Εισαγωγή στο καρβίδιο του πυριτίου
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα σύνθετο ημιαγωγικό υλικό που αποτελείται από άνθρακα και πυρίτιο, το οποίο είναι ένα από τα ιδανικά υλικά για την κατασκευή συσκευών υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και υψηλής τάσης.Σε σύγκριση με το παραδοσιακό υλικό πυριτίου (Si), το διάκενο ζώνης του καρβιδίου του πυριτίου είναι 3 φορές μεγαλύτερο από αυτό του πυριτίου.Η θερμική αγωγιμότητα είναι 4-5 φορές εκείνη του πυριτίου.Η τάση διάσπασης είναι 8-10 φορές μεγαλύτερη από αυτή του πυριτίου.Ο ηλεκτρονικός ρυθμός μετατόπισης κορεσμού είναι 2-3 φορές μεγαλύτερος από αυτόν του πυριτίου, γεγονός που καλύπτει τις ανάγκες της σύγχρονης βιομηχανίας για υψηλή ισχύ, υψηλή τάση και υψηλή συχνότητα.Χρησιμοποιείται κυρίως για την παραγωγή ηλεκτρονικών εξαρτημάτων υψηλής ταχύτητας, υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και εκπομπής φωτός.Τα πεδία εφαρμογών κατάντη περιλαμβάνουν έξυπνο δίκτυο, νέα ενεργειακά οχήματα, φωτοβολταϊκή αιολική ενέργεια, επικοινωνία 5G κ.λπ. Οι δίοδοι καρβιδίου του πυριτίου και τα MOSFET έχουν εφαρμοστεί στο εμπόριο.
Αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία.Το πλάτος του διακένου ζώνης του καρβιδίου του πυριτίου είναι 2-3 φορές μεγαλύτερο από αυτό του πυριτίου, τα ηλεκτρόνια δεν μεταβάλλονται εύκολα σε υψηλές θερμοκρασίες και μπορούν να αντέξουν υψηλότερες θερμοκρασίες λειτουργίας και η θερμική αγωγιμότητα του καρβιδίου του πυριτίου είναι 4-5 φορές εκείνη του πυριτίου, καθιστώντας τη συσκευή πιο εύκολη την απαγωγή θερμότητας και την οριακή θερμοκρασία λειτουργίας υψηλότερη.Η αντίσταση σε υψηλή θερμοκρασία μπορεί να αυξήσει σημαντικά την πυκνότητα ισχύος, ενώ μειώνει τις απαιτήσεις στο σύστημα ψύξης, καθιστώντας τον ακροδέκτη ελαφρύτερο και μικρότερο.
Αντοχή σε υψηλή πίεση.Η ένταση ηλεκτρικού πεδίου διάσπασης του καρβιδίου του πυριτίου είναι 10 φορές μεγαλύτερη από αυτή του πυριτίου, το οποίο μπορεί να αντέξει υψηλότερες τάσεις και είναι πιο κατάλληλο για συσκευές υψηλής τάσης.
Αντοχή υψηλής συχνότητας.Το καρβίδιο του πυριτίου έχει ρυθμό μετατόπισης κορεσμένων ηλεκτρονίων διπλάσιο από εκείνο του πυριτίου, με αποτέλεσμα την απουσία ουράς ρεύματος κατά τη διαδικασία διακοπής λειτουργίας, η οποία μπορεί να βελτιώσει αποτελεσματικά τη συχνότητα μεταγωγής της συσκευής και να πραγματοποιήσει τη σμίκρυνση της συσκευής.
Χαμηλή απώλεια ενέργειας.Σε σύγκριση με το υλικό πυριτίου, το καρβίδιο του πυριτίου έχει πολύ χαμηλή αντίσταση και χαμηλή απώλεια.Ταυτόχρονα, το υψηλό πλάτος ζώνης του καρβιδίου του πυριτίου μειώνει σημαντικά το ρεύμα διαρροής και την απώλεια ισχύος.Επιπλέον, η συσκευή καρβιδίου του πυριτίου δεν έχει φαινόμενο συρόμενου ρεύματος κατά τη διαδικασία τερματισμού λειτουργίας και η απώλεια μεταγωγής είναι χαμηλή.
