογές.

Αντίσταση:P-τύπου 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (βαθμός Z), ≤ 0,3 Ω· cm (βαθμός P).

Τραχύτητα:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ή MP).

Πυκνότητα μικροσωλήνων (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Εξαίρεση άκρων:3 mm έως 6 mm.

Στημόνι: ≤ 30 μm για μικρότερα μεγέθη, ≤ 45 μm για μεγαλύτερα μεγέθη.

Άλλο διαθέσιμο μέγεθος 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών5×5 10×10

Πίνακας παραμέτρων μερικών δεδομένων

Ιδιοκτησία

2 ιντσών

3 ιντσών

4 ιντσών

6 ιντσών

8 ιντσών

Τύπος

4H-N/HPSI/
6Η-Ν/4Η/6Η-Ρ/3C;

4H-N/HPSI/
6Η-Ν/4Η/6Η-Ρ/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Διάμετρος

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 χλστ

100±0,3 χλστ

150±0,3 χλστ

200 ± 0,3 mm

Πάχος

330 ± 25 μ.μ

350 ± 25 μ.μ

350 ± 25 μ.μ

350 ± 25 μ.μ

350 ± 25 μ.μ

350±25um;

500±25 μ

500±25 μ

500±25 μ

500±25 μ

ή προσαρμοσμένη

ή προσαρμοσμένη

ή προσαρμοσμένη

ή προσαρμοσμένη

ή προσαρμοσμένη

Τραχύτητα

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Στημόνι

≤ 30 μ

≤ 30 μ

≤ 30 μ

≤ 30 μ

≤45um

TTV

≤ 10 μ

≤ 10 μ

≤ 10 μ

≤ 10 μ

≤ 10 μ

Scratch/Dig

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Σχήμα

Στρογγυλό, Επίπεδο 16mm；Μήκους 22mm; Μήκους 30/32,5mm; Μήκους 47,5 mm; ΕΓΚΟΠΗ; ΕΓΚΟΠΗ;

Λοξεύω

45°, SEMI Spec; Σχήμα C

 Βαθμός

Βαθμός παραγωγής για MOS&SBD. Βαθμός έρευνας ; Ψευδής ποιότητας, Βαθμός γκοφρέτας σπόρων

Παρατηρήσεις

Η διάμετρος, το πάχος, ο προσανατολισμός, οι παραπάνω προδιαγραφές μπορούν να προσαρμοστούν κατόπιν αιτήματός σας

 

Εφαρμογές

·Ηλεκτρονικά Ισχύος

Οι γκοφρέτες SiC τύπου N είναι ζωτικής σημασίας σε ηλεκτρονικές συσκευές ισχύος λόγω της ικανότητάς τους να χειρίζονται υψηλή τάση και υψηλό ρεύμα. Χρησιμοποιούνται συνήθως σε μετατροπείς ισχύος, μετατροπείς και κινητήρες για βιομηχανίες όπως οι ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, τα ηλεκτρικά οχήματα και οι βιομηχανικοί αυτοματισμοί.

· Οπτοηλεκτρονική
Τα υλικά SiC τύπου N, ειδικά για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές, χρησιμοποιούνται σε συσκευές όπως οι δίοδοι εκπομπής φωτός (LED) και οι δίοδοι λέιζερ. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και το μεγάλο διάκενο τα καθιστούν ιδανικά για οπτοηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης.

·Εφαρμογές Υψηλής Θερμοκρασίας
Οι γκοφρέτες SiC 4H-N 6H-N είναι κατάλληλες για περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, όπως σε αισθητήρες και συσκευές ισχύος που χρησιμοποιούνται στην αεροδιαστημική, την αυτοκινητοβιομηχανία και τις βιομηχανικές εφαρμογές όπου η απαγωγή θερμότητας και η σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες είναι κρίσιμες.

·Συσκευές RF
Οι γκοφρέτες SiC 4H-N 6H-N χρησιμοποιούνται σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων (RF) που λειτουργούν σε εύρη υψηλών συχνοτήτων. Εφαρμόζονται σε συστήματα επικοινωνιών, τεχνολογία ραντάρ και δορυφορικές επικοινωνίες, όπου απαιτείται υψηλή απόδοση ισχύος και απόδοση.

·Φωτονικές Εφαρμογές
Στη φωτονική, οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται για συσκευές όπως φωτοανιχνευτές και διαμορφωτές. Οι μοναδικές ιδιότητες του υλικού του επιτρέπουν να είναι αποτελεσματικό στη δημιουργία φωτός, τη διαμόρφωση και την ανίχνευση σε συστήματα οπτικής επικοινωνίας και συσκευές απεικόνισης.

·Αισθητήρες
Οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται σε μια ποικιλία εφαρμογών αισθητήρων, ιδιαίτερα σε σκληρά περιβάλλοντα όπου άλλα υλικά ενδέχεται να αποτύχουν. Αυτά περιλαμβάνουν αισθητήρες θερμοκρασίας, πίεσης και χημικών, οι οποίοι είναι απαραίτητοι σε τομείς όπως η αυτοκινητοβιομηχανία, το πετρέλαιο και το φυσικό αέριο και η περιβαλλοντική παρακολούθηση.

·Συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων
Η τεχνολογία SiC παίζει σημαντικό ρόλο στα ηλεκτρικά οχήματα βελτιώνοντας την απόδοση και την απόδοση των συστημάτων κίνησης. Με τους ημιαγωγούς ισχύος SiC, τα ηλεκτρικά οχήματα μπορούν να επιτύχουν καλύτερη διάρκεια ζωής της μπαταρίας, ταχύτερους χρόνους φόρτισης και μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση.

·Προηγμένοι αισθητήρες και φωτονικοί μετατροπείς
Στις προηγμένες τεχνολογίες αισθητήρων, οι γκοφρέτες SiC χρησιμοποιούνται για τη δημιουργία αισθητήρων υψηλής ακρίβειας για εφαρμογές στη ρομποτική, τις ιατρικές συσκευές και την παρακολούθηση του περιβάλλοντος. Στους φωτονικούς μετατροπείς, οι ιδιότητες του SiC αξιοποιούνται για να καταστεί δυνατή η αποτελεσματική μετατροπή της ηλεκτρικής ενέργειας σε οπτικά σήματα, κάτι που είναι ζωτικής σημασίας στις τηλεπικοινωνίες και στις υποδομές Διαδικτύου υψηλής ταχύτητας.

Q&A

Q：Τι είναι το 4H σε 4H SiC;
A："4H" σε 4H SiC αναφέρεται στην κρυσταλλική δομή του καρβιδίου του πυριτίου, συγκεκριμένα σε μια εξαγωνική μορφή με τέσσερα στρώματα (Η). Το "H" υποδεικνύει τον τύπο του εξαγωνικού πολυτύπου, διακρίνοντάς τον από άλλους πολυτύπους SiC όπως το 6H ή το 3C.

Q：Ποια είναι η θερμική αγωγιμότητα του 4H-SiC;
A:Η θερμική αγωγιμότητα του 4H-SiC (καρβίδιο του πυριτίου) είναι περίπου 490-500 W/m·K σε θερμοκρασία δωματίου. Αυτή η υψηλή θερμική αγωγιμότητα το καθιστά ιδανικό για εφαρμογές σε ηλεκτρονικά ισχύος και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, όπου η αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας είναι ζωτικής σημασίας.

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:
    • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς

    Κατηγορίες προϊόντων

    Πατήστε enter για αναζήτηση ή ESC για κλείσιμο