Το πλινθώμα SiC καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών τύπου N, τύπου Dummy/prime, μπορεί να προσαρμοστεί.

Το πλινθώμα SiC καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών τύπου N, με ομοίωμα/πρωταρχικής ποιότητας, μπορεί να προσαρμοστεί. Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα ημιαγωγικό υλικό με ευρύ ενεργειακό χάσμα που κερδίζει σημαντική δημοτικότητα σε μια σειρά βιομηχανιών λόγω των ανώτερων ηλεκτρικών, θερμικών και μηχανικών ιδιοτήτων του. Η ράβδος SiC σε ποιότητα Dummy/Prime τύπου N 6 ιντσών έχει σχεδιαστεί ειδικά για την παραγωγή προηγμένων ημιαγωγικών συσκευών, συμπεριλαμβανομένων εφαρμογών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Με προσαρμόσιμες επιλογές πάχους και ακριβείς προδιαγραφές, αυτή η ράβδος SiC παρέχει μια ιδανική λύση για την ανάπτυξη συσκευών που χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρικά οχήματα, βιομηχανικά συστήματα ισχύος, τηλεπικοινωνίες και άλλους τομείς υψηλής απόδοσης. Η ανθεκτικότητα του SiC σε συνθήκες υψηλής τάσης, υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας εξασφαλίζει μακροχρόνια, αποτελεσματική και αξιόπιστη απόδοση σε μια ποικιλία εφαρμογών.
Το πλινθώμα SiC διατίθεται σε μέγεθος 6 ιντσών, με διάμετρο 150,25 mm ± 0,25 mm και πάχος μεγαλύτερο από 10 mm, καθιστώντας το ιδανικό για κοπή πλακιδίων. Αυτό το προϊόν προσφέρει έναν σαφώς καθορισμένο προσανατολισμό επιφάνειας 4° προς <11-20> ± 0,2°, εξασφαλίζοντας υψηλή ακρίβεια στην κατασκευή της συσκευής. Επιπλέον, το πλινθώμα διαθέτει έναν πρωτεύοντα επίπεδο προσανατολισμό <1-100> ± 5°, συμβάλλοντας στη βέλτιστη ευθυγράμμιση των κρυστάλλων και την απόδοση επεξεργασίας.
Με υψηλή ειδική αντίσταση στην περιοχή των 0,015–0,0285 Ω·cm, χαμηλή πυκνότητα μικροσωλήνων <0,5 και εξαιρετική ποιότητα ακμών, αυτό το πλινθώμα SiC είναι κατάλληλο για την παραγωγή συσκευών ισχύος που απαιτούν ελάχιστα ελαττώματα και υψηλή απόδοση υπό ακραίες συνθήκες.

