100 χιλιοστά GaN 4 ιντσών σε γκοφρέτα επιστρώματος Sapphire Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου

(1) Ψήσιμο υψηλής θερμοκρασίας, το υπόστρωμα ζαφείρι πρώτα θερμαίνεται στους 1050℃ σε ατμόσφαιρα υδρογόνου, ο σκοπός είναι να καθαριστεί η επιφάνεια του υποστρώματος.

(2) Όταν η θερμοκρασία του υποστρώματος πέσει στους 510 ℃, ένα ρυθμιστικό στρώμα χαμηλής θερμοκρασίας GaN/AlN με πάχος 30 nm εναποτίθεται στην επιφάνεια του υποστρώματος από ζαφείρι.

(3) Η άνοδος της θερμοκρασίας στους 10 ℃, το αέριο αντίδρασης αμμωνία, τριμεθυλογάλλιο και σιλάνιο εγχέονται, αντίστοιχα ελέγχουν τον αντίστοιχο ρυθμό ροής και αναπτύσσεται το GaN τύπου N με πρόσμειξη πυριτίου πάχους 4um.

(4) Το αέριο αντίδρασης τριμεθυλοαλουμινίου και τριμεθυλογαλλίου χρησιμοποιήθηκε για την παρασκευή ηπείρων Ν-τύπου Α⒑ με πρόσμιξη πυριτίου με πάχος 0,15um.

(5) InGaN με πρόσμειξη Zn 50 nm παρασκευάστηκε με έγχυση τριμεθυλγαλλίου, τριμεθυλινδίου, διαιθυλψευδαργύρου και αμμωνίας σε θερμοκρασία 8O0℃ και ελέγχοντας διαφορετικούς ρυθμούς ροής αντίστοιχα.

(6) Η θερμοκρασία αυξήθηκε στους 1020 ℃, τριμεθυλαλουμίνιο, τριμεθυλγάλλιο και δις (κυκλοπενταδιενυλ) μαγνήσιο εγχύθηκαν για να παρασκευαστούν 0,15 μm Mg ντοπαρισμένου τύπου P AlGaN και 0,5 μm Mg ντοπαρισμένης γλυκόζης αίματος P-τύπου G.

(7) Υψηλής ποιότητας φιλμ GaN Sibuyan τύπου P ελήφθη με ανόπτηση σε ατμόσφαιρα αζώτου στους 700℃.

(8) Χάραξη στην επιφάνεια στάσης G τύπου P για να αποκαλυφθεί η επιφάνεια στάσης N τύπου G.

(9) Εξάτμιση πλακών επαφής Ni/Au στην επιφάνεια p-GaNI, εξάτμιση πλακών επαφής △/Al στην επιφάνεια ll-GaN για σχηματισμό ηλεκτροδίων.