Καρβίδιο πυριτίου SiC Πλίνθωμα 6 ιντσών τύπου N τύπου ανδρείκελου/πρώτου πάχους ποιότητας μπορεί να προσαρμοστεί

Καρβίδιο πυριτίου SiC Πλίνθωμα 6 ιντσών τύπου N Το πάχος ανδρείκελου/πρώτου βαθμού μπορεί να προσαρμοστεί Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα ημιαγωγικό υλικό μεγάλης ζώνης που κερδίζει σημαντική έλξη σε μια σειρά βιομηχανιών λόγω των ανώτερων ηλεκτρικών, θερμικών και μηχανικών ιδιοτήτων του. Το SiC Ingot σε 6 ιντσών τύπου N Dummy/Prime είναι ειδικά σχεδιασμένο για την παραγωγή προηγμένων συσκευών ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένων εφαρμογών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας. Με προσαρμόσιμες επιλογές πάχους και ακριβείς προδιαγραφές, αυτό το πλινθίο SiC παρέχει μια ιδανική λύση για την ανάπτυξη συσκευών που χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρικά οχήματα, βιομηχανικά συστήματα ισχύος, τηλεπικοινωνίες και άλλους τομείς υψηλής απόδοσης. Η στιβαρότητα του SiC σε συνθήκες υψηλής τάσης, υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας εξασφαλίζει μακροχρόνια, αποτελεσματική και αξιόπιστη απόδοση σε ποικίλες εφαρμογές.
Το SiC Ingot είναι διαθέσιμο σε μέγεθος 6 ιντσών, με διάμετρο 150,25 mm ± 0,25 mm και πάχος μεγαλύτερο από 10 mm, καθιστώντας το ιδανικό για τεμαχισμό γκοφρέτας. Αυτό το προϊόν προσφέρει έναν καλά καθορισμένο προσανατολισμό επιφάνειας 4° προς <11-20> ± 0,2°, εξασφαλίζοντας υψηλή ακρίβεια στην κατασκευή της συσκευής. Επιπλέον, η ράβδος διαθέτει πρωτεύοντα επίπεδο προσανατολισμό <1-100> ± 5°, συμβάλλοντας στη βέλτιστη ευθυγράμμιση κρυστάλλων και απόδοση επεξεργασίας.
Με υψηλή ειδική αντίσταση στο εύρος 0,015–0,0285 Ω·cm, χαμηλή πυκνότητα μικροσωλήνων <0,5 και εξαιρετική ποιότητα άκρων, αυτό το πλινθίο SiC είναι κατάλληλο για την παραγωγή συσκευών ισχύος που απαιτούν ελάχιστα ελαττώματα και υψηλή απόδοση υπό ακραίες συνθήκες.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σκηνικά θέατρου

