Οι γκοφρέτες SiC είναι ημιαγωγοί κατασκευασμένοι από καρβίδιο του πυριτίου.Αυτό το υλικό αναπτύχθηκε το 1893 και είναι ιδανικό για ποικίλες εφαρμογές.Ιδιαίτερα κατάλληλο για διόδους Schottky, διόδους Schottky με φράγμα διασταύρωσης, διακόπτες και τρανζίστορ πεδίου δράσης μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγών.Λόγω της υψηλής σκληρότητάς του, αποτελεί εξαιρετική επιλογή για ηλεκτρονικά εξαρτήματα ισχύος.
Επί του παρόντος, υπάρχουν δύο κύριοι τύποι πλακών SiC.Η πρώτη είναι μια γυαλισμένη γκοφρέτα, η οποία είναι μια μονή γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου.Είναι κατασκευασμένο από κρυστάλλους SiC υψηλής καθαρότητας και μπορεί να έχει διάμετρο 100mm ή 150mm.Χρησιμοποιείται σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος.Ο δεύτερος τύπος είναι η επιταξιακή κρυσταλλική γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου.Αυτός ο τύπος γκοφρέτας γίνεται με την προσθήκη ενός μόνο στρώματος κρυστάλλων καρβιδίου του πυριτίου στην επιφάνεια.Αυτή η μέθοδος απαιτεί ακριβή έλεγχο του πάχους του υλικού και είναι γνωστή ως επιταξία τύπου Ν.
Ο επόμενος τύπος είναι το βήτα καρβίδιο του πυριτίου.Το Beta SiC παράγεται σε θερμοκρασίες πάνω από 1700 βαθμούς Κελσίου.Τα άλφα καρβίδια είναι τα πιο κοινά και έχουν εξαγωνική κρυσταλλική δομή παρόμοια με τον βουρτζίτη.Η μορφή βήτα είναι παρόμοια με το διαμάντι και χρησιμοποιείται σε ορισμένες εφαρμογές.Ήταν πάντα η πρώτη επιλογή για ημικατεργασμένα προϊόντα ηλεκτρικών οχημάτων.Αρκετοί τρίτοι προμηθευτές γκοφρέτας καρβιδίου του πυριτίου εργάζονται επί του παρόντος σε αυτό το νέο υλικό.
Οι γκοφρέτες SiC ZMSH είναι πολύ δημοφιλή υλικά ημιαγωγών.Είναι ένα υψηλής ποιότητας ημιαγωγικό υλικό που είναι κατάλληλο για πολλές εφαρμογές.Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου ZMSH είναι ένα πολύ χρήσιμο υλικό για μια ποικιλία ηλεκτρονικών συσκευών.Η ZMSH προμηθεύει ένα ευρύ φάσμα υψηλής ποιότητας γκοφρέτες και υποστρώματα SiC.Διατίθενται σε μορφή Ν και ημιμονωμένων.
2---Καρβίδιο του πυριτίου: Προς μια νέα εποχή των γκοφρετών
Φυσικές ιδιότητες και χαρακτηριστικά του καρβιδίου του πυριτίου
Το καρβίδιο του πυριτίου έχει μια ειδική κρυσταλλική δομή, χρησιμοποιώντας μια εξαγωνική κλειστή δομή παρόμοια με το διαμάντι.Αυτή η δομή επιτρέπει στο καρβίδιο του πυριτίου να έχει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες.Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά πυριτίου, το καρβίδιο του πυριτίου έχει μεγαλύτερο πλάτος διάκενου ζώνης, το οποίο παρέχει μεγαλύτερη απόσταση ζώνης ηλεκτρονίων, με αποτέλεσμα υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων και χαμηλότερο ρεύμα διαρροής.Επιπλέον, το καρβίδιο του πυριτίου έχει επίσης υψηλότερη ταχύτητα μετατόπισης κορεσμού ηλεκτρονίων και χαμηλότερη ειδική αντίσταση του ίδιου του υλικού, παρέχοντας καλύτερη απόδοση για εφαρμογές υψηλής ισχύος.
Περιπτώσεις εφαρμογής και προοπτικές γκοφρετών καρβιδίου του πυριτίου
Εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος
Η γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου έχει ευρεία προοπτική εφαρμογής στον τομέα των ηλεκτρονικών ισχύος.Λόγω της υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων και της εξαιρετικής θερμικής αγωγιμότητάς τους, οι γκοφρέτες SIC μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την κατασκευή συσκευών μεταγωγής πυκνότητας υψηλής ισχύος, όπως μονάδες ισχύος για ηλεκτρικά οχήματα και ηλιακούς μετατροπείς.Η σταθερότητα σε υψηλή θερμοκρασία των πλακών καρβιδίου του πυριτίου επιτρέπει σε αυτές τις συσκευές να λειτουργούν σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, παρέχοντας μεγαλύτερη απόδοση και αξιοπιστία.