Στείλτε μας email

Χαρακτηριστικά

Σκηνικά θέατρου

Βαθμός: Βαθμός Παραγωγής (Ομοιόμορφο/Κύριο)
Μέγεθος: Διάμετρος 6 ιντσών
Διάμετρος: 150,25 mm ± 0,25 mm
Πάχος: >10mm (Διατίθεται προσαρμόσιμο πάχος κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός επιφάνειας: 4° προς <11-20> ± 0,2°, που εξασφαλίζει υψηλή ποιότητα κρυστάλλων και ακριβή ευθυγράμμιση για την κατασκευή της συσκευής.
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός: <1-100> ± 5°, ένα βασικό χαρακτηριστικό για την αποτελεσματική κοπή του πλινθώματος σε πλακίδια και για βέλτιστη ανάπτυξη κρυστάλλων.
Μήκος κύριου επίπεδου τεμαχίου: 47,5 mm ± 1,5 mm, σχεδιασμένο για εύκολο χειρισμό και κοπή ακριβείας.
Αντίσταση: 0,015–0,0285 Ω·cm, ιδανική για εφαρμογές σε συσκευές υψηλής απόδοσης.
Πυκνότητα μικροσωλήνων: <0,5, εξασφαλίζοντας ελάχιστα ελαττώματα που θα μπορούσαν να επηρεάσουν την απόδοση των κατασκευασμένων συσκευών.
BPD (Πυκνότητα Εναπόθεσης Βορίου): <2000, μια χαμηλή τιμή που υποδηλώνει υψηλή κρυσταλλική καθαρότητα και χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων.
TSD (Πυκνότητα εξάρθρωσης βίδας σπειρώματος): <500, εξασφαλίζοντας εξαιρετική ακεραιότητα υλικού για συσκευές υψηλής απόδοσης.
Περιοχές Πολυτυπίας: Καμία – η πλινθώδης ράβδος δεν παρουσιάζει ελαττώματα πολυτυπίας, προσφέροντας ανώτερη ποιότητα υλικού για εφαρμογές υψηλής ποιότητας.
Εσοχές ακμών: <3, με πλάτος και βάθος 1 mm, εξασφαλίζοντας ελάχιστη ζημιά στην επιφάνεια και διατηρώντας την ακεραιότητα του πλινθώματος για αποτελεσματικό κόψιμο σε φέτες πλακιδίων.
Ρωγμές στις άκρες: 3, <1 mm η καθεμία, με χαμηλή εμφάνιση ζημιάς στις άκρες, εξασφαλίζοντας ασφαλή χειρισμό και περαιτέρω επεξεργασία.
Συσκευασία: Θήκη πλακιδίων – το πλινθώμα SiC συσκευάζεται με ασφάλεια σε θήκη πλακιδίων για να εξασφαλίζεται η ασφαλής μεταφορά και χειρισμός.

Εφαρμογές

Ηλεκτρονικά Ισχύος:Το πλινθίο SiC 6 ιντσών χρησιμοποιείται εκτενώς στην παραγωγή ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος όπως MOSFET, IGBT και διόδους, οι οποίες αποτελούν βασικά εξαρτήματα σε συστήματα μετατροπής ισχύος. Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούνται ευρέως σε μετατροπείς ηλεκτρικών οχημάτων (EV), βιομηχανικούς κινητήρες, τροφοδοτικά και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας. Η ικανότητα του SiC να λειτουργεί σε υψηλές τάσεις, υψηλές συχνότητες και ακραίες θερμοκρασίες το καθιστά ιδανικό για εφαρμογές όπου οι παραδοσιακές συσκευές πυριτίου (Si) θα δυσκολεύονταν να αποδώσουν αποτελεσματικά.

Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Στα ηλεκτρικά οχήματα, τα εξαρτήματα που βασίζονται στο SiC είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη μονάδων ισχύος σε μετατροπείς, μετατροπείς DC-DC και ενσωματωμένους φορτιστές. Η ανώτερη θερμική αγωγιμότητα του SiC επιτρέπει μειωμένη παραγωγή θερμότητας και καλύτερη απόδοση στη μετατροπή ισχύος, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για τη βελτίωση της απόδοσης και της αυτονομίας οδήγησης των ηλεκτρικών οχημάτων. Επιπλέον, οι συσκευές SiC επιτρέπουν την κατασκευή μικρότερων, ελαφρύτερων και πιο αξιόπιστων εξαρτημάτων, συμβάλλοντας στη συνολική απόδοση των συστημάτων EV.

Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:Τα πλινθώματα SiC αποτελούν απαραίτητο υλικό για την ανάπτυξη συσκευών μετατροπής ενέργειας που χρησιμοποιούνται σε συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, συμπεριλαμβανομένων των ηλιακών μετατροπέων, των ανεμογεννητριών και των λύσεων αποθήκευσης ενέργειας. Οι υψηλές δυνατότητες διαχείρισης ισχύος του SiC και η αποτελεσματική θερμική διαχείριση επιτρέπουν υψηλότερη απόδοση μετατροπής ενέργειας και βελτιωμένη αξιοπιστία σε αυτά τα συστήματα. Η χρήση του στις ανανεώσιμες πηγές ενέργειας συμβάλλει στην προώθηση των παγκόσμιων προσπαθειών για ενεργειακή βιωσιμότητα.