Βαθμός: Βαθμός Παραγωγής (Dummy/Prime)
Μέγεθος: Διάμετρος 6 ιντσών
Διάμετρος: 150,25mm ± 0,25mm
Πάχος: >10mm (Προσαρμόσιμο πάχος διαθέσιμο κατόπιν αιτήματος)
Προσανατολισμός επιφάνειας: 4° προς <11-20> ± 0,2°, που εξασφαλίζει υψηλή ποιότητα κρυστάλλου και ακριβή ευθυγράμμιση για την κατασκευή της συσκευής.
Πρωτεύων επίπεδος προσανατολισμός: <1-100> ± 5°, βασικό χαρακτηριστικό για τον αποτελεσματικό τεμαχισμό του πλινθώματος σε γκοφρέτες και για βέλτιστη ανάπτυξη κρυστάλλων.
Κύριο επίπεδο μήκος: 47,5 mm ± 1,5 mm, σχεδιασμένο για εύκολο χειρισμό και κοπή ακριβείας.
Αντίσταση: 0,015–0,0285 Ω·cm, ιδανική για εφαρμογές σε συσκευές ισχύος υψηλής απόδοσης.
Πυκνότητα μικροσωλήνων: <0,5, εξασφαλίζοντας ελάχιστα ελαττώματα που θα μπορούσαν να επηρεάσουν την απόδοση των κατασκευασμένων συσκευών.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, χαμηλή τιμή που υποδηλώνει υψηλή κρυσταλλική καθαρότητα και χαμηλή πυκνότητα ελαττώματος.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, εξασφαλίζοντας εξαιρετική ακεραιότητα υλικού για συσκευές υψηλής απόδοσης.
Περιοχές πολυτύπου: Καμία – η ράβδος είναι απαλλαγμένη από ελαττώματα πολυτύπου, προσφέροντας ανώτερη ποιότητα υλικού για εφαρμογές υψηλής τεχνολογίας.
Εσοχές άκρων: <3, με πλάτος και βάθος 1mm, εξασφαλίζοντας ελάχιστη ζημιά στην επιφάνεια και διατηρώντας την ακεραιότητα του πλινθώματος για αποτελεσματικό τεμαχισμό της γκοφρέτας.
Ρωγμές άκρων: 3, <1mm έκαστη, με χαμηλή εμφάνιση φθορών στις άκρες, εξασφαλίζοντας ασφαλή χειρισμό και περαιτέρω επεξεργασία.
Συσκευασία: Θήκη γκοφρέτας – το πλινθίο SiC είναι συσκευασμένο με ασφάλεια σε θήκη γκοφρέτας για να διασφαλίζεται η ασφαλής μεταφορά και χειρισμός.

Εφαρμογές

Ηλεκτρονικά Ισχύος:Το πλινθίο SiC 6 ιντσών χρησιμοποιείται εκτενώς στην παραγωγή ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, όπως MOSFET, IGBT και διόδους, οι οποίες είναι βασικά στοιχεία στα συστήματα μετατροπής ισχύος. Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούνται ευρέως σε μετατροπείς ηλεκτρικών οχημάτων (EV), κινητήρες βιομηχανικών κινητήρων, τροφοδοτικά και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας. Η ικανότητα του SiC να λειτουργεί σε υψηλές τάσεις, υψηλές συχνότητες και ακραίες θερμοκρασίες το καθιστά ιδανικό για εφαρμογές όπου οι παραδοσιακές συσκευές πυριτίου (Si) δυσκολεύονται να αποδώσουν αποτελεσματικά.

Ηλεκτρικά Οχήματα (EV):Στα ηλεκτρικά οχήματα, τα εξαρτήματα που βασίζονται σε SiC είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη μονάδων ισχύος σε μετατροπείς, μετατροπείς DC-DC και φορτιστές οχήματος. Η ανώτερη θερμική αγωγιμότητα του SiC επιτρέπει μειωμένη παραγωγή θερμότητας και καλύτερη απόδοση στη μετατροπή ισχύος, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για τη βελτίωση της απόδοσης και της αυτονομίας οδήγησης των ηλεκτρικών οχημάτων. Επιπλέον, οι συσκευές SiC επιτρέπουν μικρότερα, ελαφρύτερα και πιο αξιόπιστα εξαρτήματα, συμβάλλοντας στη συνολική απόδοση των συστημάτων EV.

Συστήματα Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας:Τα πλινθώματα SiC είναι ένα απαραίτητο υλικό για την ανάπτυξη συσκευών μετατροπής ισχύος που χρησιμοποιούνται σε συστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, συμπεριλαμβανομένων των ηλιακών μετατροπέων, των ανεμογεννητριών και των λύσεων αποθήκευσης ενέργειας. Οι υψηλές δυνατότητες χειρισμού ισχύος του SiC και η αποτελεσματική θερμική διαχείριση επιτρέπουν υψηλότερη απόδοση μετατροπής ενέργειας και βελτιωμένη αξιοπιστία σε αυτά τα συστήματα. Η χρήση του στις ανανεώσιμες πηγές ενέργειας συμβάλλει στην προώθηση των παγκόσμιων προσπαθειών προς την ενεργειακή βιωσιμότητα.