Αλυσίδα βιομηχανίας καρβιδίου του πυριτίου
Περιλαμβάνει κυρίως υπόστρωμα, επιταξία, σχεδιασμό συσκευής, κατασκευή, σφράγιση και ούτω καθεξής.Το καρβίδιο του πυριτίου από το υλικό στη συσκευή ισχύος ημιαγωγών θα παρουσιάσει ανάπτυξη μονού κρυστάλλου, τεμαχισμό πλινθωμάτων, επιταξιακή ανάπτυξη, σχεδιασμό γκοφρέτας, κατασκευή, συσκευασία και άλλες διαδικασίες.Μετά τη σύνθεση της σκόνης καρβιδίου του πυριτίου, κατασκευάζεται πρώτα η ράβδος καρβιδίου του πυριτίου και στη συνέχεια λαμβάνεται το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου με τεμαχισμό, λείανση και στίλβωση και το επιταξιακό φύλλο λαμβάνεται με επιταξιακή ανάπτυξη.Η επιταξιακή γκοφρέτα είναι κατασκευασμένη από καρβίδιο του πυριτίου μέσω λιθογραφίας, χάραξης, εμφύτευσης ιόντων, παθητικοποίησης μετάλλων και άλλων διεργασιών, η γκοφρέτα κόβεται σε καλούπι, η συσκευή συσκευάζεται και η συσκευή συνδυάζεται σε ειδικό κέλυφος και συναρμολογείται σε μονάδα.
Ανοδικά της αλυσίδας βιομηχανίας 1: η ανάπτυξη υποστρώματος - κρυστάλλων είναι ο βασικός κρίκος της διαδικασίας
Το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου αντιπροσωπεύει περίπου το 47% του κόστους των συσκευών καρβιδίου του πυριτίου, τα υψηλότερα τεχνικά εμπόδια κατασκευής, η μεγαλύτερη αξία, είναι ο πυρήνας της μελλοντικής εκβιομηχάνισης μεγάλης κλίμακας του SiC.
Από την άποψη των διαφορών ηλεκτροχημικών ιδιοτήτων, τα υλικά υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου μπορούν να χωριστούν σε αγώγιμα υποστρώματα (περιοχή ειδικής αντίστασης 15~30mΩ·cm) και ημιμονωμένα υποστρώματα (αντίσταση μεγαλύτερη από 105Ω·cm).Αυτά τα δύο είδη υποστρωμάτων χρησιμοποιούνται για την κατασκευή διακριτών συσκευών όπως συσκευές ισχύος και συσκευές ραδιοσυχνοτήτων αντίστοιχα μετά την επιταξιακή ανάπτυξη.Μεταξύ αυτών, το ημιμονωμένο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου χρησιμοποιείται κυρίως στην κατασκευή συσκευών ραδιοσυχνοτήτων νιτριδίου του γαλλίου, φωτοηλεκτρικών συσκευών και ούτω καθεξής.Με την ανάπτυξη της επιταξιακής στρώσης gan σε ημι-μονωμένο υπόστρωμα SIC, παρασκευάζεται η επιταξιακή πλάκα sic, η οποία μπορεί να παρασκευαστεί περαιτέρω σε συσκευές RF ισονιτριδίου HEMT gan.Το αγώγιμο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου χρησιμοποιείται κυρίως στην κατασκευή συσκευών ισχύος.Διαφορετικά από την παραδοσιακή διαδικασία κατασκευής συσκευών ισχύος πυριτίου, η συσκευή ισχύος καρβιδίου πυριτίου δεν μπορεί να κατασκευαστεί απευθείας στο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, η επιταξιακή στρώση καρβιδίου πυριτίου πρέπει να αναπτυχθεί στο αγώγιμο υπόστρωμα για να ληφθεί το επιταξιακό φύλλο καρβιδίου του πυριτίου και η επιταξιακή Το στρώμα κατασκευάζεται στη δίοδο Schottky, στο MOSFET, στο IGBT και σε άλλες συσκευές ισχύος.
