Γκοφρέτα διοξειδίου του πυριτίου SiO2 γκοφρέτα παχιά στιλβωμένη, Prime And Test Grade

Γκοφρέτα διοξειδίου του πυριτίου Παχύ γκοφρέτα SiO2 Γυαλισμένη, Prime And Test Grade Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Η θερμική οξείδωση είναι το αποτέλεσμα της έκθεσης μιας γκοφρέτας πυριτίου σε συνδυασμό οξειδωτικών παραγόντων και θερμότητας για τη δημιουργία ενός στρώματος διοξειδίου του πυριτίου (SiO2). Η εταιρεία μας μπορεί να προσαρμόσει νιφάδες οξειδίου του πυριτίου με διαφορετικές παραμέτρους για τους πελάτες, με εξαιρετική ποιότητα.το πάχος του στρώματος οξειδίου, η συμπαγή, η ομοιομορφία και ο προσανατολισμός των κρυστάλλων με ειδική αντίσταση εφαρμόζονται σύμφωνα με τα εθνικά πρότυπα.

Στείλτε μας email

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Παρουσίαση του κουτιού γκοφρέτας

Προϊόν	Γκοφρέτες θερμικού οξειδίου (Si+SiO2).
Μέθοδος Παραγωγής	LPCVD
Γυάλισμα Επιφανειών	SSP/DSP
Διάμετρος	2 ιντσών / 3 ιντσών / 4 ιντσών / 5 ιντσών / 6 ιντσών
Τύπος	Τύπος P / Τύπος N
Πάχος στρώσης οξείδωσης	100nm ~ 1000nm
Προσανατολισμός	<100> <111>
Ηλεκτρική αντίσταση	0,001-25000 (Ω•cm)
Εφαρμογή	Χρησιμοποιείται για φορέα δείγματος ακτινοβολίας σύγχροτρον, επίστρωση PVD/CVD ως υπόστρωμα, δείγμα ανάπτυξης διασκορπισμού μαγνητρονίου, XRD, SEM,Ατομική δύναμη, φασματοσκοπία υπέρυθρης ακτινοβολίας, φασματοσκοπία φθορισμού και άλλα υποστρώματα δοκιμής ανάλυσης, υποστρώματα επιταξιακής ανάπτυξης μοριακής δέσμης, ανάλυση ακτίνων Χ κρυσταλλικών ημιαγωγών

Οι γκοφρέτες οξειδίου του πυριτίου είναι μεμβράνες διοξειδίου του πυριτίου που αναπτύσσονται στην επιφάνεια πλακών πυριτίου μέσω οξυγόνου ή υδρατμών σε υψηλές θερμοκρασίες (800°C~1150°C) χρησιμοποιώντας μια διαδικασία θερμικής οξείδωσης με εξοπλισμό σωλήνων κλιβάνου ατμοσφαιρικής πίεσης.Το πάχος της διαδικασίας κυμαίνεται από 50 νανόμετρα έως 2 μικρά, η θερμοκρασία της διαδικασίας είναι μέχρι 1100 βαθμούς Κελσίου, η μέθοδος ανάπτυξης χωρίζεται σε δύο είδη "υγρό οξυγόνο" και "ξηρό οξυγόνο".Το Thermal Oxide είναι ένα "αναπτυγμένο" στρώμα οξειδίου, το οποίο έχει υψηλότερη ομοιομορφία, καλύτερη πυκνότητα και υψηλότερη διηλεκτρική αντοχή από τα στρώματα οξειδίου που εναποτίθενται CVD, με αποτέλεσμα ανώτερη ποιότητα.

Οξείδωση ξηρού οξυγόνου

Το πυρίτιο αντιδρά με το οξυγόνο και το στρώμα οξειδίου κινείται συνεχώς προς το στρώμα του υποστρώματος.Η ξηρή οξείδωση πρέπει να εκτελείται σε θερμοκρασίες από 850 έως 1200°C, με χαμηλότερους ρυθμούς ανάπτυξης και μπορεί να χρησιμοποιηθεί για ανάπτυξη πύλης με μόνωση MOS.Η ξηρή οξείδωση προτιμάται έναντι της υγρής οξείδωσης όταν απαιτείται υψηλής ποιότητας, εξαιρετικά λεπτή στρώση οξειδίου του πυριτίου.Ικανότητα ξηρής οξείδωσης: 15nm~300nm.

2. Υγρή οξείδωση

Αυτή η μέθοδος χρησιμοποιεί υδρατμούς για να σχηματίσει ένα στρώμα οξειδίου εισχωρώντας στον σωλήνα του κλιβάνου υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας.Η συμπύκνωση της οξείδωσης υγρού οξυγόνου είναι ελαφρώς χειρότερη από την οξείδωση ξηρού οξυγόνου, αλλά σε σύγκριση με την οξείδωση ξηρού οξυγόνου το πλεονέκτημά της είναι ότι έχει υψηλότερο ρυθμό ανάπτυξης, κατάλληλο για ανάπτυξη φιλμ άνω των 500 nm.Ικανότητα υγρής οξείδωσης: 500nm~2μm.

Ο σωλήνας κλιβάνου οξείδωσης ατμοσφαιρικής πίεσης της AEMD είναι ένας τσεχικός σωλήνας οριζόντιου κλιβάνου, ο οποίος χαρακτηρίζεται από υψηλή σταθερότητα διαδικασίας, καλή ομοιομορφία μεμβράνης και ανώτερο έλεγχο σωματιδίων.Ο σωλήνας κλιβάνου οξειδίου του πυριτίου μπορεί να επεξεργαστεί έως και 50 γκοφρέτες ανά σωλήνα, με εξαιρετική ομοιομορφία εντός και μεταξύ των δισκίων.