Τηλεπικοινωνίες:Το πλινθίο SiC 6 ιντσών είναι επίσης κατάλληλο για την παραγωγή εξαρτημάτων που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές RF (ραδιοσυχνοτήτων) υψηλής ισχύος. Σε αυτά περιλαμβάνονται ενισχυτές, ταλαντωτές και φίλτρα που χρησιμοποιούνται σε τηλεπικοινωνιακά και δορυφορικά συστήματα επικοινωνίας. Η ικανότητα του SiC να χειρίζεται υψηλές συχνότητες και υψηλή ισχύ το καθιστά εξαιρετικό υλικό για τηλεπικοινωνιακές συσκευές που απαιτούν ισχυρή απόδοση και ελάχιστη απώλεια σήματος.

Αεροδιαστημική και Άμυνα:Η υψηλή τάση διάσπασης του SiC και η αντοχή του σε υψηλές θερμοκρασίες το καθιστούν ιδανικό για εφαρμογές αεροδιαστημικής και άμυνας. Τα εξαρτήματα που κατασκευάζονται από πλινθώματα SiC χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ, δορυφορικές επικοινωνίες και ηλεκτρονικά ισχύος για αεροσκάφη και διαστημόπλοια. Τα υλικά με βάση το SiC επιτρέπουν στα αεροδιαστημικά συστήματα να λειτουργούν υπό τις ακραίες συνθήκες που συναντώνται στο διάστημα και σε περιβάλλοντα μεγάλου υψομέτρου.

Βιομηχανικός Αυτοματισμός:Στον βιομηχανικό αυτοματισμό, τα εξαρτήματα SiC χρησιμοποιούνται σε αισθητήρες, ενεργοποιητές και συστήματα ελέγχου που πρέπει να λειτουργούν σε αντίξοα περιβάλλοντα. Οι συσκευές που βασίζονται στο SiC χρησιμοποιούνται σε μηχανήματα που απαιτούν αποτελεσματικά, μακράς διαρκείας εξαρτήματα ικανά να αντέχουν σε υψηλές θερμοκρασίες και ηλεκτρικές καταπονήσεις.

Πίνακας προδιαγραφών προϊόντος

Ιδιοκτησία	Προσδιορισμός
Βαθμός	Παραγωγή (Ομοιόμορφη/Κύρια)
Μέγεθος	6 ιντσών
Διάμετρος	150,25 χιλιοστά ± 0,25 χιλιοστά
Πάχος	>10mm (Προσαρμόσιμο)
Προσανατολισμός επιφάνειας	4° προς <11-20> ± 0,2°
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός	<1-100> ± 5°
Κύριο επίπεδο μήκος	47,5 χιλιοστά ± 1,5 χιλιοστά
Αντίσταση	0,015–0,0285 Ω·cm
Πυκνότητα μικροσωλήνων	<0,5
Πυκνότητα σχηματισμού οπών βορίου (BPD)	<2000
Πυκνότητα εξάρθρωσης βίδας σπειρώματος (TSD)	<500
Περιοχές πολυτύπων	Κανένας
Εσοχές άκρων	<3, πλάτος και βάθος 1mm
Ρωγμές στις άκρες	3, <1mm/τεμ.
Συσκευασία	Θήκη πλακιδίων

Σύναψη

Το πλινθώμα SiC 6 ιντσών – τύπου N Dummy/Prime είναι ένα υλικό υψηλής ποιότητας που πληροί τις αυστηρές απαιτήσεις της βιομηχανίας ημιαγωγών. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητά του, η εξαιρετική ειδική αντίσταση και η χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων το καθιστούν εξαιρετική επιλογή για την παραγωγή προηγμένων ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, εξαρτημάτων αυτοκινήτων, τηλεπικοινωνιακών συστημάτων και συστημάτων ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Το προσαρμόσιμο πάχος και οι προδιαγραφές ακρίβειας διασφαλίζουν ότι αυτό το πλινθώμα SiC μπορεί να προσαρμοστεί σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, εξασφαλίζοντας υψηλή απόδοση και αξιοπιστία σε απαιτητικά περιβάλλοντα. Για περισσότερες πληροφορίες ή για να κάνετε μια παραγγελία, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας.