English

150 mm 200 mm 6 ιντσών GaN 8 ιντσών σε γκοφρέτα επί στρώματος πυριτίου Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου

150 mm 200 mm 6 ιντσών GaN 8 ιντσών σε γκοφρέτα επί στρώματος πυριτίου Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου Επιλεγμένη εικόνα
  • 150 mm 200 mm 6 ιντσών GaN 8 ιντσών σε γκοφρέτα επί στρώματος πυριτίου Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου
  • 150 mm 200 mm 6 ιντσών GaN 8 ιντσών σε γκοφρέτα επί στρώματος πυριτίου Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου
  • 150 mm 200 mm 6 ιντσών GaN 8 ιντσών σε γκοφρέτα επί στρώματος πυριτίου Επιταξιακή γκοφρέτα νιτριδίου γαλλίου

Σύντομη περιγραφή:

Η γκοφρέτα 6 ιντσών GaN Epi-layer είναι ένα υψηλής ποιότητας ημιαγωγικό υλικό που αποτελείται από στρώματα νιτριδίου του γαλλίου (GaN) που αναπτύσσονται σε υπόστρωμα πυριτίου. Το υλικό έχει εξαιρετικές ιδιότητες ηλεκτρονικής μεταφοράς και είναι ιδανικό για την κατασκευή συσκευών ημιαγωγών υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Μέθοδος κατασκευής

Η διαδικασία κατασκευής περιλαμβάνει την ανάπτυξη στρωμάτων GaN σε ένα υπόστρωμα ζαφείρι χρησιμοποιώντας προηγμένες τεχνικές όπως η εναπόθεση χημικών ατμών μετάλλου-οργανικού (MOCVD) ή η επιταξία μοριακής δέσμης (MBE). Η διαδικασία εναπόθεσης πραγματοποιείται υπό ελεγχόμενες συνθήκες για να εξασφαλιστεί υψηλή ποιότητα κρυστάλλου και ομοιόμορφη μεμβράνη.

Εφαρμογές GaN-On-Sapphire 6 ιντσών: Τα τσιπ υποστρώματος ζαφείρι 6 ιντσών χρησιμοποιούνται ευρέως σε επικοινωνίες μικροκυμάτων, συστήματα ραντάρ, ασύρματη τεχνολογία και οπτοηλεκτρονική.

Μερικές κοινές εφαρμογές περιλαμβάνουν

1. Ενισχυτής ισχύος Rf

2. Βιομηχανία φωτισμού LED

3. Εξοπλισμός επικοινωνίας ασύρματου δικτύου

4. Ηλεκτρονικές συσκευές σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας

5. Οπτικοηλεκτρονικές συσκευές

Προδιαγραφές προϊόντος

- Μέγεθος: Η διάμετρος του υποστρώματος είναι 6 ίντσες (περίπου 150 mm).

- Ποιότητα επιφάνειας: Η επιφάνεια έχει γυαλιστεί λεπτή για να παρέχει εξαιρετική ποιότητα καθρέφτη.

- Πάχος: Το πάχος του στρώματος GaN μπορεί να προσαρμοστεί σύμφωνα με συγκεκριμένες απαιτήσεις.

- Συσκευασία: Το υπόστρωμα είναι προσεκτικά συσκευασμένο με αντιστατικά υλικά για την αποφυγή ζημιών κατά τη μεταφορά.

- Ακμές τοποθέτησης: Το υπόστρωμα έχει συγκεκριμένες άκρες τοποθέτησης που διευκολύνουν την ευθυγράμμιση και τη λειτουργία κατά την προετοιμασία της συσκευής.

- Άλλες παράμετροι: Συγκεκριμένες παράμετροι όπως η λεπτότητα, η ειδική αντίσταση και η συγκέντρωση ντόπινγκ μπορούν να προσαρμοστούν σύμφωνα με τις απαιτήσεις του πελάτη.

Με τις ανώτερες ιδιότητες υλικού και τις ποικίλες εφαρμογές τους, οι γκοφρέτες υποστρώματος από ζαφείρι 6 ιντσών αποτελούν μια αξιόπιστη επιλογή για την ανάπτυξη συσκευών ημιαγωγών υψηλής απόδοσης σε διάφορες βιομηχανίες.

Υπόστρωμα

6" 1mm <111> p-τύπου Si

6" 1mm <111> p-τύπου Si

Επί Χοντρό Μέσο

~ 5 εκ

~ 7 μμ

Epi ThickUnif

<2%

<2%

Τόξο

+/-45 μ

+/-45 μ

Ράγισμα

<5 mm

<5 mm

Κάθετη BV

>1000V

>1400V

HEMT Al%

25-35%

25-35%

HEMT Παχύ Μέσο

20-30 nm

20-30 nm

Insitu SiN Cap

5-60 nm

5-60 nm

2DEG συμπ.

~ 1013cm-2

~ 1013cm-2

Κινητικότητα

~2000 εκ2/Vs (<2%)

~2000 εκ2/Vs (<2%)

Rsh

<330ohm/sq (<2%)

<330ohm/sq (<2%)

Αναλυτικό Διάγραμμα

acvav
acvav
  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:
    • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς

    Κατηγορίες προϊόντων

    Πατήστε enter για αναζήτηση ή ESC για κλείσιμο