Τηλεπικοινωνίες:Το πλινθίο SiC 6 ιντσών είναι επίσης κατάλληλο για την παραγωγή εξαρτημάτων που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές υψηλής ισχύος RF (ραδιοσυχνότητας). Αυτά περιλαμβάνουν ενισχυτές, ταλαντωτές και φίλτρα που χρησιμοποιούνται σε τηλεπικοινωνιακά και δορυφορικά συστήματα επικοινωνίας. Η ικανότητα του SiC να χειρίζεται υψηλές συχνότητες και υψηλή ισχύ το καθιστά εξαιρετικό υλικό για τηλεπικοινωνιακές συσκευές που απαιτούν στιβαρή απόδοση και ελάχιστη απώλεια σήματος.

Αεροδιαστημική και Άμυνα:Η υψηλή τάση διάσπασης του SiC και η αντίσταση στις υψηλές θερμοκρασίες το καθιστούν ιδανικό για εφαρμογές αεροδιαστημικής και άμυνας. Τα εξαρτήματα που κατασκευάζονται από πλινθώματα SiC χρησιμοποιούνται σε συστήματα ραντάρ, δορυφορικές επικοινωνίες και ηλεκτρονικά ισχύος για αεροσκάφη και διαστημόπλοια. Τα υλικά με βάση το SiC επιτρέπουν στα αεροδιαστημικά συστήματα να αποδίδουν κάτω από τις ακραίες συνθήκες που συναντώνται στο διάστημα και σε περιβάλλοντα μεγάλου υψομέτρου.

Βιομηχανικός Αυτοματισμός:Στον βιομηχανικό αυτοματισμό, τα εξαρτήματα SiC χρησιμοποιούνται σε αισθητήρες, ενεργοποιητές και συστήματα ελέγχου που πρέπει να λειτουργούν σε σκληρά περιβάλλοντα. Οι συσκευές που βασίζονται σε SiC χρησιμοποιούνται σε μηχανήματα που απαιτούν αποδοτικά, μακράς διαρκείας εξαρτήματα ικανά να αντέχουν σε υψηλές θερμοκρασίες και ηλεκτρικές καταπονήσεις.

Πίνακας προδιαγραφών προϊόντος

Ιδιοκτησία	Προσδιορισμός
Βαθμός	Παραγωγή (Dummy/Prime)
Μέγεθος	6 ιντσών
Διάμετρος	150,25 mm ± 0,25 mm
Πάχος	>10 mm (Προσαρμόσιμο)
Επιφανειακός Προσανατολισμός	4° προς <11-20> ± 0,2°
Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός	<1-100> ± 5°
Πρωτεύον επίπεδο μήκος	47,5 mm ± 1,5 mm
Αντίσταση	0,015–0,0285 Ω·cm
Πυκνότητα μικροσωλήνων	<0,5
Πυκνότητα κοιλοτήτων βορίου (BPD)	<2000
Πυκνότητα εξάρθρωσης βίδας σπειρώματος (TSD)	<500
Περιοχές Πολυτύπου	Κανένας
Εσοχές άκρων	<3, πλάτος και βάθος 1mm
Ρωγμές άκρων	3, <1mm/ea
Συσκευασία	Θήκη γκοφρέτας

Σύναψη

Το 6 ιντσών SiC Ingot – N-type Dummy/Prime grade είναι ένα κορυφαίο υλικό που πληροί τις αυστηρές απαιτήσεις της βιομηχανίας ημιαγωγών. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η εξαιρετική αντίσταση και η χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων το καθιστούν εξαιρετική επιλογή για την παραγωγή προηγμένων ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, εξαρτημάτων αυτοκινήτου, συστημάτων τηλεπικοινωνιών και συστημάτων ανανεώσιμων πηγών ενέργειας. Το προσαρμόσιμο πάχος και οι προδιαγραφές ακρίβειας διασφαλίζουν ότι αυτό το πλινθίο SiC μπορεί να προσαρμοστεί σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, διασφαλίζοντας υψηλή απόδοση και αξιοπιστία σε απαιτητικά περιβάλλοντα. Για περισσότερες πληροφορίες ή για να κάνετε μια παραγγελία, επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεών μας.