Ούτω
-
Δισκία καρβιδίου πυριτίου 2 ιντσών, τύπου 6H ή 4H N ή ημιμονωτικά υποστρώματα SiC
-
4H-N 4 ιντσών γκοφρέτα υποστρώματος SiC Παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου Ομοιόμορφη ερευνητική ποιότητα
-
6 ιντσών 150 χιλιοστών γκοφρέτες SiC καρβιδίου του πυριτίου τύπου 4H-N για έρευνα παραγωγής MOS ή SBD και εικονική ποιότητα
-
8 ιντσών 200 χιλιοστά 4H-N SiC Wafer αγώγιμο ομοίωμα ερευνητικής ποιότητας
-
Δισκία καρβιδίου πυριτίου 2 ιντσών, τύπου 6H ή 4H N ή ημιμονωτικά υποστρώματα SiC