SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon wafer 4inch 6inch 8inch 12inch

Η κύρια διαδικασία κατασκευής πλακών οξειδωμένου πυριτίου περιλαμβάνει συνήθως τα ακόλουθα βήματα: ανάπτυξη μονοκρυσταλλικού πυριτίου, κοπή σε γκοφρέτες, γυάλισμα, καθαρισμός και οξείδωση.

Ανάπτυξη μονοκρυσταλλικού πυριτίου: Πρώτον, το μονοκρυσταλλικό πυρίτιο αναπτύσσεται σε υψηλές θερμοκρασίες με μεθόδους όπως η μέθοδος Czochralski ή η μέθοδος Float-zone. Αυτή η μέθοδος επιτρέπει την παρασκευή μονοκρυστάλλων πυριτίου με υψηλή καθαρότητα και ακεραιότητα πλέγματος.

Κοπή σε κύβους: Το αναπτυσσόμενο μονοκρυσταλλικό πυρίτιο είναι συνήθως σε κυλινδρικό σχήμα και πρέπει να κοπεί σε λεπτές γκοφρέτες για να χρησιμοποιηθεί ως υπόστρωμα γκοφρέτας. Η κοπή συνήθως γίνεται με διαμαντοκόφτη.

Γυάλισμα: Η επιφάνεια της κομμένης γκοφρέτας μπορεί να είναι ανώμαλη και απαιτεί χημική-μηχανική στίλβωση για να αποκτήσει λεία επιφάνεια.

Καθαρισμός: Η γυαλισμένη γκοφρέτα καθαρίζεται για να αφαιρέσει ακαθαρσίες και σκόνη.

Οξείδωση: Τέλος, οι γκοφρέτες πυριτίου τοποθετούνται σε κλίβανο υψηλής θερμοκρασίας για οξειδωτική επεξεργασία για να σχηματιστεί ένα προστατευτικό στρώμα διοξειδίου του πυριτίου για τη βελτίωση των ηλεκτρικών ιδιοτήτων και της μηχανικής αντοχής του, καθώς και για να χρησιμεύσει ως μονωτικό στρώμα σε ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Οι κύριες χρήσεις των πλακών οξειδωμένου πυριτίου περιλαμβάνουν την κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, την κατασκευή ηλιακών κυψελών και την κατασκευή άλλων ηλεκτρονικών συσκευών. Οι γκοφρέτες οξειδίου του πυριτίου χρησιμοποιούνται ευρέως στον τομέα των ημιαγωγικών υλικών λόγω των εξαιρετικών μηχανικών ιδιοτήτων, της διαστατικής και χημικής σταθερότητας, της ικανότητας λειτουργίας σε υψηλές θερμοκρασίες και υψηλές πιέσεις, καθώς και των καλών μονωτικών και οπτικών ιδιοτήτων τους.

Τα πλεονεκτήματά του περιλαμβάνουν πλήρη κρυσταλλική δομή, καθαρή χημική σύνθεση, ακριβείς διαστάσεις, καλές μηχανικές ιδιότητες κ.λπ. Αυτά τα χαρακτηριστικά καθιστούν τις γκοφρέτες οξειδίου του πυριτίου ιδιαίτερα κατάλληλες για την κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων υψηλής απόδοσης και άλλων μικροηλεκτρονικών συσκευών.