Η σκόνη καρβιδίου του πυριτίου συντέθηκε από σκόνη άνθρακα υψηλής καθαρότητας και σκόνη πυριτίου υψηλής καθαρότητας, και διαφορετικά μεγέθη ράβδου καρβιδίου του πυριτίου αναπτύχθηκαν κάτω από ειδικό πεδίο θερμοκρασίας και στη συνέχεια παρήχθη υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου μέσω πολλαπλών διεργασιών επεξεργασίας.Η βασική διαδικασία περιλαμβάνει:
Σύνθεση πρώτης ύλης: Η σκόνη πυριτίου υψηλής καθαρότητας + τόνερ αναμιγνύεται σύμφωνα με τον τύπο και η αντίδραση πραγματοποιείται στον θάλαμο αντίδρασης υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας πάνω από 2000°C για να συντεθούν τα σωματίδια καρβιδίου του πυριτίου με συγκεκριμένο τύπο κρυστάλλου και σωματίδιο Μέγεθος.Στη συνέχεια, μέσω της σύνθλιψης, της διαλογής, του καθαρισμού και άλλων διαδικασιών, για να ικανοποιηθούν οι απαιτήσεις των πρώτων υλών σε σκόνη καρβιδίου του πυριτίου υψηλής καθαρότητας.
Η ανάπτυξη κρυστάλλων είναι η βασική διαδικασία της κατασκευής υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου, η οποία καθορίζει τις ηλεκτρικές ιδιότητες του υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου.Επί του παρόντος, οι κύριες μέθοδοι για την ανάπτυξη των κρυστάλλων είναι η φυσική μεταφορά ατμών (PVT), η χημική εναπόθεση ατμών σε υψηλή θερμοκρασία (HT-CVD) και η επιταξία υγρής φάσης (LPE).Μεταξύ αυτών, η μέθοδος PVT είναι η κύρια μέθοδος για την εμπορική ανάπτυξη του υποστρώματος SiC επί του παρόντος, με την υψηλότερη τεχνική ωριμότητα και την πιο ευρέως χρησιμοποιούμενη στη μηχανική.
Η προετοιμασία του υποστρώματος SiC είναι δύσκολη, με αποτέλεσμα την υψηλή τιμή του
Ο έλεγχος πεδίου θερμοκρασίας είναι δύσκολος: Η ανάπτυξη της ράβδου Si κρυστάλλου χρειάζεται μόνο 1500℃, ενώ η κρυσταλλική ράβδος SiC πρέπει να αναπτυχθεί σε υψηλή θερμοκρασία πάνω από 2000℃ και υπάρχουν περισσότερα από 250 ισομερή SiC, αλλά η κύρια μονοκρυσταλλική δομή 4H-SiC για η παραγωγή συσκευών ισχύος, αν όχι ακριβής έλεγχος, θα αποκτήσει άλλες κρυσταλλικές δομές.Επιπλέον, η διαβάθμιση θερμοκρασίας στο χωνευτήριο καθορίζει τον ρυθμό μεταφοράς εξάχνωσης SiC και τη διάταξη και τον τρόπο ανάπτυξης των αέριων ατόμων στη διεπιφάνεια των κρυστάλλων, η οποία επηρεάζει τον ρυθμό ανάπτυξης των κρυστάλλων και την ποιότητα των κρυστάλλων, επομένως είναι απαραίτητο να σχηματιστεί ένα συστηματικό πεδίο θερμοκρασίας τεχνολογία ελέγχου.Σε σύγκριση με τα υλικά SiC, η διαφορά στην παραγωγή SiC έγκειται επίσης σε διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας, όπως εμφύτευση ιόντων σε υψηλή θερμοκρασία, οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, ενεργοποίηση υψηλής θερμοκρασίας και τη διαδικασία σκληρής μάσκας που απαιτείται από αυτές τις διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας.
Αργή ανάπτυξη κρυστάλλων: ο ρυθμός ανάπτυξης της κρυσταλλικής ράβδου Si μπορεί να φτάσει τα 30 ~ 150 mm/h και η παραγωγή κρυσταλλικής ράβδου πυριτίου 1-3 m διαρκεί μόνο περίπου 1 ημέρα.Κρυσταλλική ράβδος SiC με μέθοδο PVT ως παράδειγμα, ο ρυθμός ανάπτυξης είναι περίπου 0,2-0,4 mm/h, 7 ημέρες για να αναπτυχθεί λιγότερο από 3-6 cm, ο ρυθμός ανάπτυξης είναι μικρότερος από το 1% του υλικού πυριτίου, η ικανότητα παραγωγής είναι εξαιρετικά περιορισμένος.
Υψηλές παράμετροι προϊόντος και χαμηλή απόδοση: οι βασικές παράμετροι του υποστρώματος SiC περιλαμβάνουν την πυκνότητα μικροσωληνίσκων, την πυκνότητα εξάρθρωσης, την ειδική αντίσταση, τη στρέβλωση, την τραχύτητα της επιφάνειας κ.λπ. ενώ ελέγχετε τους δείκτες παραμέτρων.
Το υλικό έχει υψηλή σκληρότητα, υψηλή ευθραυστότητα, μεγάλο χρόνο κοπής και υψηλή φθορά: Η σκληρότητα SiC Mohs 9,25 είναι δεύτερη μετά το διαμάντι, γεγονός που οδηγεί σε σημαντική αύξηση της δυσκολίας κοπής, λείανσης και στίλβωσης και χρειάζονται περίπου 120 ώρες για να κόψτε 35-40 κομμάτια ράβδου πάχους 3 εκατοστών.Επιπλέον, λόγω της υψηλής ευθραυστότητας του SiC, η φθορά επεξεργασίας πλακιδίων θα είναι μεγαλύτερη και η αναλογία εξόδου είναι μόνο περίπου 60%.
Τάση ανάπτυξης: Αύξηση μεγέθους + μείωση τιμής
Η γραμμή παραγωγής όγκου 6 ιντσών στην παγκόσμια αγορά SiC ωριμάζει και κορυφαίες εταιρείες έχουν εισέλθει στην αγορά των 8 ιντσών.Τα εγχώρια αναπτυξιακά έργα είναι κυρίως 6 ιντσών.Προς το παρόν, αν και οι περισσότερες εγχώριες εταιρείες εξακολουθούν να βασίζονται σε γραμμές παραγωγής 4 ιντσών, αλλά η βιομηχανία επεκτείνεται σταδιακά στις 6 ιντσών, με την ωριμότητα της τεχνολογίας εξοπλισμού υποστήριξης 6 ιντσών, η εγχώρια τεχνολογία υποστρώματος SiC βελτιώνει επίσης σταδιακά τις οικονομίες του θα αντικατοπτρίζεται η κλίμακα των γραμμών παραγωγής μεγάλου μεγέθους και το τρέχον εγχώριο χρονικό χάσμα μαζικής παραγωγής 6 ιντσών έχει μειωθεί στα 7 χρόνια.Το μεγαλύτερο μέγεθος γκοφρέτας μπορεί να επιφέρει αύξηση στον αριθμό των μεμονωμένων τσιπ, να βελτιώσει το ποσοστό απόδοσης και να μειώσει την αναλογία των τσιπς άκρης και το κόστος έρευνας και ανάπτυξης και η απώλεια απόδοσης θα διατηρηθεί σε περίπου 7%, βελτιώνοντας έτσι τη γκοφρέτα χρησιμοποίηση.
Υπάρχουν ακόμα πολλές δυσκολίες στο σχεδιασμό της συσκευής
Η εμπορευματοποίηση της διόδου SiC βελτιώνεται σταδιακά, επί του παρόντος, αρκετοί εγχώριοι κατασκευαστές έχουν σχεδιάσει προϊόντα SiC SBD, τα προϊόντα μέσης και υψηλής τάσης SiC SBD έχουν καλή σταθερότητα, στο όχημα OBC, η χρήση του SiC SBD+SI IGBT για την επίτευξη σταθερής τωρινή πυκνότητα.Προς το παρόν, δεν υπάρχουν εμπόδια στον σχεδιασμό των διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας των προϊόντων SiC SBD στην Κίνα και το χάσμα με τις ξένες χώρες είναι μικρό.
Το SiC MOS έχει ακόμα πολλές δυσκολίες, υπάρχει ακόμα ένα κενό μεταξύ του SiC MOS και των αλλοδαπών κατασκευαστών και η σχετική πλατφόρμα παραγωγής είναι ακόμα υπό κατασκευή.Προς το παρόν, η ST, η Infineon, η Rohm και άλλα 600-1700V SiC MOS έχουν επιτύχει μαζική παραγωγή και έχουν υπογράψει και αποσταλεί με πολλές βιομηχανίες παραγωγής, ενώ ο τρέχων εγχώριος σχεδιασμός SiC MOS έχει ουσιαστικά ολοκληρωθεί, αρκετοί κατασκευαστές σχεδιασμού εργάζονται με fabs στο το στάδιο της ροής της γκοφρέτας και η μετέπειτα επαλήθευση πελατών χρειάζεται ακόμα λίγο χρόνο, επομένως υπάρχει ακόμη πολύς χρόνος από την εμπορευματοποίηση μεγάλης κλίμακας.
Επί του παρόντος, η επίπεδη δομή είναι η κύρια επιλογή και ο τύπος τάφρου χρησιμοποιείται ευρέως στο πεδίο υψηλής πίεσης στο μέλλον.Επίπεδη δομή Οι κατασκευαστές SiC MOS είναι πολλοί, η επίπεδη δομή δεν είναι εύκολο να δημιουργήσει προβλήματα τοπικής βλάβης σε σύγκριση με το αυλάκι, επηρεάζοντας τη σταθερότητα της εργασίας, στην αγορά κάτω από 1200V έχει ένα ευρύ φάσμα τιμών εφαρμογής και η επίπεδη δομή είναι σχετικά απλό στο τέλος της κατασκευής, για να καλύψει τη δυνατότητα κατασκευής και τον έλεγχο του κόστους δύο πτυχές.Η συσκευή αυλάκωσης έχει τα πλεονεκτήματα της εξαιρετικά χαμηλής παρασιτικής επαγωγής, της γρήγορης ταχύτητας μεταγωγής, της χαμηλής απώλειας και της σχετικά υψηλής απόδοσης.
2--Ειδήσεις για γκοφρέτα SiC
Η παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου στην αγορά και η αύξηση των πωλήσεων, δώστε προσοχή στη διαρθρωτική ανισορροπία μεταξύ προσφοράς και ζήτησης
Με την ταχεία αύξηση της ζήτησης της αγοράς για ηλεκτρονικά υψηλής συχνότητας και ισχύος υψηλής ισχύος, το φυσικό όριο συμφόρησης των συσκευών ημιαγωγών με βάση το πυρίτιο έχει γίνει σταδιακά εμφανές και τα υλικά ημιαγωγών τρίτης γενιάς που αντιπροσωπεύονται από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) σταδιακά βιομηχανοποιηθούν.Από την άποψη της απόδοσης των υλικών, το καρβίδιο του πυριτίου έχει 3 φορές το πλάτος του διακένου ζώνης από το υλικό πυριτίου, 10 φορές την ένταση ηλεκτρικού πεδίου κρίσιμης διάσπασης, 3 φορές τη θερμική αγωγιμότητα, επομένως οι συσκευές ισχύος καρβιδίου του πυριτίου είναι κατάλληλες για υψηλή συχνότητα, υψηλή πίεση, υψηλή θερμοκρασία και άλλες εφαρμογές, συμβάλλουν στη βελτίωση της απόδοσης και της πυκνότητας ισχύος των ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος.
Επί του παρόντος, οι δίοδοι SiC και τα MOSFET SiC έχουν μετακινηθεί σταδιακά στην αγορά και υπάρχουν πιο ώριμα προϊόντα, μεταξύ των οποίων οι δίοδοι SiC χρησιμοποιούνται ευρέως αντί για διόδους με βάση το πυρίτιο σε ορισμένους τομείς, επειδή δεν έχουν το πλεονέκτημα της αντίστροφης φόρτισης ανάκτησης.Το SiC MOSFET χρησιμοποιείται επίσης σταδιακά στην αυτοκινητοβιομηχανία, την αποθήκευση ενέργειας, το σωρό φόρτισης, τα φωτοβολταϊκά και άλλα πεδία.Στον τομέα των αυτοκινητιστικών εφαρμογών, η τάση της σπονδυλοποίησης γίνεται όλο και πιο εμφανής, η ανώτερη απόδοση του SiC πρέπει να βασίζεται σε προηγμένες διαδικασίες συσκευασίας για να επιτευχθεί, τεχνικά με σχετικά ώριμη σφράγιση κελύφους ως κύριο ρεύμα, το μέλλον ή την ανάπτυξη πλαστικών σφραγίσεων , τα προσαρμοσμένα χαρακτηριστικά ανάπτυξής του είναι πιο κατάλληλα για μονάδες SiC.
Ταχύτητα πτώσης της τιμής καρβιδίου του πυριτίου ή πέρα από κάθε φαντασία
Η εφαρμογή συσκευών καρβιδίου του πυριτίου περιορίζεται κυρίως από το υψηλό κόστος, η τιμή του SiC MOSFET κάτω από το ίδιο επίπεδο είναι 4 φορές υψηλότερη από αυτή του IGBT με βάση το Si, αυτό συμβαίνει επειδή η διαδικασία του καρβιδίου του πυριτίου είναι πολύπλοκη, στην οποία η ανάπτυξη του Το μονοκρύσταλλο και το επιταξιακό δεν είναι μόνο σκληρό για το περιβάλλον, αλλά και ο ρυθμός ανάπτυξης είναι αργός, και η επεξεργασία μονού κρυστάλλου στο υπόστρωμα πρέπει να περάσει από τη διαδικασία κοπής και στίλβωσης.Με βάση τα δικά του χαρακτηριστικά υλικού και την ανώριμη τεχνολογία επεξεργασίας, η απόδοση του οικιακού υποστρώματος είναι μικρότερη από 50%, και διάφοροι παράγοντες οδηγούν σε υψηλές τιμές υποστρώματος και επιταξιακού επιπέδου.
Ωστόσο, η σύνθεση κόστους των συσκευών καρβιδίου του πυριτίου και των συσκευών με βάση το πυρίτιο είναι διαμετρικά αντίθετη, το υπόστρωμα και το επιταξιακό κόστος του μπροστινού καναλιού αντιπροσωπεύουν το 47% και το 23% του συνόλου της συσκευής αντίστοιχα, συνολικά περίπου 70%, ο σχεδιασμός της συσκευής, η κατασκευή και οι σύνδεσμοι στεγανοποίησης του πίσω καναλιού αντιπροσωπεύουν μόνο το 30%, το κόστος παραγωγής συσκευών με βάση το πυρίτιο συγκεντρώνεται κυρίως στην κατασκευή πλακιδίων του πίσω καναλιού περίπου 50%, και το κόστος του υποστρώματος αντιστοιχεί μόνο στο 7%.Το φαινόμενο της αξίας της αλυσίδας της βιομηχανίας καρβιδίου του πυριτίου ανάποδα σημαίνει ότι οι κατασκευαστές επιτάξεων υποστρώματος ανάντη έχουν το βασικό δικαίωμα να μιλήσουν, το οποίο είναι το κλειδί για τη διάταξη των εγχώριων και ξένων επιχειρήσεων.