Οπτικοηλεκτρονικές εφαρμογές
Στον τομέα των οπτοηλεκτρονικών συσκευών, οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου δείχνουν τα μοναδικά τους πλεονεκτήματα.Το υλικό καρβιδίου του πυριτίου έχει χαρακτηριστικά διάκενου ευρείας ζώνης, που του επιτρέπουν να επιτυγχάνει υψηλή ενέργεια φωτονίων και χαμηλή απώλεια φωτός σε οπτοηλεκτρονικές συσκευές.Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την προετοιμασία συσκευών επικοινωνίας υψηλής ταχύτητας, φωτοανιχνευτών και λέιζερ.Η εξαιρετική θερμική του αγωγιμότητα και η χαμηλή πυκνότητα κρυσταλλικού ελαττώματος το καθιστούν ιδανικό για την παρασκευή οπτοηλεκτρονικών συσκευών υψηλής ποιότητας.
Αποψη
Με την αυξανόμενη ζήτηση για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης, οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου έχουν ένα πολλά υποσχόμενο μέλλον ως υλικό με εξαιρετικές ιδιότητες και ευρεία δυνατότητα εφαρμογής.Με τη συνεχή βελτίωση της τεχνολογίας παρασκευής και τη μείωση του κόστους, θα προωθηθεί η εμπορική εφαρμογή γκοφρετών καρβιδίου του πυριτίου.Αναμένεται ότι τα επόμενα χρόνια, οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου θα εισέλθουν σταδιακά στην αγορά και θα γίνουν η κύρια επιλογή για εφαρμογές υψηλής ισχύος, υψηλής συχνότητας και υψηλής θερμοκρασίας.
3---Σε βάθος ανάλυση της αγοράς γκοφρέτας SiC και των τάσεων της τεχνολογίας
Σε βάθος ανάλυση των οδηγών της αγοράς γκοφρετών καρβιδίου του πυριτίου (SiC).
Η ανάπτυξη της αγοράς γκοφρέτας καρβιδίου του πυριτίου (SiC) επηρεάζεται από αρκετούς βασικούς παράγοντες και η εις βάθος ανάλυση του αντίκτυπου αυτών των παραγόντων στην αγορά είναι κρίσιμη.Ακολουθούν μερικοί από τους βασικούς παράγοντες της αγοράς:
Εξοικονόμηση ενέργειας και προστασία του περιβάλλοντος: Τα χαρακτηριστικά υψηλής απόδοσης και χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας των υλικών καρβιδίου του πυριτίου το καθιστούν δημοφιλές στον τομέα της εξοικονόμησης ενέργειας και της προστασίας του περιβάλλοντος.Η ζήτηση για ηλεκτρικά οχήματα, ηλιακούς μετατροπείς και άλλες συσκευές μετατροπής ενέργειας οδηγεί την ανάπτυξη της αγοράς των πλακών καρβιδίου του πυριτίου, καθώς συμβάλλει στη μείωση της σπατάλης ενέργειας.
Εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος: Το καρβίδιο του πυριτίου υπερέχει σε εφαρμογές ηλεκτρονικών ισχύος και μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε ηλεκτρονικά ισχύος σε περιβάλλοντα υψηλής πίεσης και υψηλής θερμοκρασίας.Με τη διάδοση των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας και την προώθηση της μετάβασης στην ηλεκτρική ενέργεια, η ζήτηση για γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου στην αγορά ηλεκτρονικών ισχύος συνεχίζει να αυξάνεται.
Λεπτομερής ανάλυση τάσεων μελλοντικής ανάπτυξης τεχνολογίας κατασκευής πλακών SiC
Μαζική παραγωγή και μείωση κόστους: Η μελλοντική κατασκευή γκοφρέτας SiC θα επικεντρωθεί περισσότερο στη μαζική παραγωγή και στη μείωση του κόστους.Αυτό περιλαμβάνει βελτιωμένες τεχνικές ανάπτυξης, όπως η χημική εναπόθεση ατμών (CVD) και η φυσική εναπόθεση ατμών (PVD) για την αύξηση της παραγωγικότητας και τη μείωση του κόστους παραγωγής.Επιπλέον, η υιοθέτηση έξυπνων και αυτοματοποιημένων διαδικασιών παραγωγής αναμένεται να βελτιώσει περαιτέρω την αποτελεσματικότητα.
Νέο μέγεθος και δομή πλακιδίων: Το μέγεθος και η δομή των πλακιδίων SiC μπορεί να αλλάξει στο μέλλον για να καλύψει τις ανάγκες διαφορετικών εφαρμογών.Αυτό μπορεί να περιλαμβάνει γκοφρέτες μεγαλύτερης διαμέτρου, ετερογενείς δομές ή πλακίδια πολλαπλών στρώσεων για να παρέχει μεγαλύτερη ευελιξία σχεδιασμού και επιλογές απόδοσης.
Ενεργειακή απόδοση και πράσινη παραγωγή: Η κατασκευή πλακών SiC στο μέλλον θα δώσει μεγαλύτερη έμφαση στην ενεργειακή απόδοση και την πράσινη παραγωγή.Τα εργοστάσια που τροφοδοτούνται από ανανεώσιμες πηγές ενέργειας, πράσινα υλικά, ανακύκλωση απορριμμάτων και διαδικασίες παραγωγής χαμηλών εκπομπών άνθρακα θα γίνουν τάσεις στη μεταποίηση.
Ώρα δημοσίευσης: Ιαν-19-2024