Από τη δυναμική άποψη της αγοράς, η μείωση του κόστους του καρβιδίου του πυριτίου, εκτός από τη βελτίωση της διαδικασίας μακριού κρυστάλλου και τεμαχισμού καρβιδίου του πυριτίου, είναι η επέκταση του μεγέθους της γκοφρέτας, που είναι επίσης η ώριμη πορεία ανάπτυξης ημιαγωγών στο παρελθόν, Τα δεδομένα της Wolfspeed δείχνουν ότι η αναβάθμιση του υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου από 6 ίντσες σε 8 ίντσες, η ειδική παραγωγή τσιπ μπορεί να αυξηθεί κατά 80%-90% και να συμβάλει στη βελτίωση της απόδοσης.Μπορεί να μειώσει το συνδυασμένο μοναδιαίο κόστος κατά 50%.
Το 2023 είναι γνωστό ως "πρώτο έτος SiC 8 ιντσών", φέτος, εγχώριοι και ξένοι κατασκευαστές καρβιδίου του πυριτίου επιταχύνουν τη διάταξη του καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών, όπως η τρελή επένδυση της Wolfspeed 14,55 δισεκατομμυρίων δολαρίων ΗΠΑ για την επέκταση της παραγωγής καρβιδίου του πυριτίου. σημαντικό μέρος της οποίας είναι η κατασκευή εργοστασίου παραγωγής υποστρώματος SiC 8 ιντσών, Για να εξασφαλιστεί η μελλοντική προμήθεια γυμνού μετάλλου SiC 200 mm σε ορισμένες εταιρείες.Η εγχώρια Tianyue Advanced και η Tianke Heda έχουν επίσης υπογράψει μακροπρόθεσμες συμφωνίες με την Infineon για την προμήθεια υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών στο μέλλον.
Από φέτος, το καρβίδιο του πυριτίου θα επιταχυνθεί από 6 ίντσες σε 8 ίντσες, η Wolfspeed αναμένει ότι έως το 2024, το μοναδιαίο κόστος τσιπ υποστρώματος 8 ιντσών σε σύγκριση με το κόστος τσιπ μονάδας υποστρώματος 6 ιντσών το 2022 θα μειωθεί περισσότερο από 60% , και η μείωση του κόστους θα ανοίξει περαιτέρω την αγορά εφαρμογών, επεσήμαναν τα ερευνητικά δεδομένα της Ji Bond Consulting.Το τρέχον μερίδιο αγοράς των προϊόντων 8 ιντσών είναι λιγότερο από 2%, και το μερίδιο αγοράς αναμένεται να αυξηθεί σε περίπου 15% έως το 2026.
Στην πραγματικότητα, ο ρυθμός μείωσης της τιμής του υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου μπορεί να ξεπεράσει τη φαντασία πολλών ανθρώπων, η τρέχουσα προσφορά στην αγορά του υποστρώματος 6 ιντσών είναι 4000-5000 γιουάν/τεμάχιο, σε σύγκριση με την αρχή του έτους έχει πέσει πολύ, είναι αναμένεται να πέσει κάτω από 4000 γιουάν το επόμενο έτος, αξίζει να σημειωθεί ότι ορισμένοι κατασκευαστές για να αποκτήσουν την πρώτη αγορά, μείωσαν την τιμή πώλησης στη γραμμή κόστους παρακάτω, Άνοιξε το μοντέλο του πολέμου τιμών, κυρίως συγκεντρωμένο στο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου Η παροχή ήταν σχετικά επαρκής στον τομέα της χαμηλής τάσης, οι εγχώριοι και ξένοι κατασκευαστές επεκτείνουν επιθετικά την παραγωγική ικανότητα ή αφήνουν το υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου να υπερτροφοδοτηθεί νωρίτερα από ό,τι φανταζόμασταν.
Ώρα δημοσίευσης: Ιαν-19-2024